3.本征载流子浓度特点载流子数目取决于什么？（Or：禁带宽度温度与本征载流子浓度的关

答：本征载流子浓度特点：本征材料中，导带内电子数n等于价带内的空穴总数p：n=p=ni （ni 为本征载流子浓度）

载流子的数目决定于材料的禁带宽度和材料的温度：

宽禁带会使得载流子很难通过热激发来穿过它，因此宽禁帶的本征载流子浓度一般比较低；

可以通过提高温度让电子更容易被激发到导带同时提高了本征载流子的浓度。

4.V、III 族掺杂半导体的平衡載流子浓度特点少子浓度与掺杂水平的关系？

答：掺杂后平衡载流子浓度等于本征载流子浓度加上掺杂入半导体的自由载流子的浓度。

V族掺杂：III族掺杂：

多子的浓度几乎等于掺杂的载流子浓度。

少子的浓度随着掺杂水平的增加而减少

5.迁移率与掺杂浓度、有效质量关系？迁移率与扩散系数的关系

迁移率μ：定义为单位电场作用下载流子获得平均速度，反映了载流子在电场作用下输运能力。

随着掺杂濃度的增加，迁移率减少

随着有效质量的增加，迁移率减小

对于非简并半导体（掺杂浓度不是很高），电子扩散系数与电子迁移率、涳穴扩散系数与空穴迁移率的关系：

1.一个光子是被吸收还是透射取决于什么（光子能量和禁带宽度Eg）什么样的情况下，光子能

答：一个咣子是被吸收还是透射取决于：光子能量Eph和禁带宽度Eg

（2）Eph>Eg 光子能量被强烈吸收。

（3）Eph=Eg 光子的能量刚刚好足够激发出一个电子-空穴对能量被完全吸收。

2.波长λ，光强为I o的单色光入射到半导体表面其反射率为R。如果半导体对该波长的吸收系数

为α，则光进入半导体深度x 的關系式为什么光子通量N 与半导体深度x 的关系式是什么？

如果减少的光能量全部用来产生电子—空穴对（即每吸收一个光子产生一个电子—空穴对）则电子—空穴对的产生率G 与穿透半导体的深度x 之间的关系是什么？

（补充：吸收深度x与吸收系数α成反比例关系。

对于给定波长的光吸收系数α决定了光束在进入电池表面多深的距离x可以被吸收掉。

吸收系数α的大小与材料（禁带宽度）和光的波长（光子能量）有关。

光子能量越高波长越短，吸收系数越大吸收深度越短）

2）（暂时不知道答案）