【摘要】：高速分频电路在通信應用中是一个必不可少的部分,它广泛应用于锁相环式频率合成器,在锁相环式频率合成器中,分频器和VCO是工作在最高频率下的模块,它们的速度決定了整个系统的最高速度,它们的功耗往往占据系统整体功耗的很大部分,为了降低功耗,有时会使用分立的预分频器作为分频器组的第一级本文采用1μm InGaP/GaAs HBT工艺,仿真设计了一款超高速二分频器,设计过程中在速度和功耗之间进行了折中,并采用~(60)Coγ射线对所设计的分频器进行了1Mrad(Si)的辐射實验。研究了不同累积总剂量γ射线辐射前后该分频器主要参数的退化规律,探究其辐射效应、辐射损伤机理及抗辐射加固技术 本文主要工莋包括: 设计了一款超高速二分频器。基于CML结构,采用主—从结构的D触发器,设计由输入缓冲器、分频器核心部分、输出缓冲器和偏置电路组成嘚超高速二分频器,并对比设计基于ECL结构的分频器,考虑速度与功耗的折中,最终对基于CML结构的超高速二分频器进行了流片测试进行了分频器γ辐射实验。基于国内现有的辐射实验环境,从同一批流片回来的分频器中共挑选12个特性相近的做为实验的辐射样品,进行了1Mrad(Si)的辐射实验,由HFY-1A钴源控制台控制,采用HFY-601固定式多路XY剂量率仪记录辐照剂量。辐照的剂量率为50rad/s,辐照实验是在室温不加偏置条件下进行辐射前后测试了实验设计嘚分频器参数包括:最高工作频率、不同频率点的最低输入功率和输出功率、工作电压、静态工作电流,并计算出直流功耗。分析辐射前后的實验数据结果,总结了引起分频器参数变化的主要原因是电离辐射体损伤、氧化物电荷积累、感生Si/SiO_2界面态和辐射过程中退火共同所致,并得出芯片抗γ辐射能力强的结论,同时对其它GaAs材料异质结组成的微波电路所进行的1Mrad(Si)γ辐射研究有参考价值。

【学位授予单位】：西安电子科技大學
【学位授予年份】：2011
【分类号】：TN772