君，已阅读到文档的结尾了呢~~
扫扫二维码，随身浏览文档
手机或平板扫扫即可继续访问
模拟电路模拟试题库与答案
举报该文档为侵权文档。
举报该文档含有违规或不良信息。
反馈该文档无法正常浏览。
举报该文档为重复文档。
推荐理由：
将文档分享至：
分享完整地址
文档地址：
粘贴到BBS或博客
flash地址：
支持嵌入FLASH地址的网站使用
html代码：
&embed src='/DocinViewer--144.swf' width='100%' height='600' type=application/x-shockwave-flash ALLOWFULLSCREEN='true' ALLOWSCRIPTACCESS='always'&&/embed&
450px*300px480px*400px650px*490px
支持嵌入HTML代码的网站使用
您的内容已经提交成功
您所提交的内容需要审核后才能发布，请您等待！
3秒自动关闭窗口PN结_百度百科
采用不同的掺杂工艺，通过，将与制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有，是中许多器件所利用的特性，例如半导体、的物质基础。
PN结杂质半导体
N型半导体（N为Negative的字头，由于电子带负电荷而得此名）：掺入少量杂质（或）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为。于是，N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。[1]
P型半导体（P为Positive的字头，由于空穴带正电而得此名）：掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候，会产生一个“空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”，使得硼原子成为带负电的。这样，这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷），成为能够导电的物质。[2]
PN结PN结的形成
PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。[3]
在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成，另一边形成，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。
在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。
在空间电荷区形成后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区形成了内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。
另一方面，这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移，使P区的少数载流子电子向N区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴，从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这就使空间电荷减少，内电场减弱。因此，漂移运动的结果是使空间电荷区变窄，扩散运动加强。
最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下薄层，这个离子薄层形成的称为PN结。PN结的内由N区指向P区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。[4]
PN结特性概述
从PN结的形成原理可以看出，要想让PN结导通形成电流，必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然，给它加一个反方向的更大的电场，即P区接外加电源的正极，N区结负极，就可以抵消其内部自建电场，使载流子可以继续运动，从而形成线性的正向电流。而外加反向电压则相当于内建电场的阻力更大，PN结不能导通，仅有极微弱的反向电流（由少数载流子的漂移运动形成，因少子数量有限，电流饱和）。当反向电压增大至某一数值时，因少子的数量和能量都增大，会碰撞破坏内部的共价键，使原来被束缚的电子和空穴被释放出来，不断增大电流，最终PN结将被击穿（变为导体）损坏，反向电流急剧增大。
PN结名片图
这就是PN结的特性（单向导通、反向饱和漏电或击穿导体），也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的；而一个PNP结构则可以形成一个三极管，里面包含了两个PN结。二极管和三极管都是电子电路里面最基本的元件。
PN结反向击穿性
PN结加反向电压时，变宽，区中增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称。基本的击穿机构有两种，即（也叫）和，前者击穿电压小于6V，有负的温度系数，后者击穿电压大于6V，有正的温度系数。
雪崩击穿：阻挡层中的随内部电场的增强而相应加快到一定程度时，其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子—空穴对，新产生的载流子在强电场作用下，再去碰撞其它中性原子，又产生新的自由电子—空穴对，如此，使阻挡层中的载流子数量急剧增加，象雪崩一样。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中，阻挡层宽，碰撞电离的机会较多，雪崩击穿的击穿电压高。
齐纳击穿：齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达2.5×105V/m左右）。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成&电子一空穴对&，从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。[5]
采取适当的掺杂工艺，将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8～1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5～8V之间两种击穿可能同时发生。
热电击穿：当pn结施加反向电压时，流过pn结的反向电流要引起热损耗。反向电压逐渐增大时，对于一定的反向电流所损耗的功率也增大，这将产生大量热量。如果没有良好的散热条件使这些热能及时传递出去，则将引起结温上升。这种由于热不稳定性引起的击穿，称为热电击穿。
击穿电压的温度特性：温度升高后，晶格振动加剧，致使载流子运动的平 均自由路程缩短，碰撞前动能减小，必须加大反向电压才能发生雪崩击穿具有正的温度系数，但温度升高，共价键中的价电子能量状态高，从而齐纳击穿电压随温度升高而降低，具有负的温度系数。
PN结单向导电性
（1）PN结加正向电压时导通
PN结加正向电压时导通
如果电源的正极接P区，负极接N区，外加的正向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于。电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，方向与PN结内相反，削弱了内电场。于是，内对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。[6]
（2）PN结加反向电压时截止
PN结加反向电压时截止
如果电源的正极接N区，负极接P区，外加的反向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于反向偏置。则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过，方向与PN结内相同，加强了内。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的在内电场作用下形成的大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。
在一定的温度条件下，由决定的少子浓度是一定的，故少子形成的是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为。[7]
PN结加正向电压时，呈现低，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。[4]
PN结伏安特性
PN结的伏安特性（外特性）如图所示，它直观形象地表示了PN结的单向导电性。
PN结伏安特性曲线
伏安特性的表达式为：
式中iD为通过PN结的电流，vD为PN结两端的外加电压，VT为温度的电压当量，
，其中k为波耳兹曼常数（1.38×10-23J/K），T为，即绝对温度（300K），q为电子电荷（1.6×10-19C）。在常温下，VT ≈26mV。Is为反向饱和电流，对于分立器件，其典型值为10-8~10-14A的范围内。集成电路中二极管PN结，其Is值则更小。
当vD&&0，且vD&VT时，
当vD&0，且
时，iD≈–IS≈0。[8]
PN结电容特性
PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的量随外加电压改变，主要有势垒电容（CB）和扩散电容（CD）。势垒电容和扩散电容均是非线性电容。
势垒电容：势垒电容是由的薄层形成的。当外加使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的也随之变化。势垒区类似平板电容器，其交界两侧存储着数值相等极性相反的离子电荷，电荷量随外加电压而变化，称为势垒电容，用CB表示，其值为：
。在PN结反偏时结电阻很大，CB的作用不能忽视，特别是在高频时，它对电路有较大的影响。[9]
CB不是恒值，而是随V而变化，利用该特性可制作变容二极管。
PN结有突变结和缓变结，现考虑突变结情况，PN结相当于，虽然外加电场会使势垒区变宽或变窄 但这个变化比较小可以忽略，则
，已知动态平衡下阻挡层的宽度L0，代入上式可得：
扩散电容示意图
扩散电容：PN结正向导电时，多子扩散到对方区域后，在PN结边界上积累，并有一定的浓度分布。积累的电荷量随外加电压的变化而变化，当PN结正向电压加大时，正向电流随着加大，这就要求有更多的载流子积累起来以满足电流加大的要求；而当正向电压减小时，正向电流减小，积累在P区的电子或N区的空穴就要相对减小，这样，当外加电压变化时，有载流子向PN结“充入”和“放出”。PN结的扩散电容CD描述了积累在P区的电子或N区的空穴随外加电压的变化的电容效应。[10]
因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子分布。反之，由P区扩散到N区的空穴，在N区内也形成类似的分布曲线。扩散电容的示意图如右图所示。
CD是非线性电容，PN结正偏时，CD较大，反偏时载流子数目很少，因此反偏时扩散电容数值很小。一般可以忽略。
PN结电容：PN结的总电容Cj为CT和CD两者之和Cj = CT+CD ，外加正向电 压CD很大， Cj以扩散电容为主（几十pF到几千pF） ，外加反向电压CD趋于零，Cj以势垒电容为主（几pF到几十pF到）。
根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的。如利用PN结可以制作、检波二极管和，利用击穿特性制作稳压二极管和；利用高掺杂PN结制作；利用结电容随外电压变化效应制作。使的与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的与复合可以制造与；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能。PN结是构成和场效应晶体管的核心，是的基础。在二级管中广泛应用。
PN结稳压二极管
PN结一旦击穿后，尽管反向电流急剧变化，但其端电压几 乎不变（近似为VBR，只要限制它的反
稳压二极管伏安特性
向电流，PN结 就不会烧坏，利用这一特性可制成，其电路符号及伏安特性如上图所示：其主要参数有： VZ 、 Izmin 、 Iz 、 Izmax。[11]
PN结变容二极管
PN结反偏时，反向电流很小，近似开路，因此是一个主要由势垒电容构成的较理想的电容器件，且其增量电容值随外加电压而变化 利用该特性可制作变容二极管，变容二极管在非线性电路中应用较广泛， 如压控振荡器、频率调制等。[12]
PN结发展过程
1935年后贝尔实验室的一批科学家转向研究Si材料，1940年，用真空熔炼方法拉制出多晶Si棒并且掌握了掺入Ⅲ、Ⅴ族杂质元素来制造P型和N型多晶Si的技术。还用生长过程中掺杂的方法制造出第一个Si的PN结，发现了Si中杂质元素的分凝现象，以及施主和受主杂质的补偿作用。[13]
1948年，的论文《半导体中的P-N结和P-N结型晶体管的理论》发表于贝尔实验室内部刊物。
PN结制造工艺
PN结是构成各种半导体器件的基础。制造PN结的方法有：
制造异质结通常采用外延生长法。
（1）外延方法：突变PN结；
（2）扩散方法：缓变PN结；　　（3）离子注入方法：介于突变结与缓变结之间；[3]
PN结PN 结的击穿机理
PN 结构成了几乎所有半导体功率器件的基础，目前常用的半导体功率器件如DMOS，IGBT，SCR 等的反向阻断能力都直接取决于 PN 结的击穿电压，因此，PN 结反向阻断特性的优劣直接决定了半导体功率器件的可靠性及适用范围。在 PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下，一般认为除 super junction 之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有最高的击穿电压。实际的功率半导体器件的制造过程一般会在 PN 结的边缘引入球面或柱面边界，该边界位置的击穿电压低于平行平面结的击穿电压，使功率半导体器件的击穿电压降低。由此产生了一系列的结终端技术来消除或减弱球面结或柱面结的曲率效应，使实际制造出的 PN 结的击穿电压接近或等于理想的平行平面结击穿电压。[14]
当 PN 结的反向偏压较高时，会发生由于碰撞电离引发的电击穿，即雪崩击穿。存在于半导体晶体中的自由载流子在耗尽区内建电场的作用下被加速其能量不断增加，直到与半导体晶格发生碰撞，碰撞过程释放的能量可能使价键断开产生新的电子空穴对。新的电子空穴对又分别被加速与晶格发生碰撞，如果平均每个电子（或空穴）在经过耗尽区的过程中可以产生大于 1 对的电子空穴对，那么该过程可以不断被加强，最终达到耗尽区载流子数目激增，PN 结发生雪崩击穿。[14]
．湖南商学院精品课程[引用日期]
．湖南商学院精品课程[引用日期]
．百度文库．[引用日期]
．湖南商学院精品课程[引用日期]
．湖南商学院精品课程[引用日期]
．湖南商学院精品课程[引用日期]
．湖南商学院精品课程[引用日期]
．湖南商学院精品课程[引用日期]
．湖南商学院精品课程[引用日期]
．湖南商学院精品课程[引用日期]
．湖南商学院精品课程[引用日期]
．湖南商学院精品课程[引用日期]
．温州大学网络教学综合平台[引用日期]
曲率效应对PN结击穿电压的有效作用[D]. 电子科技大学 2008
中国电子学会（Chinese Instit...
提供资源类型：内容
企业信用信息《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题： （每空 1 分 共 40 分） 1、PN 结正偏时（ 2、漂移电流是（ 而与外加电压（ 偏时，结电阻为（ 4、三极管是（ ） ，反偏时（ ）电流，它由（ ） 。 ） ，等效成一条直线；当其反 ） ，等效成断开； ）控制元件。 ） ，集电结（ ） ，发射结压降（ ）（ 、 ）（ 、 ） 。 ） 。 ）放大电路。 ） ，所以 PN 结具有（ ）导电性。 ）有关， ）载流子形成，其大小与（3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ）控制元件，场效应管是（5、三极管具有放大作用外部电压条件
是发射结（ 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流 Ic（ 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（ 出电流采用（ 数AF=（ （ ）负反馈。8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（ 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（ ） 。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（ ）称为反馈深度。）负反馈，为了稳定交流输） ，对于深度负反馈放大电路的放大倍 ）BW，其中BW=（ ） ， ）信号， ）类互补11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（ 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（ 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（ 功率放大器。 13、OCL 电路是（ OTL 电路是（ ）电源互补功率放大电路； ）电源互补功率放大电路。 ）信号。 ）失真，而采用（14、 共集电极放大电路具有电压放大倍数 （ 15、 差分放大电路能够抑制 （ 电路中。 ） 漂移， （ 也称） 输入电阻 ， （ ） 输出电阻 ， （ ） 漂移， 所以它广泛应用于 （） ）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（ 是运载信息的工具，称为（ 二、选择题（每空 2 分 共 30 分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（1） ，未被调制的高频信号 ） 。） 。 ） ，电路符号是（17、模拟乘法器输出与输入的关系式是 U0=（）状态，但其两端电压必须（） ，它的稳压值 Uz 才有导通电流，否则处于（ C、大于 D、小于 ）型。 ）（ 、 ）（ 、 D、Ri 大 ） 。 E、导通）状态。A、正偏 B、反偏 电极分别是（F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个 ） ，该管是（ A、 （B、C、E） B、 （C、B、E） C、 （E、C、B） D、 （NPN） E、 （PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（ A、U0 高 电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 5、差分放大电路是为了（ A、稳定Au A、压串负 A、1 A、电压 A、U-≈U+ 三、分析计算题 1、已知电力如下图示：为理想二极管，试分析： ①二极管导通还是截止？②UA0=？（4分） 解： C、交越失真 D、增大 E、减小 ）而设置的。 C、抑制零点漂移 ） 。 ）倍。 C、压并负 C、3 ）负反馈。 C、串联 ）（ 、 ） 。 C、U0=Ui D、Au=1 B、P0 大 C、功率大 E、波形不失真 ） ，此时应该（ ）偏置4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B、放大信号 B、流串负 B、2 B、电流 B、I-≈I+≈06、共集电极放大电路的负反馈组态是（7、差分放大电路 RE 上的直流电流 IEQ 近似等于单管集电极电流 ICQ（ 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（ 9、分析运放的两个依据是（22、已知电力如图示：Vcc=12V，RB=300KΩ ，RE=RL=2KΩ ， Rs=500Ω ， UBEQ≈0，C1=C2=30uF，rbe=1.5K，β=100，Us=10sinwt mV 求：① ICQ ② UCEQ ③ Au（取小数点后2位） ⑤ R0（10分） 解： ④ Ri3、具有电流源的差分电路如图所示，已知 UBEQ=0.7V，β=100，rbb=200Ω ，试求： （1）V1、V2 静态工作点 ICQ、UCQ； （2）差模电压放大倍数 Aud； （3）差模输入电阻 Rid 和输出电阻 RO； 分） （64、电路如图所示，设 UCES=0 试回答下列问题： 分） （6 （1）ui=0 时，流过 RL 的电流有多大？ （2）若 V3、V4 中有一个接反，会出现什么后果？ （3）为保证输出波形不失真，输入信号 ui 的最大幅度为多少？管耗为多少？35、根据自激振荡的相位条件，判断下图能否产生振荡？如果能振荡， 求出 F0； 分） （44《模拟电子技术》模拟试题二 一、填空题（每空 1 分 共 32 分） 1、P 型半导体中空穴为（ 2、PN 结正偏时（ 3、反向电流是由（ 4、三极管是（ ）载流子，自由电子为（ ）载流子。 ）导电性。 ） 。 ） 。 ） ，反偏时（ ） ，所以 PN 结具有（ ）控制元件。 ） ，发射结压降 UBE（ ） ，集电结（ ）（ 、 ） 。 ）放大电路。）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）控制元件，场效应管是（5、当温度升高时，三极管的等电极电流 I（ 6、晶体三极管具有放大作用时，发射结（ 7、三极管放大电路共有三种组态（ 采用（ ）负反馈。 ）（ 、8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（ 9、负反馈放大电路和放大倍数 Af=（ 10、共模信号是大小（ 11、乙类互补功放存在（ 高频信号称高频（ ） ，极性（）负反馈，为了减小输出电阻 ） 。） ，对于深度负反馈 Af=（ ）的两个信号。）失真，可以利用（ ） 。）类互补功放来克服。 ） ，低频信号称为（ ） ，fa=（ ）网络。 ） 。 ）fβ 。 ）信号，12、用低频信号去改变高频信号的频率称为（ 13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路（14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（ 二、选择题（每空 2 分 共 30 分） 1、三端集成稳压器 CW7812 的输出电压是（ A、12V B、5V C、9V ） ，该管是（ ）型。 ） 。15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是 2V、6V、2.7V，则三 个电极分别是（ A、 （B、C、E） 失真。 A、饱和 A、稳定 Au B、截止 C、交越 D、频率 C、抑制零点漂移 ）能力。 C、输出电阻低 ）而设置的。 B、 （C、B、E） C、 （E、C、B） D、 （PNP） E、 （NPN） ）3、 共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为 （） 失真， 下半周失真时为 （4、差分放大电路是为了（B、放大信号5、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ A、放大差模抑制共模 B、输入电阻高56、LM386 是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（ A、0~20 A、0.45 A、U-≈U+ B、20~200 B、0.9 C、200~1000 7、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值 Uo=（ C、1.2 ） （ ） 。 ） 。 C、U0=Ui ） （ ） （ D、Au=1 8、当集成运放线性工作时，有两条分析依据（ B、I-≈I+≈0 9、对功率放大器的主要要求有（ A、U0 高， B、P0 大 A、基本放大器 三、分析计算题 1、 分）由理想运放构成的小信号交流放大电路如图示： （6 求：①频带内电压放大倍数 Auf（取整数） ； ②截止频率 fL； 10、振荡器的输出信号最初由（ B、选频网络）之间变化。）UzC、效率高D、Ri 大 E、波形不失真 C、干扰或噪声信号）而来的。2、 分）已知：电路如图：t=0 时，Uc（0-）=0，Ui=0.1V。 （8 求：①U01②t=10s 时的 U0？3、 （10 分）已知：电路如图示：Vcc=12V，RB1=40K，RB2=20K，Rc=RL=2K， RE=1.65K，UBEQ=0.7V，C1=C2=20uf，rbe=1.5K，β =100，CE=10uf 求：① ICQ ② UCEQ ③ Au ④ Ri ⑤ R0（取小数点后 1 位）64、 分）已知：RC 振荡电路如下图，R=7.9KΩ ，C=0.02uF，RF=10K，求：①fo ② （9 R1 冷态电阻值；③ 指明 R1 的温度特性；5、 分）已知：电路如图示：IQ=5mA，R1=500Ω ，R2=1KΩ ； （7 求：输出电压 U0；7《模拟电子技术》模拟试题三 一 、填空题（每空 1 分 ，共 32 分） 1、空穴为（ 型半导体。 2、PN 结的 P 型侧接高电位，N 型侧接低电位称为（ 3、 由漂移形成的电流是反向电流， （ 它由 而与外电场（ ） 。 ）偏置状态，而二极管导通时是处于（ ） ）反之称为（ ） ） ， ）载流子。自由电子为（ ）载流子的杂质半导体称为 P） 栽流子形成， 其大小决定于 （4、稳定二极管稳压时是处于（ 偏置状态。 5、晶体三极管的集电极电流 Ic=() 所以它是（）控制元件。 ) 。6、当温度升高时三极管的反向饱和电流 I CBO（ 7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（ 压，采用（ ）负反馈，为了提高输入电阻采用（）所以 Ic 也（）负反馈。为稳定交流输出电 ）负反馈.。 ）失真。8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（ 9、反馈导数 F=（ ） 。反馈深度是（）通频带（ ） 。10、差分放大电路能够抑制（ 11、OCL 电路是（）信号，放大（）信号。 ）电源互补功放。 ） 、）电源互补功放，OTL 是（12、 用低频信号改变高频信号的相位称为 （ 高频信号称为（ ） 。） 低频信号称为 。 （13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（ 共射极电路高频特性（ 14、 振荡电路的平衡条件是 （ ） 。 ） ， （） 。共基极电路比） 反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。 ） 。15 在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（ 二、选择题（每空 2 分，共 34 分） 1、三端集成稳压器 CXX7805 的输出电压是（ A 5v B 9v C 12v ）2、测某电路中三极管各极电位分别是 0 V、-6V、0.2V 则三极管的三个电极分别是 （ ） ，该管是（ ） 。8A (E、C、B)B(C、B、E)C(B、C、E)D(PNP)E(NPN) ）失真。共射极放大电路的3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ 交流输出波形下半周失真时为（ A 饱和 B 截止 C 交越 ）失真。 D 频率4、差分放大电路是为了（ A 稳定 Au B 放大信号）而设置的。 C 抑制零点漂移 ） （ D ） （ Ri 大 ） E 波形不失真 ）变化。5、对功率放大器的主要要求有（ A Uo 高 B Po 大C 效率高6、LM386 是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（ A 0-20 B 20 -200 C 200-10007、单相桥式整流电容 A 0.45 B波电路输出电压平均在 Uo=( 0.9 C 1.2 ） （ D ） 。 Ri 大)U2。8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（ A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui ） （ ） （ D） 。 Au=19、对功率放大器的主要要求有（ A Uo 高 B Po 大C 效率高E 波形不失真10、振荡器的输出信号最初是由（ A 基本放大器 B 选频网络）而来的。 C 干扰或噪声信号三、分析计算题（共 34 分） 1 、 已 知 ： 电 路 如 图 所 示 K=0.1V U1=3V U2=-6V 求 ： Uo=? (5 分 )2、已知：电路如图所示 Vcc=12V RB1=40k9RB2=20kRc=RL=2kRE=1.65kUBEQ=0.7VC1=C2=20η Frbe=1.5Kβ =100CE=10η F （取小数点后一位） 求： 1）ICQ 2)UCEQ 3)Au 4)Ri 5)Ro (10 分)3、已知：电路如图所示 求： Uo=?(5 分)4、已知：RC 振荡电路如下图所示 求： 1）fo 2）Rt 冷态电阻R=7.9KΩC=0.02η FR1=5KΩ3）指明 Rt 的温度特性（9 分）5、已知：电路如图 IQ=5mA R1=500Ω 求：输出电压 Uo （5 分）R2=0.4KΩ10《模拟电子技术》模拟试题四 一 、填空题（每空 1 分 ，共 32 分） 1、自由电子为（ 半导体。 2、PN 结的单向导电性，就是 PN 结正偏时（ 3、扩展运动形成的电流是（ ） ，反偏时（ ） 。 ） 。 ）载流子，空穴为（ ）载流子的杂质半导体称为（ ））电流，漂移运动形成的电流是（4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（ 结电阻为（ ） ，等效成开断。 ),所以它是（） ，等效成一条直线；当其反偏时，5、场效应管的漏极电流 ID=(）控制文件。 ） ，电流放大系数β （ ） 。6、当温度升高时三极管的集电极电流 IC（ 7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（ 采用（ ）负反馈。 ） ，但（）负反馈。为了稳定输出电流，8、负反馈使放大电路增益（ 9、 （）增益稳定性。 ),称为（ ） ，差分电路不抑制（ ）类互补功率（ ） 。 ）漂移。）称为负反馈深度，其中 F=( ） ，极性（10、差模信号是大小（11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（ 12、用低频信号去改变高频信号的（ 信号。11）失真。 ））称为调幅，高频信号称为（13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（ 性（ ） ，fδ =（ ）fβ）共基极电路比共射极电路的高频特14 、 振 荡 电 路 的 平 衡 条 件 是 （ （ ） 。） 正反馈才能保证振荡电路的 ，15 半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（ 二、选择题（每空 2 分，共 30 分） 1、三端集成稳压器 CW7906 的输出电压是（ A -6V B -9v C -12v ）） 。2、测得某电路中三极管各极电位分别是 3V、2.3V、12V 则三极管的三个电极分别是 （ ） ，该管是（ ）型。 C(B、E、C) D(PNP) E(NPN) ）失真。共射极放大电路的A (E、B、C)B(B、C、E)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ 交流输出波形下半周失真时为（ A 饱和 B 截止 C 交越 ）失真。 D 频率4、差分放大电路是为了（ A 稳定 Au B 放大信号）而设置的。 C 抑制零点漂移 ）能力。5、KMCR 是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ A 放大差模抑制共模 B 输入电阻高 C 输出电阻低 ）变化。6、LM386 是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（ A 0-20 B 20 -200 C 200-10007、单相桥式整流电容 A 0.45 B波电路输出电压平均在 Uo=( 0.9 C 1.2 ） （ D ） 。 Ri 大)U2。8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（ A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui ） （ ） （ D） 。 Au=19、对功率放大器的主要要求有（ A Uo 高 B Po 大C 效率高E 波形不失真10、振荡器的输出信号最初是由（ A 基本放大器 B 选频网络）而来的。 C 干扰或噪声12三、分析计算题（共 34 分） 1、已知：电路如图所示 UAO=？（5 分） V1、V2 为理想二极管。求：1）哪只二极管导通 2）2、已知：电路如图所示 Vcc=12V RB1=40k RE=1.65k UBEQ=0.7V C1=C2=20η FRB2=20k rbe=1.5KRc=RL=2k β =100CE=10η F （取小数点后一位） 求：1）ICQ 2)UCEQ 3)Au 4)Ri 5)Ro (10 分)3、已知：电路如图所示 U1=1V U2=2V 求(1）U01=? (5 分)2)U04、已知：RC 振荡电路如下图所示 求： 1）fo 2）Rt 冷态电阻R=7.9KΩC=0.02η FR1=5KΩ3）指明 Rt 的温度特性（9 分）135、已知：电路如图 IQ=5mA R1=500Ω 求：输出电压 Uo （5 分）R2=0.4KΩ《模拟电子技术》模拟试题五 一、选择题（每空 2 分 共 30 分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ 必须（ ） ，它的稳压值 Uz 才有导通电流，否则处于（ C、大于 D、小于 ）型。 D、 （NPN） E、 （PNP） ）（ 、 ）（ 、 D、Ri 大 ） 。 E、波形不失真 ） ，此时应该（ E、减小 ）偏置 E、导通 A、正偏 B、反偏 电极分别是（ ）状态，但其两端电压 ）状态。F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个 ） ，该管是（ A、 （B、C、E） B、 （C、B、E） C、 （E、C、B） 3、对功率放大器的要求主要是（ A、U0 高 电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 5、差分放大电路是为了（ A、稳定Au A、压串负 A、1 C、交越失真 D、增大 ）而设置的。 C、抑制零点漂移 ） 。 ）倍。 C、压并负 C、314B、P0 大C、功率大4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B、放大信号 B、流串负 B、26、共集电极放大电路的负反馈组态是（7、差分放大电路 RE 上的直流电流 IEQ 近似等于单管集电极电流 ICQ（8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（ A、电压 A、U-≈U+ B、电流 B、I-≈I+≈0 C、串联 ）（ 、 ） 。 C、U0=Ui 9、分析运放的两个依据是（）负反馈。D、Au=1 ）载流子。 ）导电性。 ） 。 ） 。二、填空题（每空 1 分 共 32 分） 1、P 型半导体中空穴为（ 2、PN 结正偏时（ 3、反向电流是由（ 4、三极管是（ ）载流子，自由电子为（ ） ，反偏时（ ） ，所以 PN 结具有（ ）控制元件。 ） ，发射结压降 UBE（ ） ，集电结（ ）（ 、 ） 。 ）放大电路。）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）控制元件，场效应管是（5、当温度升高时，三极管的等电极电流 I（ 6、晶体三极管具有放大作用时，发射结（ 7、三极管放大电路共有三种组态（ 采用（ ）负反馈。 ）（ 、8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（ 9、负反馈放大电路和放大倍数 Af=（ 10、共模信号是大小（ 11、乙类互补功放存在（ 高频信号称高频（ ） ，极性（）负反馈，为了减小输出电阻 ） 。） ，对于深度负反馈 Af=（ ）的两个信号。）失真，可以利用（ ） 。）类互补功放来克服。 ） ，低频信号称为（ ） ，fa=（ ）网络。 ） 。 ）fβ 。 ）信号，12、用低频信号去改变高频信号的频率称为（ 13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路（14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（ 三、分析计算题（共 38 分） 1 、 已 知 ： 电 路 如 图 所 示 K=0.1V U1=3V15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（U2=-6V求 ： Uo=?(6 分 )152、已知：电路如图所示 Vcc=12V RB1=40k RE=1.65k UBEQ=0.7V C1=C2=20η FRB2=20k rbe=1.5KRc=RL=2k β =100CE=10η F （取小数点后一位） 求： 1）ICQ 2)UCEQ 3)Au 4)Ri 5)Ro (10 分)3、已知：电路如图所示 求： Uo=?(6 分)4、已知：RC 振荡电路如下图所示 求： 1）fo 2）Rt 冷态电阻R=7.9KΩC=0.02η FR1=5KΩ3）指明 Rt 的温度特性（9 分）5、已知：电路如图 IQ=5mA R1=500Ω 求：输出电压 Uo （7 分）R2=0.4KΩ16《模拟电子技术》模拟试题六 一、选择题（每空 2 分 共 30 分） 1、三端集成稳压器 CW7812 的输出电压是（ A、12V B、5V C、9V ） ，该管是（ ）型。 D、 （PNP） E、 （NPN） ） ） 失真， 下半周失真时为 （ ） 。2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是 2V、6V、2.7V，则三 个电极分别是（ A、 （B、C、E） 失真。 A、饱和 A、稳定 Au B、截止 C、交越 D、频率 C、抑制零点漂移 ）能力。 C、输出电阻低 ）之间变化。 ）而设置的。 B、 （C、B、E） C、 （E、C、B）3、 共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为 （4、差分放大电路是为了（B、放大信号5、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ A、放大差模抑制共模 A、0~20 A、0.45 A、U-≈U+ B、20~200 B、0.9 B、输入电阻高 C、200~1000 ）Uz ） 。 C、1.2 ） （ ） 。 C、U0=Ui ） （ ） （176、LM386 是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（ 7、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值 Uo=（ 8、当集成运放线性工作时，有两条分析依据（ B、I-≈I+≈0 9、对功率放大器的主要要求有（D、Au=1A、U0 高， B、P0 大 A、基本放大器 1、空穴为（ 型半导体。C、效率高D、Ri 大 E、波形不失真 C、干扰或噪声信号 ）载流子的杂质半导体称为 P ）反之称为（ ） ） ， ）10、振荡器的输出信号最初由（ B、选频网络）而来的。二 、填空题（每空 1 分 ，共 32 分） ）载流子。自由电子为（2、PN 结的 P 型侧接高电位，N 型侧接低电位称为（ 3、 由漂移形成的电流是反向电流， （ 它由 而与外电场（ 偏置状态。 5、晶体三极管的集电极电流 Ic=( ) 所以它是（ ） 。 4、稳定二极管稳压时是处于（） 栽流子形成， 其大小决定于 （）偏置状态，而二极管导通时是处于（ ）控制元件。 ) 。6、当温度升高时三极管的反向饱和电流 I CBO（ 7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（ 压，采用（ ）负反馈，为了提高输入电阻采用（ 8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（ 9、反馈导数 F=（ 11、OCL 电路是（ 高频信号称为（ 共射极电路高频特性（ 14、 振荡电路的平衡条件是 （ 三、分析计算题（共 38 分） 1、已知：电路如图所示 ） 。反馈深度是（ 10、差分放大电路能够抑制（）所以 Ic 也（ ）负反馈.。）负反馈。为稳定交流输出电 ）通频带（ ） 。 ）信号。 ）电源互补功放。 ） 、 ） 。共基极电路比 ）失真。）信号，放大（）电源互补功放，OTL 是（ ） 。 ） 。 ） ， （12、 用低频信号改变高频信号的相位称为 （） 低频信号称为 。 （13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（） 反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。 ） 。 2）15 在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（V1、V2 为理想二极管。求：1）哪只二极管导通18UAO=？（6 分） 2、已知：电路如图所示 Vcc=12V RB1=40k RE=1.65k UBEQ=0.7V C1=C2=20η F RB2=20k rbe=1.5K Rc=RL=2k β =100CE=10η F （取小数点后一位） 求：1）ICQ 2)UCEQ 3)Au 4)Ri 5)Ro (10 分)3、已知：电路如图所示 U1=1V U2=2V 求(1）U01=? (6 分)2)U04、已知：RC 振荡电路如下图所示 求： 1）fo 2）Rt 冷态电阻R=7.9KΩC=0.02η FR1=5KΩ3）指明 Rt 的温度特性（9 分）195、已知：电路如图 IQ=5mA R1=500Ω 求：输出电压 Uo （7 分）R2=0.4KΩ《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题（每空 2 分，共 34 分） 1、三端集成稳压器 CXX7805 的输出电压是（ A 5v B 9v C 12v ）2、测某电路中三极管各极电位分别是 0 V、-6V、0.2V 则三极管的三个电极分别是 （ ） ，该管是（ ） 。 C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) ）失真。共射极放大电路的A (E、C、B)B(C、B、E)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ 交流输出波形下半周失真时为（ A 饱和 B 截止 C 交越 ）失真。 D 频率4、差分放大电路是为了（ A 稳定 Au B 放大信号）而设置的。 C 抑制零点漂移 ） （ D ） （ Ri 大 ） E 波形不失真 ）变化。5、对功率放大器的主要要求有（ A Uo 高 B Po 大C 效率高6、LM386 是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（20A0-20B 20 -200C200-1000 )U2。7、单相桥式整流电容 A 0.45 B波电路输出电压平均在 Uo=( 0.9 C 1.2 ） （ D ） 。 Ri 大8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（ A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui ） （ ） （ D） 。 Au=19、对功率放大器的主要要求有（ A Uo 高 B Po 大C 效率高E 波形不失真10、振荡器的输出信号最初是由（ A 基本放大器 B 选频网络）而来的。 C 干扰或噪声信号二 、填空题（每空 1 分 ，共 32 分） 1、自由电子为（ 半导体。 2、PN 结的单向导电性，就是 PN 结正偏时（ 3、扩展运动形成的电流是（ ） ，反偏时（ ） 。 ） 。 ）载流子，空穴为（ ）载流子的杂质半导体称为（ ））电流，漂移运动形成的电流是（4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（ 结电阻为（ ） ，等效成开断。 ),所以它是（） ，等效成一条直线；当其反偏时，5、场效应管的漏极电流 ID=(）控制文件。 ） ，电流放大系数β （ ） 。6、当温度升高时三极管的集电极电流 IC（ 7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（ 采用（ ）负反馈。 ） ，但（）负反馈。为了稳定输出电流，8、负反馈使放大电路增益（ 9、 （）增益稳定性。 ),称为（ ） ，差分电路不抑制（ ）类互补功率（ ） 。 ）漂移。）称为负反馈深度，其中 F=( ） ，极性（10、差模信号是大小（11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（ 12、用低频信号去改变高频信号的（ 信号。 13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（ 性（ ） ，fδ =（ ）fβ21）失真。 ））称为调幅，高频信号称为（）共基极电路比共射极电路的高频特14 、 振 荡 电 路 的 平 衡 条 件 是 （ （ ） 。） 正反馈才能保证振荡电路的 ，15 半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（ 三、分析计算题（共 34 分） 1、已知电力如下图示：为理想二极管，试分析： ①二极管导通还是截止？②UA0=？（4分） 解：） 。2、已知电力如图示：Vcc=12V，RB=300KΩ ，RE=RL=2KΩ ， Rs=500Ω ， UBEQ≈0，C1=C2=30uF，rbe=1.5K，β=100，Us=10sinwt mV 求：① ICQ ② UCEQ ③ Au（取小数点后2位） ⑤ R0（10分） 解： ④ Ri3、具有电流源的差分电路如图所示，已知 UBEQ=0.7V，β=100，rbb=200Ω ，试求： （1）V1、V2 静态工作点 ICQ、UCQ； （2）差模电压放大倍数 Aud； （3）差模输入电阻 Rid 和输出电阻 RO； 分） （9224、电路如图所示，设 UCES=0 试回答下列问题： 分） （6 （1）ui=0 时，流过 RL 的电流有多大？ （2）若 V3、V4 中有一个接反，会出现什么后果？ （3）为保证输出波形不失真，输入信号 ui 的最大幅度为多少？管耗为多少？5、根据自激振荡的相位条件，判断下图能否产生振荡？如果能振荡， 求出 F0； 分） （523《模拟电子技术》模拟试题八 一、选择题（每空 2 分，共 30 分） 1、三端集成稳压器 CW7906 的输出电压是（ A -6V （ B -9v C -12v ）2、测得某电路中三极管各极电位分别是 3V、2.3V、12V 则三极管的三个电极分别是 ） ，该管是（ ）型。 C(B、E、C) ）失真。 D 频率 ）而设置的。 C 抑制零点漂移 ）能力。 C 输出电阻低 ）变化。 D(PNP) E(NPN) ）失真。共射极放大电路的 A (E、B、C) B(B、C、E)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ 交流输出波形下半周失真时为（ A 饱和 A 稳定 Au B 截止 B 放大信号 C 交越 4、差分放大电路是为了（5、KMCR 是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ A 放大差模抑制共模 A 0-20 B 20 -200 B 0.9 B 输入电阻高 C 200-1000 )U2。 ） 。 Au=1 E 波形不失真 C 1.2 ） （ D ） 。 Ri 大 6、LM386 是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（ 7、单相桥式整流电容 A 0.45 A U-=U+ A Uo 高 B 波电路输出电压平均在 Uo=(8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（ B I-=I+=0 Po 大 C Uo=Ui ） （ ） （ D C 效率高 9、对功率放大器的主要要求有（ 10、振荡器的输出信号最初是由（ A 基本放大器 1、PN 结正偏时（ 2、漂移电流是（ 而与外加电压（ 偏时，结电阻为（ 4、三极管是（ B 选频网络 ） ，反偏时（ ）电流，它由（ ） 。 二、填空题： （每空 1 分 共 40 分））而来的。 C 干扰或噪声 ） ，所以 PN 结具有（ ）导电性。 ）有关，）载流子形成，其大小与（3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ） ，等效成断开； ）控制元件，场效应管是（） ，等效成一条直线；当其反）控制元件。 ） ，集电结（ ） ，发射结压降（ ）（ 、 ）（ 、 ） 。 ） 。 ）放大电路。5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流 Ic（ 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（248、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（ 出电流采用（ 数AF=（ （ ）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（ ） 。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（ ）称为反馈深度。）负反馈，为了稳定交流输） ，对于深度负反馈放大电路的放大倍 ）BW，其中BW=（ ） ， ）信号， ）类互补11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（ 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（ 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（ 功率放大器。 13、OCL 电路是（ OTL 电路是（ ）电源互补功率放大电路； ）电源互补功率放大电路。 ）信号。 ）失真，而采用（14、 共集电极放大电路具有电压放大倍数 （ 15、 差分放大电路能够抑制 （ 电路中。 ） 漂移， （ 也称） 输入电阻 ， （ ） 输出电阻 ， （ ） 漂移， 所以它广泛应用于 （） ）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（ 是运载信息的工具，称为（ 三、分析计算题（共 30 分） 1、 分）由理想运放构成的小信号交流放大电路如图示： （4 求：①频带内电压放大倍数 Auf（取整数） ； ②截止频率 fL； ） 。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是 U0=（） ，未被调制的高频信号 ） ，电路符号是（ ） 。252、 分）已知：电路如图：t=0 时，Uc（0-）=0，Ui=0.1V。 （6 求：①U01②t=10s 时的 U0？3、 （10 分）已知：电路如图示：Vcc=12V，RB1=40K，RB2=20K，Rc=RL=2K， RE=1.65K，UBEQ=0.7V，C1=C2=20uf，rbe=1.5K，β =100，CE=10uf 求：① ICQ ② UCEQ ③ Au ④ Ri ⑤ R0（取小数点后 1 位）4、 分）已知：RC 振荡电路如下图，R=7.9KΩ ，C=0.02uF，RF=10K，求：①fo ② （6 R1 冷态电阻值；③ 指明 R1 的温度特性；265、 分）已知：电路如图示：IQ=5mA，R1=500Ω ，R2=1KΩ ； （4 求：输出电压 U0；《模拟电子技术》模拟试题九 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地” 。 （2） 电压负反馈稳定输出电压， 电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （ （ ） ） （ （ （10 分） ） ）（ 3 ） 使 输 入 量 减 小 的 反 馈 是 负 反 馈 ， 否 则 为 正 反 馈 。 （4） 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （5）利用两只 NPN 型管构成的复合管只能等效为 NPN 型管。 （ （ （ （ （ ） P 区 流 向 N 区 。 ） ） ） ） （10 分） ； 。（ 6 ） 本 征 半 导 体 温 度 升 高 后 两 种 载 流 子 浓 度 仍 然 相 等 。 （ 7 ） 未 加 外 部 电 压 时 ， PN 结 中 电 流 从（ 8 ） 集 成 运 放 在 开 环 情 况 下 一 定 工 作 在 非 线 性 区 。 （ 9 ） 只 要 引 入 正 反 馈 ， 电 路 就 会 产 生 正 弦 波 振 荡 。 （ 10 ） 直 流 稳 压 电 源 中 的 滤 波 电 路 是 低 通 滤 波 电 路 。 二、选择填空（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入27（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在 f ? f 0 ? （A）感性1 2 ? RC时呈 （C）容性 。。（B）阻性（3）通用型集成运放的输入级多采用（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法 （4）两个β 相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 （A）β （B）β2。 ； 。（C）2β（D）1+β（5）在（A）（B）（C）三种电路中输出电阻最小的电路是 、 、 既能放大电流，又能放大电压的电路是 （A）共基放大电路 。 （A） （A） & 大 （B） & （B） 小 （C） = （D）≤ 。 （C） 相等 （B）共集放大电路 （ 6 ） 当 NPN 型 晶 体 管 工 作 在 放 大 区 时 ， 各 极 电 位 关 系 为 uC uE （C）共射放大电路uB（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的三、 分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出 u0。 （5四、 （10 分）在图示电路中，已知晶体管静态时 B-E 间电压为 UBEQ，电流放大系数 为β ，B-E 间动态电阻为 rbe。填空： 静态时，IBQ 的表达式为 为 为 为 ， 输入电阻的 ，ICQ 的表达式 ， UCEQ 的 表 达 式 ；电压放大倍数的表达式 表达式28为 为 将? ， Au 将，输出电阻的表达式 ；若减小 RB ，则 ICQ 将 ，Ri 将 。 ，rbe五、 （10 分）在图示电路中，已知晶体管静态时 UBEQ=0.7V，电流放大系数为β =100， rbe=1 kΩ ，RB1=5 kΩ ，RB2=15 kΩ ，RE=2.3 kΩ ，RC=RL=3 kΩ ，VCC=12V。 （1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。? ? ? （2）估算信号源内阻为 RS=1kΩ 时， A us ? U 0 U S 的数值。六、 （10 分）在图示电路中，已知 VCC=12V，VEE=6V，恒流源电路 I=1 mA，RB1=RB2=1 kΩ ，RC1=RC2=10 kΩ ；两只晶体管特性完全相同， 且β 1=β 2=100，rbe1= rbe2=2 kΩ 。估算： （1）电路静态时 T1 和 T2 管的集电极电位； （2）电路的差模放大倍数 Ad、共 倍数 AC、输入电阻 Ri 和输出电阻 模放大 R029七、 分）在图示 OCL 电路中，已知 T1、T2 （5 管的 U CES ? 1V ，电源电压为±9V，负载电阻 RL=8 Ω ，试计算最大输出功率 Pom 及效率η 。八、 分）设图示各电路均引入了深度交流负反馈，试判断各电路引入了哪种组态的 （8 交流负反馈，并分别估算它们的电压放大倍数。30九、 分）在图示电路中，要求 RF =100 kΩ ，比例系数为 11，试求解 R、和 R ? 的阻 （6 值。十、 分）求解图示电路的运算关系式。 （6十一、 分）在图示文氏桥振荡电路中，已知 R1=10 kΩ ，R 和 C 的可调范围分别为 （9 1~100 kΩ 、0.001~1μ F。 （1）振荡频率的可调范围是多少？ （2）RF 的下限值为多少？十二、 分）在图示电路中，已知 W7806 的输出电压为 6V，R1=R2=R3=200 Ω ，试 （531求输出电压 U0 的调节范围。十三、 分）串联型稳压电路如图所示，T2 和 T3 管特性完全相同，T2 管基极电流 （6 可忽略不计，稳压管的稳定电压为 UZ。填空： 调整管为 电阻由 电路由 组成； 输出电压调节范围的表达式为 。 ，输出电压采 组成，基准电 组成，比较放大电 样 压 路32《模拟电子技术》模拟试题十 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 实 （ 引 负 零 入 反 点 直 馈 漂 流 负 越 移 反 深 就 馈 ， 是 可 电 静 以 路 态 稳 的 工 定 性 作 静 能 （ 点 （ （ （ 半 导 体 中 的 空 穴 带 （ P 型 半 导 体 带 正 电 ， N 现 运 算 电 路 不 一 定 （ 非 引 入 （ （ 二、选择填空 （10 分） ； 。 （D）交流负反馈 。0 0（10 分） ） 工 越 的 作 稳 漂 点 ） 定 ） 移 ） ） ） 正 电 ） ） 负 反 馈 ） ） 。 。 。 。 。只 要 满 足 相 位 平 衡 条 件 ， 电 路 就 会 产 生 正 弦 波 振 荡 。 态 （放 大 电 路 采 用 复 合 管 是 为 了 增 大 放 大 倍 数 和 输 入 电 阻 。 镜 像 电 流 源 电 路 中 两 只 晶 体 管 的 特 性 应 完 全 相 同 。型 半 导 体 带 负 电 。凡 是 引 入 正 反 馈 的 集 成 运 放 ， 一 定 工 作 在 非 线 性 区 。（1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 为了展宽频带，应在放大电路中引入 （A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈 （2）在桥式（文氏桥）RC 正弦波振荡电路中，0 0 0（A）φ A=-180 ，φ F=+180 （B）φ A=+180 ，φ F=+180 （C）φ A=0 ，φ F=00 （3）集成运放的互补输出级采用 （A）共基接法 （A）β 。 。 （B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法 （B）β2（4）两个β 相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 （C）2β33（D）1+β（5）在（A）（B）（C）三种电路中输入电阻最大的电路是 、 、 既能放大电流，又能放大电压的电路是 （A）共基放大电路 。 （B） （A） 大 & （C） （B） 小 = （D）≤ 。 （C） 相等 （B）共集放大电路 （ 6 ） 当 PNP 型 晶 体 管 工 作 在 放 大 区 时 ， 各 极 电 位 关 系 为 uC uE （A） & 。 （C）共射放大电路；uB（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的三、 分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出 u0。 （5四、 （10 分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表 所示，将每只管子所用材料（Si 或 Ge） 、类型（NPN 或 PNP）及管脚为哪个极（e、b 或 c）填入表内。 管 号 管 脚 电 位 （V） 材 料 ① ② ③ T1 0.7 0 5 T2 6.2 6 3 T3 3 10 3.7 名 称 类 型 号 电 极 ① ② ③ 管 T1 T2 T3五、 （10 分）在图示电路中，已知晶体管静态时 UBEQ=0.7V，电流放大系数为β =80， rbe=1.2 kΩ ，RB=500 kΩ ，RC=RL=5 kΩ ，VCC=12V。 （1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。34? ? ? （2）估算信号源内阻为 RS=1.2kΩ 时， A us ? U 0 U S 的数值。六、 （10 分）在图示电路中，已知 VCC=12V，VEE=6V，恒流源电路 I=1 mA，RB1=RB2=1 kΩ ，RC1=RC2=10 kΩ ；两只晶体管特性完全相同， 且β 1=β 2=100，rbe1= rbe2=2 kΩ 。估算： （1）电路静态时 T1 和 T2 管的集电极电位； （2）电路的差模放大倍数 Ad、共模放大倍数 AC、输入电阻 Ri 和输出电阻 R035七、 分）在图示 OCL 电路中，已知 T1、T2 管的 U CES ? 1V ，电源电压为±9V，负 （5 载电阻 RL=8 Ω ， 试计算最大输出功率 Pom 及效率η 。八、 分）设图示各电路均引入了深度交流负反馈，试判断各电路引入了哪种组态 （8 的交流负反馈，并分别估算它们的电压放大倍数。九、 分）在图示电路中，要求其输入电阻为 20 kΩ ，比例系数为-15，试求解 R、 （6 RF 和 R ? 的阻值。36十、 分）求解图示电路的运算关系式。 （6十一、 分）将图示电路合理连接，构成桥式（即文氏桥）正弦波振荡电路，并估算 （9 电路的振荡频率和 R1 的最大值。十二、 分） （5 在图示电路中， 已知 W7805 的输出电压为 5V， W=5mA， 1=1 I R kΩ ，R2=200 Ω 。试求输出电压 U0 的调节范围。37十三、 分）串联型稳压电路如图所示，稳压管 （6 定电压为 UZ。填空： 调整管为 组成， 基准电压电路由 大电路由 电压调节范围的表达式为 。 ， 输出电压采样电阻 组成， 比 组成；的 稳 由 较 放 输 出38《模拟电子技术》模拟试题十一 一、填空题（20 分，每空 1 分） 1．双极型三极管是 偏置，集电结需要加 器工作在 别为：Au1 是 器。 4． 在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极 Re 公共电阻对 号的放大作用无影响，对 KCMR＝ 。? A ? 200 1? j f 200控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加 偏置。场效应管是 区。 放大器，Au2 是 放大器，Au3 是 放大 信 控制器件。 区；在滞回比较器中，运算放大2． 在有源滤波器中，运算放大器工作在3． 在三极管多级放大电路中，已知 Au1＝20，Au2＝－10，Au3＝1，则可知其接法分信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比5． 设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 器，其通带放大倍数为 6． 如图所示的功率放大电路处于 路的最大输出功率为 倍。 ，截止频率为，则此滤波器为 。滤波 ；电类工作状态；其静态损耗为；每个晶体管的管耗为最大输出功率的二、基本题： （每题 5 分，共 25 分） 1．如图所示电路中 D 为理想元件，已知 ui = 5sinω tV ，试对应 ui 画出 uo 的波形图。392．测得电路中 NPN 型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态（截止、饱 和、放大） 。 3．已知 BJT 管子两个电极的电流如图所示。 求另一电极的电流， 说明管子的类型 （NPN 或 PNP）并在圆圈中画出管子。4．如图所示电路中，反馈元件 R7 构成级间负反馈，其组态为 其作用是使输入电阻 、放大电路的通频带变 。；40三、如图所示电路中，β ＝100， rb b ? ? 100 ? ，试计算：(15 分) 1．放大电路的静态工作点； 分） （6 2．画出放大电路的微变等效电路； 分） （3 3．求电压放大倍数 Au、输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro； 分） （6四、 判断如图所示电路中引入了何种反馈， 并在深度负反馈条件下计算闭环放大倍数。 （9 分）41五、电路如图所示。试用相位条件判断下面的电路能否振荡，将不能振荡的电路加以 改正。 （6 分）六、用理想运放组成的电压比较器如图所示。已知稳压管的正向导通压降 UD =0.7V ， UZ = 5V。 1．试求比较器的电压传输特性； 2．若 ui =6sinω tV，UR 为方波如图所示，试画出 uo 的波形。 （10 分）42七、理想运放电路如图所示，设电位器动臂到地的电阻为 KRW，0≤K≤1。试求该电 路电压增益的调节范围。 (10 分)八、一串联型稳压电路如图所示。已知误差放大器的 Au &&1，稳压管的 Uz ＝6V，负 载 RL＝20Ω 。 1．试标出误差放大器的同相、反相端； 2．说明电路由哪几部分组成？ 3．求 Uo 的调整范围； （10 分）43《模拟电子技术》模拟试题十二 一、填空题（每空 1 分，共 15 分） 1. N 型半导体中多数载流子是lllllll，P 型半导体中多数载流子是ll lllll，PN 结具有lllllll特性。 2. 发射结lllllll偏置，集电结lllllll偏置，则三极管处于饱和 状态。 3. 当 Ucs=0 时，漏源之间存在导电沟道的称为lllllll型场效应管，漏源 之间不存在导电沟道的称为lllllll型场效应管。 4. 两级放大电路的第一级电压放大倍数为 100， 即电压增益为llllllldB， 第二级电压增益为 26dB，则两级总电压增益为llllllldB。 5. 差分电路的两个输入端电压分别为 Ui1=2.00V， Ui2=1.98V， 则该电路的差模输 入电压 Uid 为lllllllV，共模输入电压 Uic 为lllllllV。 6. 集成运算放大器在比例运算电路中工作在lllllll区，在比较器中工作 在lllllll区。 7. 在放大电路中为了提高输入电阻应引入lllllll负反馈，为了降低输出 电阻应引入lllllll负反馈。 二、选择题（每题 2 分，共 20 分） 1、一个平衡 PN 结，用导线将 P 区和 N 区连起来，而导线中（ A、有微弱电流 A、增加 A、多数载流子 Ａ、强 Ｂ、弱 B、无电流 B、下降 C、有瞬间微弱电流 ） 。 C、不变 ）组成的。 C、多数载流子和少数载流子 ） 。 2、晶体管在大电流工作时，随 Ic 的增加β 值将（ 3、三极管的反向电流 ICBO 是由（ ） 。B、少数载流子 Ｃ、一般 ）特点。4、放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（ ５、射极跟随器具有（ Ａ、电流放大倍数高Ｂ、电压放大倍数高Ｃ、电压放大倍数近似于１且小于１输入电阻高，输出电阻低 ６、引入并联负反馈，可使放大器的（ Ａ、输出电压稳定 ） 。 Ｃ、反馈环内输入电阻减Ｂ、反馈环内输入电阻增加44小 ７、直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的（ Ａ、好 Ｂ、差 Ｃ、相同 ）状态。 Ｃ、闭环 ） 。 C、AF=1 ） 。 Ｃ、示波器、 Ｂ、开环 ８、工作在线性区的运算放大器应置于（ Ａ、深度反馈 ９、产生正弦波自激震荡的稳定条件是（ A、引入正反馈 Ａ、交流毫伏表 B、|AF|≥1 ） 。10、测量脉冲电压（例如尖脉冲）的峰值应使用（ Ｂ、直流电压表三、二极管电路如图 A.1 所示，设各二极管均具有理想特性，试判断图中各二极管是 导通还是截止，并求出 UAO（每题 5 分，共 10 分）图A.1四、指出图 A.2 所示各放大电路的名称，并画出它们的交流电路（图中电容对交流呈 现短路） 。 （每小题 4 分，共 12 分）(a) 图 A-2(b)(c)45五、判断图 18-29 所示电路能否产生自激震荡；若能产生震荡，试写出震荡频率 fo 的 表达式，设 CB 对谐振频率 fo 的容抗可不计。 分） （7图 18-29 六、三极管放大电路如图 A.4 所示，已知三极管的 UBEQ=0.7V，β =100，各电容在工作 频率上的容抗可不计。 ）求静态工作点 ICQ、UCEQ； （！ （2）画出放大电路的微变等效电 路； （3）求电压放大倍数 Au=uo/ui； （4）求输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro（16 分）七、对图 18-25 的 OCL 电路，解答下列问题： （每题 2 分，共 8 分） 1）VD1、VD2 两个二极管可否反接于电路中？ 答： 2）V1、V2 两晶体管工作在哪种状态？ 答： 3）若 V1、V2 的饱和压降 UCES1 =UCES2 =2V，RL =8Ω ，求该电路的最大不失真功率 Pom。 答：464）若电源提供的总功率 PE=16.3W，求每管的最大管耗 PV1 ，PV2。 答：图 18-25 八、运算电路如图 A.6 所示，设各集成运放均具有理想特性，试求各电路输出电压 uo 的大 小或表达式。 （每题 4 分，共 12 分）47试题一答案 一、填空（每空 1 分 1、导通 2、反向 3、零 4、电流 5、正偏 6、增加 7、共射极 8、直流 9、A/1+AF 10、1+AF 11、共模 12、交越 13、双 15、零点 16、调幅 17、KUxUy 二、选择题（每空 2 分 1、B 5、C C F 6、A 共 30 分） 2、C 7、 B D 3、B 8、A 2）UA0=-4V 2） AU=0.99 3） Ri=122k 4) Ro=20 C E 4、B 9、 A E B 截止 少数 无穷大 电压 反偏 减小 共集电极 电流 1/F fH CfL 差模 甲乙 单 大 集成 小 温度 1+AF 共基极 共 40 分） 单向 温度 无关14、小于近似等于 1 载波信号三、分析与计算题（共 30 分） 4分 1、1）二极管 V 截止 10 分 Ω 6分 6分 4 分 3、1）ICQ1=0.5mA UCEQ1=6V 2、 ICQ=2.4mA 1） UCEQ=7.2V4、 1）ui=0 时，RL 电流为零 3）Uim=12V 5、 1）能振荡2） V3、V4 有一个反接电路不能工作 4)Pcl=[Vcc2(4-3.14)]/(4*3.14RL)=0.099W 2）fo=280KHZ48试题二答案 一、填空（每空 1 分 1、多数 2、导通 3、少数 4、电流 5、增加 6、正偏 7、共射极 8、直流 9、A/1+AF 10、相等 11、交越 12、调频 13、好 14、正反馈 15、√2U2 二、选择题（每空 2 分 1、A 6、B 2、C 7、C E 共 30 分） 3、B 8、A A B 4、C 9、B C E 5、A 10、C 少数 截止 温度 电压 减小 反偏 共集电极 电压 1/F 相同 甲乙 调制 1+β 高频载波 共基极 单向 无关 共 32 分）三、分析与计算题（共 38 分） 1、1）-100 2、1）1.1V 3、1）2mA 4、1）1KHz 5、 UO=20V 2）160Hz 2）1.1V 2) 4.7V 3)-66.7 3）正温度导数 4）1.4KΩ 5）2KΩ2）5Ω49试题三答案 一、填空（每空 1 分 1、多数 2、正偏 3、少数 4、反向 5、β 6、增加 7、直流 8、扩展 9、Xf/Xo 10、共模 11、双 12、调相 13、下降 14、AF=1 15、√2U2 二、选择题（每空 2 分 1、A 6、B 2、C 7、C D 共 34 分） 3、B 8、A A B 4、C 9、B C E 5、B 10、C C E 少数 反偏 温度 正向 电流 也增加 电压 减少 1+AF 差模 单 调制 好 正 载波 串联 无关 共 32 分）三、分析与计算题（共 34 分） 5分 10 分 5分 9分 5分 1、5V 2、1）2mA 3、UO=20V 4、1）fo=1KHz 5、11V 2）Rt=10K 3）负温度系数 2) 4.7V 3) -66.7 4）1.4KΩ 5）2KΩ50试题四答案 一、填空（每空 1 分 1、多数 2、导通 3、正向 4、零 5、gmugs 6、增加 7、串联 8、下降 9、 (1+AF) 10、相等 11、乙类 12、幅度 13、下降 14、AF=1 15、√2U2 二、选择题（每空 2 分 1、A 6、B 2、C 7、C E 共 34 分） 3、B 8、A A B 4、C 9、B C E 5、 A 10、C 少数 截止 反向 无穷大 电压 增加 电流 提高 Xf/Xo 相反 交越 载波 好 1+β 反馈系数 温度 共 32 分）相位平衡条件三、分析与计算题（共 34 分） 5分 10 分 5分 9分 5分 1、1）V2 导通 2、1）2mA 3、1）1V 4、1）1KHz 5、 14V 6V 2）20KΩ 3）正温度系数 2）UAO=-5V 2) 4.7V 3)-66.7 4）1.4KΩ 5）2KΩ51试题五答案 一、选择题（每空 2 分 1、 B C C F 2、 C 7、 B 共 32 分） 共 30 分） D 3、 B C 8、A E 4、 B E 9、 A B 5、6、A二、填空（每空 1 分 1、多数 2、导通 3、少数 4、电流 5、增加 6、正偏 7、共射极 8、直流 9、A/1+AF 10、相等 11、交越 12、调频 13、好 14、正反馈 15、√2U2 少数 截止 温度 电压 减小 反偏 共集电极 电压 1/F 相同 甲乙 调制 1+β单向 无关共基极高频载波三、分析与计算题（共 38 分） 6分 10 分 6分 9分 7分 1、5V 2、1）2mA 3、UO=20V 4、1）fo=1KHz 5、11V 2）Rt=10K 3）负温度系数 2) 4.7V 3) -66.7 4）1.4KΩ 5）2KΩ52试题六答案 一、选择题（每空 2 分 1、A 6、B 2、C 7、C E 共 30 分） 3、B 8、A 共 32 分） A B 4、C 9、B C E 5、A 10、C二、填空（每空 1 分 1、多数 2、正偏 3、少数 4、反向 5、β 6、增加 7、直流 8、扩展 9、Xf/Xo 10、共模 11、双 12、调相 13、下降 14、AF=1 15、√2U2 少数 反偏 温度 正向 电流 也增加 电压 减少 1+AF 差模 单 调制 好 正无关串联载波三、分析与计算题（共 38 分） 6分 10 分 6分 9分 7分 1、1）V2 导通 2、1）2mA 3、1）1V 4、1）1KHz 5、 14V 6V 2）20KΩ 3）正温度系数 2）UAO=-5V 2) 4.7V 3)-66.7 4）1.4KΩ 5）2KΩ53试题七答案 一、选择题（每空 2 分 1、A 6、B 2、C 7、C D 共 34 分） 3、B 8、A A B 4、C 9、B C E 5、B 10、C C E二、填空题（每空 1 分 1、多数 2、导通 3、正向 4、零 5、gmugs 6、增加 7、串联 8、下降 9、 (1+AF) 10、相等 11、乙类 12、幅度 13、下降 14、AF=1 少数 截止 反向 无穷大 电压 增加 电流 提高 Xf/Xo 相反 交越 载波 好共 32 分）反馈系数 温度1+β相位平衡条件15、√2U2 三、分析与计算题（共 34 分） 4分 1、1）二极管 V 截止 2）UA0=-4V 10 分 9分 2、1）ICQ=2.4mA UCEQ=7.2V 2）AU=0.99 3）Ri=122k 3、1）ICQ1=0.5mA UCEQ1=6V 4) Ro=20Ω6分 4、 1）ui=0 时，RL 电流为零 2） V3、V4 有一个反接电路不能工作 3）Uim=12V 4)Pcl=[Vcc2(4-3.14)]/(4*3.14RL)=0.099W 5分 5、 1）能振荡 2）fo=280KHZ54试题八答案 一、选择题（每空 2 分 1、A 6、B 2、C 7、C E 共 30 分） 3、B 8、A 共 40 分） 单向 温度 无关 A B 4、C 9、B C E 5、 A 10、C二、填空（每空 1 分 1、导通 2、反向 3、零 4、电流 5、正偏 6、增加 7、共射极 8、直流 9、A/1+AF 10、1+AF 11、共模 12、交越 13、双 15、零点 16、调幅 17、KUxUy 截止 少数 无穷大 电压 反偏 减小共集电极 电流 1/F fH CfL 差模 甲乙 单共基极1+AF14、小于近似等于 1 温度 载波信号大 集成小三、分析与计算题（共 30 分） （4 分） 1、1）-100 （6 分） 2、1）1.1V （10 分）3、1）2mA （6 分） 4、1）1KHz （4 分） 5、 UO=20V 2）160Hz 2）1.1V 2 ) 4.7V 2）5Ω 3)-66.7 4）1.4KΩ 5）2KΩ3）正温度导数55试题九答案 一、 （1）×（2）√（3）×（4）√（5） √ （6）√（7）×（8）√（9）×（10）√ 二、 （1）B、C（2）B（3）D（4）B（5）B、C （6）A、A（7）A 三、二极管 D 导通，-3V 四、 I BQ ?V CC ? U RBBEQ? ； I CQ ? ? I BQ ； U CEQ ? V CC ? I CQ R C ； A u ? ?? ?R L rbe；R i ? R B // rbe； R 0 ? R C ；增大；减小；减小；减小五、3V；1mA；10ц A；6.7V；-150；0.79kΩ ；-66.7 六、7V；-333；0；6 kΩ ；20 kΩ 七、4W；5.7W；70% 八、 （a）电压并联负反馈；-R2/R1 九、10 kΩ ；9 kΩ 十、 u 0 ? ?R2 R1 u I 1 ? (1 ? R2 R1 )u I 2（b）电压串联负反馈；1+R2/R1十一、1.6HZ―160kHZ；20 kΩ 十二、9V；8V 十三、T1 ；R1、R2、R3；R、DZ；T2、T3、RE、RC；R1 ? R 2 ? R 3 R2 ? R3 UZ?U0?R1 ? R 2 ? R 3 R3UZ56试题十答案 一、 （1）×（2）√（3）×（4）√（5） √ （6）√（7）√（8）×（9）×（10）× 二、 （1）A、D（2）C（3）B（4）B（5）B、C （6）B、B（7）A 三、二极管 D 截止，-6V 四、 管 号 管 脚 电 位 （V） 材 料 Si Ge Si ① ② ③ T1 0.7 0 5 T2 6.2 6 3 T3 3 10 3.7 名 称 类 型 NPN PNP NPN 号 电 极 ① ② ③ 管 T1 B E C E B C T2 E C B T3五、22.6ц A；1.8mA；3V； -167；1.2kΩ ；5 kΩ ；-83.5 六、7V；-333；0；6 kΩ ；20 kΩ 七、4W；5.7W；70% 八、 （a）电压串联负反馈；1+R2/R1 九、20 kΩ ；300kΩ ;18.75 kΩ 十、 u 0 ? u I 1 ?R2 R1 uI2（b）电压并联负反馈；-R2/R1十一、 160 HZ；50 kΩ十二、5V--35V十三、T ；R1、R2、R3；R、DZ；A；R1 ? R 2 ? R 3 R2 ? R3UZ?U0?R1 ? R 2 ? R 3 R3UZ57试题十一答案 一、 1．电流、正向、反向；电压。 2．线性、非线性。 3．共基、共射、共集。A od4．差模、共模、 A oc 。 5．低通、200、200。V CC26．乙类、0、 2 R L 、0.2。 二、2．放大状态。 4．电压－串联、增大、宽。 三、 1．I BQ ? 22 ? A I CQ ? 2 . 2 mA U CEQ ? 3 . 2V2．? ? R C // R L ? Au ? ? ? 115 rbeR i ? R b 1 // R b 2 // rbe ? rbe ? 1 . 3 k ? Ro ? RC ? 3K?四、反馈组态为：电压－串联负反馈R2 1 ? A uf ? ?1? ? R1 F58五、该放大电路为共基接法，根据瞬时极性法可知引入了负反馈，不能振荡。 更正：将变压器副边的同名端标在“地”的位置即可。 六、 1．U TH ? ? R1 R2 UR? ?2 3UR当 u i ? 0 时， U R ＝－ 6 V ， U TH ＝ 4 V ； 当 u i ? 0 时， U R ＝ 6 V ， U TH ＝ ? 4 V ；七、运放构成差动输入形式，反相端输入为 UI，同相端输入 U I? ? 0 ~ U I 。Uo? ?Rf R1UI? (1 ?Rf R1)U?I? ?Rf R1UI~UI八、 1．误差放大器的同相在下方、反相端在上方。 2．电路由四个部分构成： （1）由 R1、R2 和 RW 构成的取样电路； （2）由运放构成 负反馈误差放大器； （3）由 R 和 DW 构成基准电压电路； （4）由 T1 和 T2 复合管构成 调整管。 3．Uo?R1 ? R 2 ? R w Rw ? ? R2UZ?R1 ? R 2 ? R w R2UZ~R1 ? R 2 ? R w Rw ? R2UZ? 15 ~ 10 V59试题十二答案 一 填空题 1．自由电子 空穴 单向导电 2．正向 正向 3．耗尽 增强 4．20 46 5．0.1 1.99 6．线性放大 非线性 7，串联 电压 二 选择题 1． b)； 2． b)； 3．b)； ６． c)； ７． a)； ８ a)； 三 (a) Uao=15V (b)Uao=－6V 四 （a）共集电极放大电路+ RSB４．a)； ９．C） ；５．c)； １０．c)；ui + -RERL+ u0 -uSBRBB(b)共基极放大电路+ Rs + uS + ui RE RC RLu0(c)共源极放大电路60+ + ui RG1 -RS +RG3 RG2RDRLu-0us-五 答：能产生振荡 f0= 六 (1) (2) ICQ=2.2mA UCEQ=2.1V1 2 ??????∏ c ( L 1 ? L 2 ? 2 M )M 为Ｌ１和Ｌ２ 互感系数。+rb1iibic+ RLu-RB1R02? ibuRC -0(3) 七Au ? C100 (4) Ri ? 1.5KRR0 ? 3KR1） 不可以，否则 V1 和 V2 间直流开路，电路不能工作。 2） V1 和 V2 共集电极组态。 3） Pom ? 6.7W 4) PV1 = PV2 =3.3W八 (a) U0 =5V (b) U0 =－12.75V(c) U0 =61Ui 2
更多相关文档}