高二物理桥式电路分析问题

点击联系发帖人 时间：2020-03-11 16:45

高二物理桥式电路

SiC MOSFET桥式高二物理桥式电路串扰问题汾析及抑制方法研究

SiC MOSFET桥式高二物理桥式电路串扰问题分析及抑制方法研究

： SiC功率器件以其开关速度快通态电阻小，结温高等特点得到广泛应用然而，随着开关频率的提高寄生参数对器件开关特性的影响越来越明显，造成器件的开关损耗增加电压电流应力增大，还会影响变换器工作的稳定性同时，高频桥式高二物理桥式电路中的串扰问题也更加严重本文针对SiC MOSFET桥式高二物理桥式电路的串扰问题，分析寄生参数对串扰造成的SiC

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桥式高二物理桥式电路是,在一个囿各种元器件(如:四个电阻或是四个二极管)组成的四边形高二物理桥式电路中,其中对角的为一对输入端,而另外一对角为一输出端的高二物理橋式电路就是一桥式高二物理桥式电路.当为电阻时它可以提高精度,当为二极管时它用于整流.等等.

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