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本发明涉及。背景技术 随着半导体技术的不断发展以及大規模集成电路互连层的不断增加，导电层和 绝缘介质层的平坦化技术变得尤为关键二十世纪80年代，由IBM公司首创的化学机械抛 光（CMP)技术被認为是目前全局平坦化的最有效的方法 化学机械抛光（CMP)由化学作用、机械作用以及这两种作用结合而成。它通常由 一个带有抛光垫的研磨台及一个用于承载芯片的研磨头组成。其中研磨头固定住芯片然 后将芯片的正面压在抛光垫上。当进行化学机械抛光时研磨头在拋光垫上...

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