实现Ice raidss技术

方向阵列相对比较简单,对第一个特征的参考使用也没什么要求.属于真正的傻瓜式操作.确定方向可以是任何直线元或平面.下图是使用平面(法向

方向阵列有点类似是几何级别嘚特征.阵列的实例可以说是抛弃了所有和父特征的父子关系,完全忠实的把第一特征的几何进行阵列.比如下图,当选一个斜面作为阵列的参考時,柱子离开了实体表面”悬空”了.也就是说作为父特征的实体表面已经没用了.

所谓的轴向阵列就是把导引特征绕指定的轴作圆周阵列.轴向陣列和方向阵列也有点类似,也是比较接近几何级别上的特征.对于第一特征的参考基本不作要求.

轴向阵列的参考必须是基准轴.而且这个基准軸必须是在导引特征(也就是第一特征)创建之前创立的.

填充阵列就是把指定的特征在指定的区域内按指定的间距进行填充式的阵列.不过因为區域的特殊性,这里指定的间距只是个参考值,实际出来的结果会有所偏差,这点在使用填充式阵列的时候要注意.

填充阵列首先要指定或草绘一個区域.如下图

当区域曲线选好或创建好之后,你就可以设定fill阵列的各项内容了.你可以设定的内容有:

排布形式,阵列间距,留边间距,径向角度,径向間距等等.

间距是指两个相邻实例之间的距离,不过阵列出来的实际距离和输入的标称值一般有差异.

留边距离,是指最外圈的实例中心到曲域的朂小边界距离.

径向角度是对圆形阵列是的角度增量.径向距离也是圆形阵列的径向间距.

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