这个配置为什么玩风暴英雄只有40帧左右?_百度知道
这个配置为什么玩风暴英雄只有40帧左右?
照理说和推荐配置也差不多了,为什么效果开全中FPS还是只有40+左右,反倒我的笔记本却能开到高也有60帧,配置见图片,谢谢!
我朋友同样是550ti +了个I3就很流畅 这是为什么
我有更好的答案
暴英雄的最低配置：操作系统：15GB显卡550ti比8800GT稍稍好一点：ATI Radeon 3870：Windows 7处理器:Core 2 Duo 2.4 GHz或Althon X2 2.7 GHz内存、Nvidia GeForce 8800 GT或更高硬盘空间:2GB显卡
550ti比8800不止稍稍好一点吧,还有一点就是我朋友的机器i3 ti玩起来全局设置高都很流畅.另外..以前32位WIN7反倒可以60fps,换了64位才遇到40+fps的问题...
这个情况的话是不是考虑看一下显卡驱动和兼容性的问题？我自己的笔电也只是i3 6G GF610M 同样64位 中等画质不低于50帧
显卡驱动肯定是没问题的,都是geforce experience升级后最新的版本.难道是CPU的问题? 过几天我先去换一个A8 3870K试试
采纳率：94%
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色情、暴力
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我玩风暴英雄，fps过低，网上说让关垂直同步，但我找了半天找不到啊？我win10~
我有更好的答案
要关掉那些光影特效
那个才是最吃帧的
垂直同步开了关了
反正我是没感觉到什么帧数变化
采纳率：50%
fps太低关了垂直同步一样卡
一般游戏中有关闭垂直同步功能，显卡驱动管理器也可以关
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风暴英雄FPS低问题是什么原因
游戏卡顿如何解决
08:54 作者：Lily
搜索"8090网页游戏"
　　风暴英雄FPS低问题是什么原因?游戏卡顿如何解决?下试过了N多方法比如32位、关垂直同步、调N卡设置等等方法都不好用怎么办，下面就由小编带大家一起来了解一下吧。
　　根据玩家亲测装了鲁大师的电脑有限温，所以可以尝试把鲁大师给卸载掉试试。如果没有装的话，可以把游戏都选成N卡，不要用集成显卡，另外电源方案别用节能。
　　因为这个游戏比较吃CPU，下个CPU锁频的软件也可以解决，或者把游戏里面关于CPU的效果都调低。
　　以上就是关于风暴英雄FPS低问题的解决方法，希望能给大家带来帮助，更多精彩游戏攻略，请锁定8090平台。
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不应该吧。。。13表示中等画质。。。70度左右
分辨率低一点
没买care的话都不敢玩久了吧。。
不是叫暴雪英霸？
最高是还叫高
登录百度帐号推荐应用作者：Nina&br&链接：&a href=&/p/& class=&internal&&&span class=&invisible&&https://&/span&&span class=&visible&&/p/25&/span&&span class=&invisible&&288609&/span&&span class=&ellipsis&&&/span&&/a&&br&来源：知乎&br&著作权归作者所有。商业转载请联系作者获得授权，非商业转载请注明出处。&br&&br&&p&在过去的五十年内，半导体技术基本上按照摩尔定律发展，但如何让用户在应用层能够充分发挥海量晶体管的计算能力，这对半导体集成电路的计算结构设计提出了更大的挑战。随着机器学习和智能技术的不断发展，基于深度学习神经网络的智能计算对计算效率提出了更大的需求。&/p&&p&今天，摩尔精英团队有幸邀请到复旦大学王伶俐教授来摩尔直播做客，与大家一起直播探讨智能时代的计算结构。&/p&&p&【分享主题】智能时代的计算结构探讨&/p&&p&【分享时间】日20:00（北京时间）&/p&&p&【分享平台】摩尔直播APP&/p&&p&【分享大纲】&/p&&p&&b&1.
引言：&/b&&b&超算划算吗？&/b&&/p&&p&&b&2.
&/b&&b&已有的芯片结构比较：&/b&&b&CPU/DSP/GPU/FPGA&/b&&/p&&p&&b&3.
&/b&&b&智能芯片的计算结构探讨&/b&&/p&&p&1)
国内外现状&/p&&p&2)
CNN高效能结构&/p&&p&3)
DPM目标检测的高效能结构&/p&&p&4)
面向图像识别的CGRA结构&/p&&p&&b&4.
Q&A&/b&&/p&&p&【嘉宾简介】&/p&&p&
王伶俐，复旦大学教授，博士生导师，上海市浦江人才，IEEE Council on Electronic Design Automation (CEDA) Shanghai Chapter主席。1998年4月去英国攻读博士，2001年2月开始在Altera公司（现被Intel收购）欧洲研发中心从事FPGA研发。2005年4月人才引进到复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室工作至今。主要从事高效能芯片结构及其嵌入式系统的教学、研究和应用加速。共发表学术论文100余篇，其中被SCI/EI检索80余篇。2014年至今担任International Conference on Field
Programmable Technology国际会议指导委员会成员。
&br&&/p&&p&【如何观看】&/p&&p&1、扫描下方二维码，关注公众号；&/p&&p&2、点击首条消息，报名活动；&/p&&p&3、下载APP，使用已报名手机号登录；&/p&&figure&&img src=&/50/v2-4e5a04c2d577b257c0dd0d5f4af541d9_b.png& data-rawwidth=&750& data-rawheight=&1334& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&750& data-original=&/50/v2-4e5a04c2d577b257c0dd0d5f4af541d9_r.png&&&/figure&&p&感谢大家长期以来对摩尔精英和摩尔直播的支持，2017年，我们将继续邀请重量级名企高管、名校学者、技术大咖为大家带来思想的碰撞。&/p&&p&为了能让大家更好的交流，我们建立了摩尔直播学习群，希望大家能在2017年结交更多志同道合的朋友。&/p&&p&摩尔直播学习群，群主微信号：moore-nina&/p&&p&（加群主，注明：姓名+单位+职业）&/p&
作者：Nina 链接： 来源：知乎 著作权归作者所有。商业转载请联系作者获得授权，非商业转载请注明出处。 在过去的五十年内，半导体技术基本上按照摩尔定律发展，但如何让用户在应用层能够充分发挥海量晶体管的计算能力，这对半导体集成…
这个问题里面的很多答案都是一两年前的，Type C尚未流行，很多分析显得有点过时；不才在下，站在今天的实际应用角度来个马后炮分析。&br&&br&首先给出&b&结论&/b&&br&&blockquote&1.&b&苹果Lightning接口已经落后过时&/b&，但是把一个从iPhone 5时代做到今天的标准，跟最新的还在不断修订完善中的USB Type C作比较，确实&b&有失公平&/b&。&br&&br&2.苹果在Lightning接口已经落后过时的情况下，依然坚持使用，是&b&对消费者的不仁不义&/b&。&/blockquote&&br&关于这两个接口的比较，我将从下面几个点作分析，同时第一句给出结论，没空看长篇大论的各位，看完第一句就可以直奔下一点。&br&&br&&br&&ul&&li&&b&成本&/b&&/li&&/ul&&br&&blockquote&结论：苹果Lightning数据线的成本远超USB Type C，不利于技术扩散和技术红利&/blockquote&&br&正常的苹果Lightning数据线（USB 2.0+2.4A电流承载能力），去除MFI认证芯片，其实整体成本，大概跟一条好点老款USB Micro B数据线差不多（本来除了接头都是通用的），撑死&b&5块钱左右的RMB&/b&；&br&&br&&figure&&img src=&/73d41fb1bd129e3e27e7bf7_b.jpg& data-rawwidth=&480& data-rawheight=&360& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&480& data-original=&/73d41fb1bd129e3e27e7bf7_r.jpg&&&/figure&&br&▲ 但是动辄3~4美刀的正版你果MFI认证芯片可就要了亲命了，这个贵die的狗芯片其实在今天毫无卵用，这一点下面会讲到。&br&&br&而USB Type C&br&&br&如果是USB 2.0+2A承载通过能力，大概成本也就&b&个位数的RMB&/b&；&br&如果是USB 3.1+3A承载通过能力，则成本飙升两三倍到&b&10+RMB。&/b&&br&&br&两三倍的成本，自然3A的Type C数据线可以提供比全世界任何Lightning数据线都要强得多的品质；&br&&br&&figure&&img src=&/9efdbecadb9e0e_b.jpg& data-rawwidth=&3972& data-rawheight=&2004& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&3972& data-original=&/9efdbecadb9e0e_r.jpg&&&/figure&▲ 3A的Type C数据线销售价格除了贝尔金这种捞钱狂魔，国产都是49（淘宝厂货29.9出货也多得是）&br&&br&&figure&&img src=&/bc9d42ca9181a31ebc7e_b.jpg& data-rawwidth=&3820& data-rawheight=&2044& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&3820& data-original=&/bc9d42ca9181a31ebc7e_r.jpg&&&/figure&▲ 但是一条像点样子的Lightning数据线随便卖50~200 RMB&br&&br&所以，没有对比就没有伤害，Lightning=坑钱=黑心&br&任何给Lightning成本洗地的都是斯德哥尔摩综合症。&br&&br&&br&&ul&&li&&b&MFI与E-Mark芯片&/b&&/li&&/ul&&br&&br&&blockquote&结论：MFi毫无卵用，E-Mark芯片带领我们走向新时代！&/blockquote&&br&啥是MFi？&br&&blockquote&“MFi”是一个缩写，全称是：made for iPhone“made for iPod” “made for
iPad”，是Apple 根据苹果iPhone、iPod和iPad的周边产品所制定的一种发展计划与授权认证&/blockquote&&figure&&img src=&/7c0bbcf7059_b.png& data-rawwidth=&640& data-rawheight=&390& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&640& data-original=&/7c0bbcf7059_r.png&&&/figure&&br&一派胡言，啊，一派胡言！&br&&figure&&img src=&/f8ddf51d92a85fd7c3051_b.jpg& data-rawwidth=&150& data-rawheight=&150& class=&content_image& width=&150&&&/figure&&br&所谓MFI认证的这4个优势，「符合苹果设计风格」？呵呵，我见过山寨风的MFI垃圾线不要太多&br&&br&「产品质量更有保障」，喷了，你一个USB 2.0+2A的破数据线要啥质量保障？&br&&br&说得难听点，随着智能机行业的爆发，山寨厂设备的更新换代——山寨垃圾线的素质也在不断提高（毕竟除了接头，Micro B/Lightning/Type C数据线其他部分都可以复用），一个2A的破线有多难做？你这是瞧不起我国山寨厂咯？&br&&figure&&img src=&/5b1f05224ced24534aadbe3e_b.jpg& data-rawwidth=&222& data-rawheight=&220& class=&content_image& width=&222&&&/figure&所以我并不觉得大部分山寨苹果数据线的素质，就比弱鸡USB 2.0+2A、动不动外皮烂掉的原装Lightning差到哪里去。&br&&br&如果一定要扯安全素质，我只能说Lightning的整体安全素质，跟Type C比起来弱到姥姥家了。&br&&figure&&img src=&/a1bace5cc7d57cd_b.jpg& data-rawwidth=&3820& data-rawheight=&2204& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&3820& data-original=&/a1bace5cc7d57cd_r.jpg&&&/figure&▲ 你随便买个华为、魅族、乐视之类的品牌原装Type C数据线，单从短路、高温等防护措施的数量上来看，比苹果原装Lightning就是大人和婴儿的区别。&br&&br&「可信保障」......这就是明着面告诉我们：爸爸要收你们的智商税啦......&br&&br&再回过头看第一点「完美兼容苹果智能设备」，这才是最关键的！&br&&br&无关任何技术，无关任何安全，就是纯粹的抢钱——你买我的芯片，我就给你兼容，不然我升级iOS，你们都死啦死啦地！&br&&br&&b&MFI芯片&/b&对安全性、数据传输、电力传输等&b&完全起不到作用&/b&，但是就是起步价3刀横在那里，爱买不买，不买就滚，人为的给你制造困难；&br&&figure&&img src=&/94f18bedfbb89c0a1bfb05867fca80de_b.jpg& data-rawwidth=&400& data-rawheight=&252& class=&content_image& width=&400&&&/figure&这不是重新发明轮子，它就是在大道上砍一棵树，明火执仗的收过路费。&br&&br&&blockquote&E-MARK是一颗用于USB Type C的CC逻辑检测与控制芯片&/blockquote&CC逻辑检测与控制是个啥我们下面讲，下列三种情形下，USB Type C数据线需要内置E-Mark芯片&br&&br&&b&1.数据线传输电流需要超过3A&/b&&br&这个傻逼才看不懂吧&br&&br&&b&2.数据线支持USB 3.1 Gen 2（&/b&&b&10Gb/s）&/b&&br&现在各种设备最高只支持到USB 3.1 Gen 1，也就是USB 3.0的马甲，速率5Gb/s；&br&真*USB 3.1则是Gen 2，速率10Gb/s。&br&&figure&&img src=&/265f0f1c3ca4c1bb721cf250c628a370_b.jpg& data-rawwidth=&730& data-rawheight=&254& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&730& data-original=&/265f0f1c3ca4c1bb721cf250c628a370_r.jpg&&&/figure&▲ 但是USB 3.1 Gen 2因为时钟频率翻倍，对数据线两端要求很高，需要数据线加入E-Mark芯片起到稳定数据传输的作用。&br&&br&&b&3.&/b&&b&数据线运行于&/b&&b&Alternate Mode&/b&&br&这是啥玩意呢？其实就是指USB Type C数据线运行视频输入输出等高级功能（如DisplayProt）时，同USB 3.1 Gen 2，因为高速数据传输速率和协议校验等要求&br&&figure&&img src=&/f15ae54f6b7e2d45835e8e_b.jpg& data-rawwidth=&600& data-rawheight=&600& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&600& data-original=&/f15ae54f6b7e2d45835e8e_r.jpg&&&/figure&&br&▲ 同时DisplayProt等还要求使用PD进行供电，需要加入E-Mark芯片起到稳定数据传输、电流等作用。&br&&br&所以说，E-Mark芯片是有非常重要的现实意义——稳定电流和数据，是 Type C未来发展的重要基石之一；比只是用来骗钱的MFI芯片，不知道高到哪里去了！&br&&br&当然，目前USB 3.1 Gen 1的速率和3A的电流承载能力，已经足以满足大家很长一段时间的需求，再加上USB组织内部不断撕逼，E-Mark芯片至今还没有商业化量产的成品；&br&但是当Type C需要突破这两个瓶颈的时候，E-Mark芯片迅速大规模铺开不成问题，而且这货一点都不贵，马上又可以续命好几年。&br&&br&&br&&ul&&li&&b&兼容性&/b&&br&&/li&&/ul&&blockquote&结论：垃圾苹果，逼我花钱，浪费生命浪费资源！USB兼容大法好！&br&&/blockquote&为啥要扯兼容性？因为兼容性是我们不断享受技术红利的关键指标，这就是他妈的「普世价值」！&br&&br&苹果有个鸡的兼容性，40pin的老数据线能转成Lightning？&br&&br&出门带两根线，烦不烦？&br&&figure&&img src=&/b03d05f5dea70be5e16ee0050c84aeec_b.jpg& data-rawwidth=&1624& data-rawheight=&3475& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&1624& data-original=&/b03d05f5dea70be5e16ee0050c84aeec_r.jpg&&&/figure&▲ 反观Type C，USB组织制定了各种乱七八糟接口的转接头&br&&br&现在是Type A-C数据线&br&&figure&&img src=&/126e7e2f8a_b.jpg& data-rawwidth=&500& data-rawheight=&189& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&500& data-original=&/126e7e2f8a_r.jpg&&&/figure&&br&未来则是直接Type C-C&br&&br&&figure&&img src=&/7b89c581baf434c8ad51b_b.jpg& data-rawwidth=&960& data-rawheight=&1280& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&960& data-original=&/7b89c581baf434c8ad51b_r.jpg&&&/figure&&br&▲ 但是也可以转换为Type A-C，例如乐视这个骚货出的这根线......&br&&br&数年的过渡期，足以让你耗尽手上老设备价值，这才是一个成熟的标准应有的深思熟虑。&br&&br&&br&&ul&&li&&b&可靠性（耐操性、安全性）&/b&&br&&/li&&/ul&&blockquote&结论：凡是觉得Type C母座小舌片容易折断的都是傻逼&/blockquote&&br&先来说小舌片，实际上从Micro B时代，就有智障不断BB：折断了怎么办？&br&&figure&&img src=&/c6daad2b81e0dd30b17c96dc93818d4b_b.jpg& data-rawwidth=&1848& data-rawheight=&924& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&1848& data-original=&/c6daad2b81e0dd30b17c96dc93818d4b_r.jpg&&&/figure&&br&我建议这种智障直接砍断双手，再抠掉两个狗眼——难道你们就不会动手试一试吗？&br&&br&当你把Type C数据线插进去一点点的时候，你试试看这么点力矩，能不能折断？&br&&br&当你把Type C数据线插进去大部分的时候，你试试看折断这个直连数据线末端2CM保护层的5层包覆式结构？&br&&br&所以说：MDZZ&br&&br&&figure&&img src=&/461d6f5e22aed38ff3f6e4_b.jpg& data-rawwidth=&1712& data-rawheight=&796& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&1712& data-original=&/461d6f5e22aed38ff3f6e4_r.jpg&&&/figure&▲ 反而是Lightning，用力撅一下~~~~呵呵&br&&br&&br&再说&b&耐操性&/b&&br&&br&因为Lightning数据线本身只是USB 2.0+2A设计，跟普通的USB数据线没啥两样，甚至就是一根线换插头，所以其实耐操性都一样；当然我也不知道苹果怎么设计的，原装Lightning数据线接头尾部特别容易烂。&br&&br&但是USB 3.0+3A的Type C数据线，天然多出TX/RX+CC+VBUS等线路，线径必然变粗，耐操性天然就比Lightning数据线高几个等级；更别说厂商一般还会做加强或者采用面条线设计，能草坏一条3A的Type C数据线，那都是神人级别。&br&&br&最后谈谈&b&安全性&/b&&br&&br&普通Type C数据线，比如小米原装，直接就是垃圾Micro B改出来的.....这种垃圾毫无购买价值。&br&&br&但是3A的Type C数据线，因为一般支持USB 3.1 Gen 1，所以高温啊、短路啊XXXXX一堆保护措施都塞进去&br&&br&反观Lightning，拆解图我也看了不少，其安全性还停留在5年前的那个水平线，一定要吹毛求疵说谁更安全~~你们也知道了&br&&br&&br&&ul&&li&&b&数据传输能力&/b&&/li&&/ul&&br&&br&&blockquote&结论：Type C打的Lightning连乔布斯都不认识了！&/blockquote&&br&1.对USB 3.1的兼容性&br&前面说过了，现在已经量产USB 3.1 Gen 1的Type C数据线；未来通过加入E-Mark芯片，可以支持到USB 3.1 Gen 2。&br&&br&&figure&&img src=&/95d26edd3d16_b.jpg& data-rawwidth=&587& data-rawheight=&408& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&587& data-original=&/95d26edd3d16_r.jpg&&&/figure&&br&▲ 天然多设计的Tx/Rx传输线，就是为高速传输准备的！&br&&br&而Lightning？虽然12.9寸iPad Pro内置USB 3.1控制器，但是看Lightning局促的线路图，巧妇难为无米之炊，我是不知道就这么几根线，苹果要怎么实现对USB 3.1的支持；更别说Gen 2模式对数据线要求很高，渣渣质量的Lightning~~呵呵&br&&br&2.多种传输协议的支持&br&Type C不仅是USB大一统的接口，得益于在数据传输上具有前瞻性的设计，更是整个消费电子行业大一统的接口。&br&&br&最新修订的Type C标准整合了3.5MM音频传输、Displayport视频传输等；&br&&figure&&img src=&/e529eb8d0da215d9cb753a_b.jpg& data-rawwidth=&566& data-rawheight=&288& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&566& data-original=&/e529eb8d0da215d9cb753a_r.jpg&&&/figure&&br&▲ 一直装逼高冷的HDMI、Thunderbolt也融合到Type C标准中（虽然采用普通USB 3.1的Type C这两标准会降速，全速可能需要特制线缆）&br&&br&而Lightning？你的带宽连USB 3.1 Gen 1都搞不定，难怪视频输出需要塞进一个「iPhone 4的SOC」，先压缩再解码......&br&&br&3.双向传输能力&br&现在的Type A to C数据线只是个半成品，完全体的Type C是C to C的，也就是数据线两头都是Type C。&br&&br&这样，就可以让数据线两端的设备互相传输数据、电力，而不是跟以前一样——只能A口的主机读取写入客户端的数据。&br&&br&话说以前两台电脑交换数据真是蠢到家，你得用U盘、移动硬盘等来回搬运；网线口局域网传输一般也就100M带宽上线，配置还麻烦得要死。那时候我就想：MLGB，你USB不是「通用串行接口」吗？怎么传个数据都做不到，垃圾！&br&&br&而Lightning？呵呵，你丫就是个能正反插的USB Micro B接口。&br&&br&&br&&ul&&li&&b&电流通过能力&/b&&/li&&/ul&&blockquote&结论：弱鸡苹果2.4A也敢跟5A争辉？&br&&/blockquote&Lightning？2.4A max，实际一般2A的垃圾，滚粗。&br&&br&Type C目前量产最高3A左右，标准制定到5A（需加入E-Mark芯片）。&br&&figure&&img src=&/73bf3c9e0c8_b.jpg& data-rawwidth=&384& data-rawheight=&388& class=&content_image& width=&384&&&/figure&其实我是很讨厌某些媒体宣传Type C的时候，吹牛逼「最高支持100W电力供应」；这是按照5A的数据线标准，在上面用20V电压的数据；但是我就不能30V吗，就不能40V吗？&br&&br&有点常识的朋友都知道，在这种弱电设备上，损耗只和电流大小正相关，和电压没啥关系；你就是在Type C上搞40V我看也没什么压力，但是吹逼「最高支持200W电力供应」没什么意义......&br&&br&当然，所谓Lightning--2.4A max或者Type C--3A max，并不是说电流超过这个数就马上燃烧，要知道小米5原装数据线那个鸟样还不是照样2.5A照样跑......&br&&br&只是说这些数据线设计的时候，其内阻按照通过正常电流承载做相应的规定，所以3A的Type C内阻要求一般是比2A更高的。&br&&br&最后，因为大家（其实就是几家有追求的国产）普遍觉得Type C的5A还是不够用，大家纷纷开始研究在5A标准上自己魔改，7/8A甚至10A的构想我都见过，真是害怕.JPG&br&&br&&br&&ul&&li&&b&对快充技术的适应&/b&&/li&&/ul&&blockquote&结论：我不是针对谁，我是说苹果的充电——都是垃圾&br&&/blockquote&Lightning就是个2A电流承载能力的玩意，所以围绕它设计的快充技术，也只能像QC 2.0一样走高电压，不敢触碰这个电流极限。&br&&figure&&img src=&/bb0ba2caf2ca8bd5c2544a_b.jpg& data-rawwidth=&720& data-rawheight=&1280& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&720& data-original=&/bb0ba2caf2ca8bd5c2544a_r.jpg&&&/figure&&br&▲ 实践来看，12.9寸iPad Pro，就是采用PD协议做识别，充电为14.5V=2A≈29W。&br&&br&但是Type C的适应能力就太广阔了！&br&&br&不管你是QC/PE/FCP这样的高电压充电，还是VOOC和未来的PE 3.0/华为SCP等大电流快充；或者整合了高电压、高电流，最正统的USB PD快充协议；Type C通过改变数据线，都可以轻松吃下来。&br&&br&&figure&&img src=&/fa8528052fcd8edd0caec_b.jpg& data-rawwidth=&3112& data-rawheight=&972& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&3112& data-original=&/fa8528052fcd8edd0caec_r.jpg&&&/figure&▲ QC/PE/FCP协议：传统的USB 2.0数据线（D+D-）或者Vbus电力线握手，然后Vbus传输电力。&br&&br&VOOC/DASH协议：一根USB 3.0触点（Tx/Rx）做识别握手，Vbus传输电力。&br&&br&&figure&&img src=&/95d26edd3d16_b.jpg& data-rawwidth=&587& data-rawheight=&408& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&587& data-original=&/95d26edd3d16_r.jpg&&&/figure&▲ PD协议：Type C新增的两根专用CC线做识别握手，Vbus传输电力。&br&&br&不过恶心的是，最新PD 3.0制定时，苹果再次发挥搅屎棍精神，用非标准的14.5V浑水摸鱼撕逼，搞得新标准一塌糊涂；现在PD只能做到类似QC 2.0那种5/9/12/20V固定调节电压；像QC 3.0/PEP 2.0那种精细无级调节电压，只能靠厂商自己做了。&br&&br&&br&&ul&&li&&b&发展潜力&/b&&/li&&/ul&&br&&br&&blockquote&结论：&br&Lightning？潜力挖的差不多了，啥新特性都搞不成，早死早超生&br&&br&Type C：天空才是它的极限！&/blockquote&&br&在未来，Type C标准会不断提高数据传输能力，整合越来越多的消费类电子行业的标准接口，最终取代除了RJ-45网线口之外的所有接口。&br&&br&同时加强电流传输能力，配合双向Type C数据线的普及，所有的设备终于可以做到数据、供电接口二合一，一边交换数据一边供电。&br&&br&Type C确实从Lightning上面汲取了不少经验，但是这本来就是设计来取代所有繁杂接口的大一统标准，USB组织加上全世界产业链数以万计人的智慧结晶，取代Lightning就是水到渠成的事情。&br&&br&苹果如此不识时务，贪图MFI那点蝇头小利，坑害我等良民，只能高呼：天诛国贼！！&br&&br&&br&&br&&b&日更新&/b&&br&&a href=&/question/?group_id=690752& class=&internal&&Lightning 和 USB Type-C 设计上各有什么优劣？ - 用户体验设计&/a&&br&&br&&br&大兄弟编故事的本事不错。
Type C是苹果全盘发明！&br&&br&&p&天啦噜，继人人都是985、211、基金经理…之后，知乎又开始人人都是XX公司内部核心员工了吗？&/p&&br&&p&这大兄弟的观点我提炼下，主要3点&/p&&p&1.
Type C是苹果爸爸独自完成全部设计&/p&&p&2.
苹果一片苦心，设计完了标准丢给intel，自己啥都没捞到&/p&&p&3.
USB协会无条件接受了苹果的提案，并迅速推广&/p&&br&&br&&p&先做几点说明&/p&&ul&&li&这大兄弟所说的Type C的设计目的，我是赞成的，我一直的文章也很明确的写出来了。&br&&/li&&li&所谓苹果开发这个新接口的过程，以及「johny拿出一条lightning，斩钉截铁的讲：今年的iphone用lightning，明年的iphone也用lightning。」这样的细节，我无法证伪；或者说，除了苹果高层，谁都无法证伪。&br&&/li&&li&对USB组织现状的描述，我也无法证伪，纠缠于这些情节化的细节也毫无意义。&br&&/li&&/ul&&br&&p&OK，下面是打脸时间，都不要多，&b&技术细节和市场是我最好的帮手&/b&&/p&&br&&p&1. 我们来看Type C的细节，相比之前的接口，Type C新增加最重要的，就是两组CC接口；&/p&&figure&&img src=&/95d26edd3d16_b.jpg& data-rawwidth=&587& data-rawheight=&408& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&587& data-original=&/95d26edd3d16_r.jpg&&&/figure&&br&&p&&b&2014年8月份&/b&，USB-IF同时TYPE-C 1.0接口标准和USB PD2.0标准&/p&&br&&p&这两组CC接口是专用的通信线，进行USB PD通信信号的传输，用人话说，就是「快充识别信号的传输」。&/p&&br&&p&为什么要特地搞一个接口出来呢？因为当USB接口是传统的TYPE-A和TYPE-B时，所有的连线资源，都已经被VBUS、GND和DATA传输线所占据。&/p&&br&&p&高通QC 2.0/3.0、华为FCP等快充技术，是采用USB 2.0传输数据用的D+D-进行快充识别，对手机——充电器这个模式当然没问题，因为充电的时候D+D-是闲置的；&/p&&br&&p&但是对于USB PD这种涉及到整个USB系统的充电标准来说，是要普世到所有USB设备上的，包括电脑——手机这种模式；那么很自然，你要是占用D+D-做快充识别，这个时候又要传输数据怎么办？还是滚粗把你！&/p&&br&&p&所以，我们可以看到上一代NEXUS 5X/6P明明用高通芯片组，却不支持QC 2.0/3.0，而是一个5V 3A的PD快充；而且谷歌一群USB原教旨主义的工程师还各种攻击QC，把高通操出花（上面说了，充电器——手机这个模式下，占据D+D-是没有问题的）。&/p&&br&&p&而MTK的PE/PEP快充协议，则是把快充协议的通信数据调制到VBUS上，接收端则从VBUS上进行信号的隔离和解调。不得不说，这是一个非常好的IDEA，电力线载波技术在迅猛发展；然而这种在手机电源工程师看来大逆不道的行为，自然也没得到产业链什么支持，只有魅族/金立用了。&/p&&br&&p&Type C增加的CC接口，就没有上面这些问题了，完全适配所有USB设备，不关你数据线两端是什么设备，都可以做到毫无隐患的双向供电；&/p&&br&&p&而且USB PD 2.0整个标准非常开放，提供了电能和数据、音视频传输的完整协议框架，同时又留有VDM，即自定义数据包功能，让企业可以进行私有协议处理，进行电池管理，固件升级，私有加密等。&/p&&br&&p&那么，这个怎么打脸呢？&/p&&br&&p&很简单，CC接口的提出和整合到Type C，是和USB PD 2.0密切相关的，属于「生死相依」的那种关系，是一个典型的软硬件完美结合的产物；&/p&&br&&p&问题来了，如果Type C全是苹果设计的，那么CC接口自然也是苹果提出的，苹果肯定也在PD协议中占据了最重要的制定权咯？&/p&&figure&&img src=&/05b6daa17566_b.jpg& data-rawwidth=&2584& data-rawheight=&1860& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&2584& data-original=&/05b6daa17566_r.jpg&&&/figure&&br&&p&然而苹果的PD只有5V/14.5V两档，而PD 2.0标准电压是5/9/12/20V；抛去业界铁律的5V，苹果自己的14.5V完全就是一个搅屎棍般的存在。&/p&&br&&p&&b&如果Type C全是苹果设计的，那么和Type C同步推出，紧密捆绑的PD 2.0标准怎么没有苹果这个14.5V？&/b&&/p&&br&&p&甚至闹到PD 3.0推出，苹果被迫在USB组织中疯狂撕逼，仗着自己市场地位，暗地里逼迫下游供应链兼容14.5V，把原本很有希望完善电压调节机制的PD 3.0标准搅合成一坨几乎没有进步的狗屎？&/p&&p&更搞笑的是：New MacBook的2016版，增加了对PD2.0协议的时序约束，也就是说——对第三方充电器的兼容性下降了……&/p&&br&&p&哦，&b&原来全盘制定&/b&&b&Type C的苹果居然对PD协议出现了低级失误，2015年第一版New MacBook给出来的是个有问题的时序咯？&/b&&/p&&br&&p&附录：PD 3.0的所谓三大更新&/p&&p&A.增加了对设备内置电池特性更为详细的描述&/p&&p&B.增加了通过PD通信进行设备软硬件版本识别和软件更新的功能&/p&&p&C.增加了数字证书及数字签名功能&/p&&br&&p&呵呵&/p&&br&&p&2.&/p&&blockquote&“成为USB协会规则的制定者同时也意味着，一旦协会通过了苹果不喜欢的接口标准，苹果也不得不执行。这一点苹果无法接受，其动机类似于英国要脱欧。”&/blockquote&&br&&p&大兄弟，你知道USB组织是干嘛的不？你当USB IF是世界警察，新标准出来组织成员不用统统枪毙？&/p&&br&&p&USB IF这个妥协为王的松散经济联盟型组织，到今天整出了无数个奇葩接口，什么mini什么micro应有尽有；然而从来没有一个条款，强制规定协会成员的所有产品都要使用协会标准接口；intel作为USB IF老大，没在新主板上安Type C，谁把他怎么着了？&/p&&br&&p&当年intel跟你果折腾Thunderbolt，业界也不过是用看傻逼的眼神看着你们，从来没人BB：intel他妈的你居然敢推非USB标准接口。&/p&&br&&p&拜托，脑子是个好东西，别让僵尸王打开了你的脑壳，又失望离去。&/p&&br&&p&3.&/p&&blockquote&“苹果的这一态度反应在新一代接口上，就是希望整个电子市场能够采用自己设计的新一代接口， 又不愿接受协会义务的约。为了达到这一目的，苹果希望自己在不加入USB协会的前提下，令自己研发的接口成为USB协会的标准接口。”&br&“9. 苹果采用了曲线的策略，六大常委中的因特尔与苹果有着不错的合作的关系，没有直接的产品竞争，因此苹果将E85交给了因特尔，由intel 以自身的名义在USB协会上提交此方案。&/blockquote&&br&&p&这可真是奇怪了，苹果不想加入USB IF常委，按照你的说法，勉强还可以解释；但是这个第9点，你是不是家里又来了僵尸？&/p&&br&&p&任何一个业界标准，都是大佬们群雄逐鹿的战场；别说USB ,就是intel跟苹果联合推广的Thunderbolt，双方都因为各种利益问题（推广、专利、专利费、独占、产业链等）小撕逼不断；更别说按照百亿美金计算量级的USB接口了！&/p&&figure&&img src=&/aefe81e2ffc_b.jpg& data-rawwidth=&418& data-rawheight=&220& class=&content_image& width=&418&&&/figure&&br&&p&用intel的名义发布意味着什么？意味着整个产业链的主导权彻底拱手让人！意味着大把大把白花花的银子全进了别人的账户！&/p&&br&&p&&b&前一秒还在为小众的Thunderbolt那点小钱跟intel撕逼，后一秒大公无私的把百亿刀级别的市场拱手让给intel。资本主义结晶的苹果公司这是出了圣人还是准备转型美利坚大型善堂？&/b&&/p&&br&&p&况且intel和苹果整个公司层面的合作还是很愉快的，联合发布或者强调苹果的重要成分很难？&/p&&br&&p&从产业链来看，苹果也并没有在PD和Type C做太多的产业布局和规划；要知道苹果对供应链嗅觉极其敏锐，当年可是抓住手机DDR内存的需求，利用订货量优势向三星下了一笔很大的订单，然后转手卖了这批期货，活生生炒内存赚了数亿美刀。&/p&&br&&p&所谓苹果注册大量专利，这个也无从查证；但是我知道PD有很多重要专利，反而是掌握中国厂商的手中。&/p&&p&&br&
10. &/p&&blockquote&Intel并非电子产品制造商，提交接口硬件方案的举动其实是很反常的，但所幸其他各家大佬没有起疑心。苹果的方案成熟，先进，却颇为美观，因此迅速成为USB协会下一代标准的热门人选，尤其是Google，他们在看到这个方案以后，马上痛快的放弃自己的提案，转而支持这颗接口。&/blockquote&&p&肚皮都要笑裂了，大兄弟，你是不是以为intel是吃饱了撑的没事干，天天在主席台看这些下面蝼蚁昏昏欲睡的勃列日涅夫？&/p&&br&&p&草，USB IF自打成立起，就是intel的后花园；卧榻之侧，岂容他人鼾睡？&/p&&br&&p&恨不得插手到所有标准的业界巨无霸intel，提交接口硬件方案的举动居然变成反常？那Thunderbolt是不是也是苹果研发好了，深明大义丢给intel发布的啊？（&b&而且大兄弟你连&/b&&b&Thunderbolt&/b&&b&都拼错了&/b&）&/p&&br&&blockquote&“其他各家大佬没有起疑心”&/blockquote&&br&&p&靠，标准制定这种东西，还起疑心？你《宫锁连城》看多了吧？业界巨头们在各种协会的代表，看到一个草案不同于自家的第一反应——就是马上撕逼争取干死，不起疑心都要干死；哪怕是面对老大intel提出的标准，也要各种软硬兼施想办法塞自己的私货，不然公司凭什么雇用你们保护自己的业界地位？&/p&&br&&p&而且大家到今天都在为PD协议撕逼不断，Type 1.0标准居然“马上痛快的放弃自己的提案，转而支持这颗接口”，&b&你这种侮辱&/b&&b&USB&/b&&b&组织成员智商的说法，恕我不再打脸&/b&，这他妈多敲一个字我都感觉自己的智商被侮辱了。&/p&&br&&blockquote&“11. 顺便说一句，google参加USB协会讨论的几位工程师，都是前苹果员工，所谓英雄所见略同。在后来得知此方案的原创者不是Intel而是苹果后，他们还特意打来电话祝贺。”&/blockquote&&p&这股浓浓的中宣部文风，我都不知道该怎么说了…….&/p&&br&&p&至于New Macbook为什么是最早采用此标准的电子产品之一，因为&b&intel&/b&&b&跟苹果的关系极其密切&/b&，每年首发新款CPU就不说了，Thunderbolt也是给了苹果几年的独占期。&/p&&br&&p&总结：大兄弟为什么能YY出这个神之脑洞呢？因为&b&国外果蛆&/b&&b&2015年就已经给他YY出了一个框架&/b&&a href=&///?target=https%3A////apple-invent-usb-type-c/& class=& wrap external& target=&_blank& rel=&nofollow noreferrer&&Did Apple invent USB Type-C? Maybe a little bit&i class=&icon-external&&&/i&&/a&&/p&&br&&p&天下果蛆是一家啊！&/p&
这个问题里面的很多答案都是一两年前的，Type C尚未流行，很多分析显得有点过时；不才在下，站在今天的实际应用角度来个马后炮分析。 首先给出结论 1.苹果Lightning接口已经落后过时，但是把一个从iPhone 5时代做到今天的标准，跟最新的还在不断修订完善中…
更新了一个示意图，就不那么抽象啦&br&&br&----正文----&br&&br&哈哈，晶圆代工厂苦逼PIE不请自来！&br&&br&楼上很全面了，设计费用，设备厂房价格超高。我来说说制作流程吧。&br&&br&一片晶圆从晶圆厂买来，只有光板一片，表面一般还有几微米的外延层，到生产出一颗CPU，需要数百到上千步工序。大的分类主要有:&br&&br&光刻。这个超级贵啊，荷兰的机器几千万刀，还得排队买。每次光刻曝光做完，还得做对准检测，尺寸检测，万一不太好，得去掉光刻胶重新来。而从最下面的隔离层到最顶端的金属钝化层得有几十道光罩，想想价格吧。&br&&br&刻蚀。需要在硅或者其他层做图形，就得用各种等离子或者化学试剂刻蚀材料，需要精准控制。这里强调一点，芯片制造不同于其他工业例如汽车，手机等，不可能来料组装。晶圆上每一个晶体管和连线都得在同一个工厂完成，一步错，直接报废，而不是替换掉零件就好。就算前面999个步骤没问题，最后这第1000步出了岔子，不好意思，扔掉吧，至于为什么会出错，后面会详细说。刻蚀就是这样的步骤，如果有问题，报废的几率很大很大！&br&&br&好晚了，如果有人看，明晚继续更新吧。明天还得上班(?_?)&br&&br&-----更新----&br&&br&成膜。看看下面这张图（如果涉及版权请告知，立即删除）&br&&figure&&img src=&/3a27bd9f5b832d1e9baaf_b.jpg& data-rawheight=&300& data-rawwidth=&400& class=&content_image& width=&400&&&/figure&&br&典型的多层金属互联技术，图中能看到的只是金属连线，金属间的绝缘层都已经去掉了。这里金属导线的线宽从几十纳米到几微米不等。而每一层金属的沉积，都有复杂的步骤。例如金属间的介质，分为高K层，低K层，刻蚀停止等等，金属又有抗扩散层，粘附，晶籽，互联等等，而每层厚度必须精确控制。我们FAB技术落后，但是栅氧化层厚度变化也能控制在几个埃之内，可以想象需要多复杂的制程。&br&&br&研磨。上面说到芯片都是很多很多层叠加起来的，而厚度必须一致。这里就需要通过一种叫机械化学研磨的方式来进一步控制。说白了，就是先沉积一层稍微厚点的膜，再把最上面磨掉。如果磨的时候控制的好，那么整个平面肯定磨的一样平。关键的是一片30cm直径的Wafer，磨完之后的整体厚度差，往往得控制在纳米级，难度可想而知。而研磨也是上面所说的，如果磨坏了，得报废啊！！而且研磨头中有一个是镶嵌金刚石的（别想歪了，都是很小的，不太值钱），一旦镶嵌的金刚石脱落，直接就划坏一片的。&br&&br&清洗。很多fab里清洗和湿法刻蚀是一个部门了。反正就是用各种化学试剂，保证每一道工艺过后表面的清洁，用的药剂会根据不同层的状态进行调整。用量最大的就是去离子水，虽然不很贵，但是用量真的超大。&br&&br&注入/扩散。这个也是芯片制程中的一个关键因素。design house的大神们设计出不同电压电流特征的器件，很大程度上需要靠这个步骤实现。通俗的讲，就是把一堆离子加速，直接撞上wafer表面，然后靠惯性进入wafer内部（其实深度一般也是纳米级），在特定区域内形成特定掺杂的半导体，来调节器件的电学性能。因此很多客户这个地方的参数，例如注入能量，剂量，角度甚至注入物质，对我们来说都是保密的，毕竟核心参数嘛。使用的机台，当然也都是天价，关键是一两台可不够用，因为不同离子得分开免得污染。&br&&br&量测。这个也很重要，主要是控制每个步骤的良率。包括厚度啊，直径啊什么的。&br&&br&好了，大体上重要的环节就是以上这些。先举个例子说为什么需要数百上千步！&br&&br&就拿上面图中一层金属来说。首先需要沉积不同厚度的介质层四五层。每层做完之后需要量厚度，如果有问题，不好说就得报废。然后是光刻，这一个Loop，就需要：上光刻胶，烘烤，曝光，显影，对准量测，尺寸量测等一堆步骤。得到需要的图形后，进行刻蚀（有些层进行注入）。刻蚀的时候，由于前面提到有很多细小的分层，每层材料会使用不同的刻蚀方法，步骤一样漫长昂贵。刻蚀得到一个深槽，在里面通过所谓的PVD,CVD，ECP(或者高大上的ALD)做好金属的阻挡层，粘附层，晶籽层和导线。然后就可以研磨得到一个平整的介质层内嵌金属互联的大马士革结构。&br&&br&从网上盗来这个示意图，对应上面一段文字：&br&1. 浅灰色是下层绝缘层，深灰色是第一层金属布线，已经做好CMP平整。首先沉积很薄的刻蚀停止层(白色)。&br&2.沉积两层金属间的绝缘层，一般是一层薄而致密的高K结构和稍厚的（超级厚了哦，几十到上百纳米啦）。&br&3-4. 在绝缘层上做曝光，然后把光刻胶（上层深灰色）打开的部分刻蚀掉一定厚度&br&5-7. 去掉光刻胶再次做曝光，刻蚀深通孔，用于上下层铜的互联。这里刻蚀停止在刚才的停止层上，因为刻蚀气体对不同材料的腐蚀速率不同&br&8-11. 物理气相或者化学气相或者湿法电镀把铜塞到那个槽里。&br&12. 多余部分磨掉。OK 收工&br&&br&&figure&&img src=&/90aff6b6ebab8_b.jpg& data-rawheight=&562& data-rawwidth=&959& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&959& data-original=&/90aff6b6ebab8_r.jpg&&&/figure&&br&&br&&br&以此类推，每个互联或者器件层都需要类似的步骤去完成。&br&&br&这些个步骤，加上步骤中间的用料，例如吹干用的纯氮气，氩气，稀有金属和高纯度化学试剂，以及设备中极高真空，当然还有&b&&u&数万平方米全年恒温恒湿的超净厂房&/u&&/b&，以及日本地震机都有可能宕机的精密设备，价格可想而知&br&&br&-----分割线-----&br&&br&最后说一下为什么会报废。&br&&br&首先是污染，虽然fab严格控制，但是难面会有人或者其他什么东西带来的颗粒物。大家熟知的PM2.5，也就是小于2.5微米的颗粒，是14纳米线宽的接近200倍，只要一颗砸到Wafer上，废掉的可是一大片device。坏的量大了，就得报废掉。&br&&br&然后是误操作，虽然制程严格，但是操作中难免有些差错。之前说过，因为芯片不像汽车可以换零件，只要一个步骤操作失误，就会导致报废（PIE们深深的痛啊）。特别是客户的实验片，太容易坑人了。&br&&br&还有就是设备。虽然设备精密昂贵，但是也会经常有宕机，如果wafer正在里面作业，机台坏掉了，那只能认栽了。&br&&br&工艺不稳定也是一个方面。例如膜的厚度，要求最高的是栅氧化层，如果最近通入的气体浓度差那么一点，导致厚了几个埃，得，客户肯定要highlight过来，如果确实是我们的问题，赔吧。。。再如两个间距很近的器件或者布线，难免因为某些工艺原因连接到一起了，也会导致device坏掉&br&&br&&br&-----分割线----&br&&br&说了好多，就想到这些，以后想到新的再更新吧
更新了一个示意图，就不那么抽象啦 ----正文---- 哈哈，晶圆代工厂苦逼PIE不请自来！ 楼上很全面了，设计费用，设备厂房价格超高。我来说说制作流程吧。 一片晶圆从晶圆厂买来，只有光板一片，表面一般还有几微米的外延层，到生产出一颗CPU，需要数百到上千…
楼上各种调戏题主，我就来认真讲一讲CPU为啥这么贵。&br&&br&一句话总结就是“&b&CPU是一个技术非常密集的产品，浓缩的都是精华。&/b&”&br&&br&有多密集？&br&&br&先给一个直观的认识：（图片引用自 &a data-hash=&ebd44a689c0b2ff40a0e40dc& href=&///people/ebd44a689c0b2ff40a0e40dc& class=&member_mention& data-editable=&true& data-title=&@呆涛& data-hovercard=&p$b$ebd44a689c0b2ff40a0e40dc&&@呆涛&/a&在&a href=&/question/& class=&internal&&芯片里面有几千万的晶体管是怎么实现的？ - 中央处理器 (CPU)&/a& 的答案，侵权请告知，即刻删除）&br&&br&&figure&&img src=&/4dcfbeb14ecdd1bb1d20_b.png& class=&content_image&&&/figure&&br&&br&嗯，图中圈出的部分只是一个很小的逻辑门，而一个现代CPU里面，有几千万甚至上亿个这样的逻辑门，也就是十几亿甚至更多的晶体管。你知道把十几亿晶体管放在那么小的一个芯片里，经过了多少人的努力吗？&br&&br&而且你不觉得这十几亿晶体管，都能同步正常工作，你能用它打游戏刷知乎看片儿它也不出错，简直就是一个奇迹好么？&br&&br&言归正传下面详细讲一讲，CPU为啥这么贵：&br&&br&先说设计，你知道设计CPU需要多少知识么？最基础的计算机结构体系你得懂吧？Verilog或者VHDL你得会吧？各种设计软件Cadence/ Synopsis你得会用吧？仿真验证要不要？要软件仿真的话那还得会C++，硬件仿真你得上FPGA，玩FPGA的话，又是一系列的工具链一堆坑。。指令集你懂吗？怎么设计不是你随便一想就出来的，这个都可以写一本书了。。集成电路原理什么的你得懂吧？而且现在CPU速度都那么快，信号频率高了就会有非常多奇异的现象，这个没有足够的物理知识你解决不了吧？&br&&br&以上这些知识，我敢说没有一个地球人全部精通。所以必须是团队协作，而且一个短板都不能有，任何一个猪队友都可能导致整个芯片性能出现重大缺陷。好了现在你觉得自己一个人做不了这事儿了，该招人了，招多少人？Intel 和 AMD那种规模的学不来啊，几千人怎么能招得起呢哈哈哈。话说你即使真有钱也招不到那么多人，这行业真正精通的人就那么一点。假设你财大气粗人缘好，从各个公司挖来了十几个大牛/熟练工，这些人要不要发工资给他们吃饭？你说呢？&br&&br&现在你招到的大牛磨刀霍霍开始着手设计CPU。但首先你要搞定工具/环境。前面说的Cadence/ Synopsys 这些工具都是几万美元起，而且用的人越多越贵。当然你说你可以找盗版的去，反正出了bug什么的是死活不会有人管你的。好，你这才是买了工具。接下来该买设计用的库了。45nm的库都有免费的了，什么45nm的不能忍？交钱买28nm的啊，拿钱来啊！买14nm的？不好意思人家觉得你不靠谱还不想卖给你呢。&br&&br&软件终于搞定了，然后你把软件装在哪？自己配桌面工作站？呵呵呵naive啊，cadence某些程序一台服务器24个核一起跑还要个把小时呢，你自己配工作站怎么行？买/租服务器吧！还得是供电可靠+备份的，不然程序跑到一半断电数据丢了什么的还得重新来，时间可是耽误不起的，别说了买买买吧！&br&&br&假设你软硬件都搞定了，招到的大牛也特别给力，用了半年时间就出了一个初稿。这时你发了半年的工资手头已经有些拮据，想赶快流片上市卖。为了省钱你决定不自己投资建厂引进生产线了。。打算把这个活外包出去，结果你发现可以做的只有那么几家厂，要价还都不菲，人家还不一定有生产线能腾给你这种小本买卖的。唉，咬牙拿钱出来先做一批出来看看。&br&&br&第一批芯片造出来你们都很开心，然而通上电半小时就发现温度可以煎鸡蛋了，哈哈哈哈哈热设计不过关啊推倒重来！希望你还有钱继续发工资！&br&&br&下一批流片发现时序不对！继续推倒！&br&&br&再下一批流片发现在跑某个benchmark的时候结果总有不可复现的bug，死活找不出来问题在哪，测试工程师说了一句：“可能是有量子干涉效应。。” 然后他吐血死掉了。。&br&&br&你决定不在意这些细节强行上市！毕竟时不我待，先忽悠客户买了再说！可是这时候你发现，没人买。为啥？没有编译器和操作系统支持，谁买你芯片？傻子才愿意写汇编语言的程序呢，找人写编译器吗？哈哈，悔青了肠子的你决定穿越回到创办公司之初，果断买了ARM的指令集和架构，避开了这一个坑。。但还是逃不过要找人写文档以及提供客户支持，雇人去开拓市场。。&br&&br&终于当你的活儿凑齐了以后，发现竞争对手已经推出下一代CPU了，性能比你高40%，功耗比你低50%，和你卖一个价钱。。这时候你发现天上飘来一行字：&br&&br&“摩尔定律”&br&&br&盯着这行字，你留下了悔恨的泪水，回想起这些年挥霍了这么多的钱，欠下了这么多的外债，要是当初拿去买甜筒，可以买好多好多的甜筒啊，一辈子都吃不完。。&br&&br&好了现在你告诉我CPU为啥这么贵？
楼上各种调戏题主，我就来认真讲一讲CPU为啥这么贵。 一句话总结就是“CPU是一个技术非常密集的产品，浓缩的都是精华。” 有多密集？ 先给一个直观的认识：（图片引用自 在 的答案，侵权请…
&figure&&img src=&/50/v2-dbf36942fdc2b3_b.jpg& data-rawwidth=&1280& data-rawheight=&960& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&1280& data-original=&/50/v2-dbf36942fdc2b3_r.jpg&&&/figure&&p&三星S7edge在国内也发生了至少4起电池爆炸事故，三星对事主给了高额封口费要求不能联系老回。根据缺陷产品管理条例，三星需主动向质监部门报告已发生的事故，而三星却选择隐瞒事故并继续销售已知有安全隐患的产品。&/p&&figure&&img src=&/50/v2-dafdd7d38caeea2b1eddc20_b.jpg& data-rawwidth=&1920& data-rawheight=&1272& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&1920& data-original=&/50/v2-dafdd7d38caeea2b1eddc20_r.jpg&&&/figure&&p&日，泰国飞香港的航班上北京RR先生的S7edge发热异常，RR先生将手机关机冷却。7日凌晨回到酒店充电时S7edge发生了电池爆炸，此后RR先生联系了三星。三星工作人员到受害者家后，开口便是要求拍受害者的身份证信息和手机，当他问工作人员为何要拍他的身份证信息时，工作人员并没有回答，而在被受害者拒绝拍照后，工作人员开始悄悄用手机拍他的正面人物照片，被他发现后，三星工作人员承认偷拍，但并没有给出合理理由。&/p&&p&具体请见采访：&a href=&/?target=http%3A///37n330meuq89l1p35m5o3pltk07& class=& wrap external& target=&_blank& rel=&nofollow noreferrer&&已不信任三星 独家专访：国行S7 edge爆炸用户&i class=&icon-external&&&/i&&/a&&/p&&figure&&img src=&/50/v2-90db1e56e7dbd88f4e1ae_b.png& data-rawwidth=&1242& data-rawheight=&2208& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&1242& data-original=&/50/v2-90db1e56e7dbd88f4e1ae_r.png&&&/figure&&p&2016年12月，河北，某女大学生的S7edge充电时发生自燃电池爆炸，将事主头发烧焦。最后三星售后以退机+￥500赔偿作为解决。&br&&figure&&img src=&/50/v2-c408ccbbd7aea_b.jpg& data-rawwidth=&600& data-rawheight=&450& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&600& data-original=&/50/v2-c408ccbbd7aea_r.jpg&&&/figure&&/p&&p&日下午，北京。李先生正在工位上正常上班，S7edge手机放在桌面上毫无征兆的突然噼啪作响迸出火星。慌乱中他将正在燃烧的S7edge扔在了地上，巨大的声响让他的同事们中断了手头的工作。随后这台三星国行S7edge手机在众人的围观下表演了一场韩式焰火。&/p&&figure&&img src=&/50/v2-c01ab7e2bd79e5c24e57ad_b.jpg& data-rawwidth=&960& data-rawheight=&1280& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&960& data-original=&/50/v2-c01ab7e2bd79e5c24e57ad_r.jpg&&&/figure&&figure&&img src=&/50/v2-2aa4d40eae7ca06f4e78777_b.jpg& data-rawwidth=&960& data-rawheight=&1280& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&960& data-original=&/50/v2-2aa4d40eae7ca06f4e78777_r.jpg&&&/figure&&p&日，在贵州电视台的《花美男健身教练》节目录制现场，一位女实习生仅使用了半年的S7edge突然发生电池自然发生爆炸，滚滚浓烟让在场的艺人、观众、工作人员都受到了惊吓。这一突发事件也打乱了本来的节目录制安排。实习生对此十分自责，痛哭着对制片、导演一个一个的道歉，“对不起，影响你们进度了”。&/p&&figure&&img src=&/50/v2-430ca936daafb14756fc4cd_b.jpg& data-rawwidth=&1040& data-rawheight=&1639& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&1040& data-original=&/50/v2-430ca936daafb14756fc4cd_r.jpg&&&/figure&&figure&&img src=&/50/v2-4a2f0eaaddc9dafe8e895_b.jpg& data-rawwidth=&1280& data-rawheight=&960& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&1280& data-original=&/50/v2-4a2f0eaaddc9dafe8e895_r.jpg&&&/figure&&figure&&img src=&/50/v2-5bddf2e54ad170d3fa8edfc72ef7a51b_b.jpg& data-rawwidth=&960& data-rawheight=&1280& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&960& data-original=&/50/v2-5bddf2e54ad170d3fa8edfc72ef7a51b_r.jpg&&&/figure&&p&除了以上4起我获得的S7edge爆炸事故资料之外，昨天微博上有用户留言声称自己的S7(edge?)发生了爆炸想将视频发给我。&/p&&figure&&img src=&/50/v2-475b94b1d2d2f11c1b3d5f9a_b.jpg& data-rawwidth=&566& data-rawheight=&70& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&566& data-original=&/50/v2-475b94b1d2d2f11c1b3d5f9a_r.jpg&&&/figure&&p&谁知晚上事主说三星已找到他的单位对他赔偿了3倍购机款，并要求他不得联系我。只因接受封口就可以拿到比张思童先生高84倍的赔偿，Note7五炸机主辽宁的张思童先生在向公众公开自己遭遇的Note7炸机经历后，维权未果只能无奈接受了三星提出的退购机款+200现金的补偿方案。我认为如此对于张思童先生来说是非常不公平的。&/p&&figure&&img src=&/50/v2-2aafa30047b03_b.jpg& data-rawwidth=&960& data-rawheight=&2182& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&960& data-original=&/50/v2-2aafa30047b03_r.jpg&&&/figure&&br&&p&三星此番嘴脸也是对中国消费者赤裸裸的歧视，肆意践踏消费者们的应有的权利。&/p&&br&&p&日，大年三十早7点半，深圳的邓小姐醒来后发现手机闹钟并没有响，当她拿起散发着酸腐刺鼻恶臭的S7edge手机时才发现自己仅使用不到半年的三星手机电池竟然发生了鼓胀喷出了电解液。手机已彻底无法开机，里面所有数据都已报销。在我的采访中邓小姐表示当晚手机充电时并未被任何物体覆盖，仅仅是放在了自己的头顶枕头上。&/p&&figure&&img src=&/50/v2-83f205cfc452ff5ff8c5edd9d582233d_b.png& data-rawwidth=&1242& data-rawheight=&2208& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&1242& data-original=&/50/v2-83f205cfc452ff5ff8c5edd9d582233d_r.png&&&/figure&&p&邓小姐委托我代为向三星追问这起手机事故的原因及解决，我已用大家请我吃饭的银子按照S7edge的销售挂牌价5688从邓小姐处转移了这台手机的所有权，并且承诺如三星在此后就此台手机有任何挂牌价之外的赔偿都归由邓小姐所有。&/p&&br&&p&此后我使用热成像仪对这台事故手机进行了充电时的影像记录，在室温22℃时使用三星原装充电器进行充电。而这台事故手机表面的温度高达61℃，如此高温远远超过了电池的安全耐受温度，也远远超过了人体可长时间接触的安全温度。人体可长时间接触的安全温度医学上定为44.5℃，超过这个温度就有可能造成低温烫伤。在50℃时接触超过10分钟就可导致低温烫伤，而在60℃时只需接触1分钟即可有被烫伤的风险。这台充电时表面温度高达61℃的三星S7edge手机，幸好没烫及熟睡中的邓小姐。&/p&&p&&figure&&img src=&/50/v2-00d5ac700a7caee33c92d_b.png& data-rawwidth=&1242& data-rawheight=&2208& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&1242& data-original=&/50/v2-00d5ac700a7caee33c92d_r.png&&&/figure&在测试过程中我发现，即便在表面温度已经高达61℃时，三星S7edge并不会切断电源输入进行保护措施。不知是已有保护措施失效，还是出于成本压缩（偷工减料）考虑三星并在硬件层面对手机出现异常高温时的情况进行安全设计。&br&&/p&&p&在继续的测试过程中，我发现全新购入的三星国行S7edge手机在室温22℃时充电时表面温度仍可达48℃，仍然高于人体可长期接触的安全温度。可是问题是，如果夏天气温30多℃，S7edge又会多热呢？&/p&&figure&&img src=&/50/v2-4a8942ffe3d0adfa97e65ab7baf0b903_b.png& data-rawwidth=&1242& data-rawheight=&2208& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&1242& data-original=&/50/v2-4a8942ffe3d0adfa97e65ab7baf0b903_r.png&&&/figure&&p&长期处于散热不良的高温环境中，电池内部电解液受热分解成气体发生鼓胀破坏原有的隔离膜结构，电池内部短路进而热失控发生自燃爆炸绝对不是无稽之谈。&br&&/p&&figure&&img src=&/50/v2-c8bdb741ff5ec925ef796fd_b.jpg& data-rawwidth=&960& data-rawheight=&1280& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&960& data-original=&/50/v2-c8bdb741ff5ec925ef796fd_r.jpg&&&/figure&&p&日，在盖乐世社区里，用户GC-SNENAXX发帖反应自己的S7edge也发生了电池鼓胀事故。&/p&&figure&&img src=&/50/v2-841e5e6ace_b.jpg& data-rawwidth=&480& data-rawheight=&640& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&480& data-original=&/50/v2-841e5e6ace_r.jpg&&&/figure&&p&我相信，在我所看到的范围外，S7edge的自燃事故只会更多，究竟有多少，或许三星自己都不知道。&/p&&figure&&img src=&/50/v2-20f06e8f4d1f365d5cff85_b.jpg& data-rawwidth=&615& data-rawheight=&615& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&615& data-original=&/50/v2-20f06e8f4d1f365d5cff85_r.jpg&&&/figure&&p&在国外，已有许多起S7edge自燃事故严重烫伤机主。&/p&&figure&&img src=&/50/v2-850cbe972e8514dfa640ea_b.jpg& data-rawwidth=&600& data-rawheight=&337& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&600& data-original=&/50/v2-850cbe972e8514dfa640ea_r.jpg&&&/figure&&p&&a href=&/?target=http%3A///ecodetail_4499055.html& class=& wrap external& target=&_blank& rel=&nofollow noreferrer&&三星Note7电池爆炸之后 S7edge自燃致严重烧伤&i class=&icon-external&&&/i&&/a&&/p&&figure&&img src=&/50/v2-7cbacc6e8_b.jpg& data-rawwidth=&550& data-rawheight=&309& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&550& data-original=&/50/v2-7cbacc6e8_r.jpg&&&/figure&&br&&p&而除了电池有关的安全问题外，S7edge经典的多款屏幕通病也值得一提。右侧三分之一处的暗线、亮线，闪屏，花屏，半截屏幕无法显示。有不少事主反应过被三星售后推脱为人为损坏，拒绝保修。&/p&&br&&p&三星究竟是一家什么样的企业？给着用户们带来什么样的用户体验与安全隐患？&/p&
三星S7edge在国内也发生了至少4起电池爆炸事故，三星对事主给了高额封口费要求不能联系老回。根据缺陷产品管理条例，三星需主动向质监部门报告已发生的事故，而三星却选择隐瞒事故并继续销售已知有安全隐患的产品。日，泰国飞香港的航班上北京RR…
&p&&a href=&///?target=https%3A///i7061390/& class=& wrap external& target=&_blank& rel=&nofollow noreferrer&&某固态硬盘厂商拼死要保守的秘密，不惜动用黑客攻击也要掩盖&i class=&icon-external&&&/i&&/a&&/p&&p&
最近二三十年以来，CPU、内存性能已经增长上百倍上千倍，而存储数据的硬盘却慢的跟狗一样，5200转使用了十多年才好不容易爬到7200转。所以PC对新一代储存ssd的需求渴望可想而知。&/p&&p&　　现在的SSD市场有多火？处理器巨头Intel、AMD插手；之前一直嘴硬的老牌机械硬盘寡头西数、希捷断臂转型；传统SSD厂商，三星、英睿达、东芝、闪迪、浦科特等齐头并进；索泰、影驰、七彩虹等这些显卡厂商也都不务正业；之前专注于闪存盘SD卡等移动存储的厂商像金士顿、必恩威，也纷纷加入SSD竞争阵营。目前2016年底，生产SSD厂家保守估计起码有50个。&/p&&p&　　显然现在各大厂商在SSD这条路上，已经是义无反顾、坚持不懈、至死方休。而在容量上，NAND闪存也越来越不是事儿，13年TB级产品已经上市，15年三星做出了16TB的固态硬盘。阻碍SSD普及的最后一道防线：价格也开始崩溃。剩下的只是降低成本和时间的问题。&b&民用市场HDD吃枣药丸。&/b&&/p&&figure&&img src=&/b935dba25d049fea5a4ec4d_b.png& data-caption=&& data-rawwidth=&448& data-rawheight=&266& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&448& data-original=&/b935dba25d049fea5a4ec4d_r.png&&&/figure&&p&先声明的是，我并非利益相关，只是换多了ssd稍有熟悉。不足之处多多指正。 &/p&&p&&b&一、固态硬盘内部结构&/b&&/p&&p&　　SSD最基本的组成部件：主控芯片、NAND闪存芯片、固件算法。组成SSD的关键部件：PCB设计、主控、Nand闪存各家之间都几乎一样，对于相同方案的产品来说，决定性能和稳定性差异的主要是固件不同。&/p&&p&&b&1、主控：&/b&&/p&&p&　　在SSD中，主控看上去只是一颗躲在某个角落、并不起眼的小芯片，基本是基于ARM架构的处理核心。有句老话叫“秤砣小，压千斤”，这用来形容主控芯片一点也不为过，除了存储部分由闪存芯片负责之外，固态硬盘的功能、规格、工作方式等正是由这颗小小的芯片控制的。&u&主控芯片在SSD中的作用就跟CPU一样&/u&，主要是面向调度、协调和控制整个SSD系统而设计的。主控芯片一方面负责合理调配数据在各个闪存芯片上的负荷，另一方面承担了整个数据中转，连连接闪存芯片和外部SATA接口。除此之外，主控还负责ECC纠错、耗损平衡、坏块映射、读写缓存、垃圾回收以及加密等一系列的功能。&/p&&p&　　主控的技术含量不低，能玩得转的没几家。&u&目前主流的控制器有Marvell、SandForce、三星(自用)、Intel(自用)、JMicron、Indilinx(已被OCZ收购专用)、东芝等主控芯片&/u&。&/p&&p&　　Marvell各方面都很强劲，高端大气上档次。早期运用企业级产品，现也用在浦科特、闪迪、英睿达等品牌SSD上。Marvell自身也是一家大型公司，这两年也没什么变动，技术进步也很平稳，也没出过什么主控质量问题，未来的前景也值得看好。&/p&&p&　　SandForce的性能也不错，它的特点是支持压缩数据，比如一个10M的可压缩数据可能被他压成5M的写入硬盘，但还是占用10M的空间，可以提高点速度，最大的特点是会延长SSD的寿命，但是主控CPU占用会高点而且速度会随着硬盘的使用逐渐小幅度降低。代表型号为SF-2281，运用在包括Intel、金士顿、威刚等品牌的SSD上。相比Marvell公司，SandForce公司这两年就有点折腾了。被LSI、Avago多次转手之后，&u&SandForce最终于2014年落入机械硬盘厂商希捷的手中。&/u&（至于希捷好基友西数也是通过收购拓展固态硬盘业务，举债千亿收购闪迪，砸锅卖铁为君来。收购将于日生效。）&/p&&p&　　Samsung主控一般只有自家的SSD上使用，性能上也是很强悍的，不会比Marvell差多少。目前三星主控已经发展到第五代MEX，主要运用在三星850EVO、850PRO上。&/p&&p&　　除了自有SSD主控的公司，在外包主控的市场中，Marvell与SF占据了90%的份额，留给其他厂商的空间并不多。&u&2016年，来自台湾主控厂商，智微Jmicron、慧荣Silicon Motion、群联Phison三家公司的主控它们的成本低廉相当受SSD厂家欢迎。&/u&2012年附近几年一直是山寨厂商的最爱，如今台系主控已经不满足于廉价低端市场了，开始在技术与性能上寻求进一步突破。（目前看起来，混的比较好的是慧荣）&/p&&p&&b&2、NAND闪存：&/b&&/p&&p&　　如果说主控是衡量一款固态硬盘的技术反面，那么颗粒就代表着产品的用料诚意度。&/p&&p&　　SSD用户的数据全部存储于NAND闪存里，它是SSD的存储媒介。SSD成本的80%就集中在NAND闪存上。NAND闪存不仅决定了SSD的使用寿命，而且对SSD的性能影响也非常大。&/p&&p&&b&颗粒的传统分类：SLC、MLC、TLC &/b&&/p&&p&　　简单来说，NAND闪存中存储的数据是以电荷的方式存储在每个NAND存储单元内的，SLC、MLC及TLC就是存储的位数不同。单层存储与多层存储的区别在于每个NAND存储单元一次所能存储的“位元数”。&/p&&p&　　SLC（Single-Level Cell）单层式存储每个存储单元仅能储存1bit数据，同样，MLC（Multi-Level Cell）可储存2bit数据，TLC(Trinary-Level)可储存3bit数据。一个存储单元上，一次存储的位数越多，该单元拥有的容量就越大，这样能节约闪存的成本，提高NAND的生产量。但随之而来的是，向每个单元存储单元中加入更多的数据会使得状态难以辨别，并且可靠性、耐用性和性能都会降低。&/p&&p&　　SLC的固态硬盘目前市面上没有，一是太贵，二是MLC足够了。&/p&&p&　　中高端SSD还是MLC的天下。但是MLC也有很大区别。最好的是Enterprise Synch MLC（企业级同步MLC），可靠性和寿命针对企业级市场做了优化。之后就是Synch/Toggle MLC（同步颗粒），其中&b&Toggle MLC&/b&多为&b&东芝&/b&出品，当然Toggle阵营中也有企业级闪存，与企业级同步MLC对应。SSD中应用比较多的其实还有Asynch MLC（异步颗粒），价格便宜量又足，不过性能比同步颗粒差。&/p&&p&　　由于TLC需要更精确的控制电压，那么写入数据当然也会花费更多的时间；同样的，由于需要识别8种信号，而MLC只需要识别4种，&u&所以TLC会花更多时间来读取数据。&/u&但是和SLC比起来，MLC就被完爆了，因为SLC的电压组合只有1和0两种，与MLC的4种电压组合比起来，SLC会花费更少的时间来识别信号，同时对电压控制的要求变低：上电就是1，断电就是0，这也就解释了SLC的性能为何最好。&/p&&p&　　TLC闪存优点是成本低，但是带来的考验也更大。容纳的电位多了可以提升容量，但也使得整个过程更复杂，需要更精确的电压控制，Program过程所需时间更多，因此写入性能也会大幅下降，所以现在的TLC SSD都启用了SLC Cache模式提升写入速度，否则那个写入速度是很难让人接受的；读取，特别是随机读取性能也会受影响，因为需要花更多的时间从八种电信号状态中区分所需数据。另外TLC相邻的存储单元也会产生电荷干扰，20nm工艺之后，Cell单元之间的干扰现象更加严重，如果数据长时间不刷新的话就会出现像之前三星840 Evo那样的读取旧文件会掉速的现象。&/p&&p&　　最关键的是闪存寿命直线下降，MLC的P/E次数至少还有&a href=&tel:&&&/a&次，而TLC公认的P/E指标是1000次，好点的可能做到1500次，依然比MLC差很多。但各种极限测试也都证明：正常家用，TLC 120g 固态的来说用个10年左右也是不成问题，所以不必纠结寿命。更别提很多寿命更长MLC的SSD。&/p&&p&　　目前全球生产NAND闪存芯片的厂商屈指可数：1三星、2东芝、3闪迪、4镁光（英睿达）、5海力士、6英特尔。其中三星市场占有率第一，东芝颗粒应用最广泛。另外还有英特尔、美光、三星、闪迪多用在自家产品。海力士的量则主要是供给移动市场为主。（不过在DRAM内存市场上，主要的玩家就剩下三星、SK Hynix及美光三家了）&/p&&figure&&img src=&/ec31acc02aa0da85a902356_b.jpg& data-caption=&& data-rawwidth=&640& data-rawheight=&400& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&640& data-original=&/ec31acc02aa0da85a902356_r.jpg&&&/figure&&p&&b&3D NAND闪存：未来的出路&/b&&/p&&p&　　NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分，为了进一步提高容量、降低成本，NAND的制程工艺也在不断进步，从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm，但NAND闪存跟处理器不一样，先进工艺虽然带来了更大的容量，但NAND闪存的制程工艺是双刃剑，容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降，&u&因为工艺越先进，NAND的氧化层越薄，可靠性也越差，厂商就需要采取额外的手段来弥补，但这又会提高成本，以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。&/u&&/p&&p&　　相比之下，3D NAND解决问题的思路就不一样了，为了提高NAND的容量、降低成本，厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了，转而堆叠更多的层数就可以了，这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了，比如东芝的15nm NAND容量密度为1.28Gb/mm2，而三星32层堆栈的3D NAND可以轻松达到1.87Gb/mm2，48层堆栈的则可以达到2.8Gb/mm2。&/p&&p&　　由于已经向垂直方向扩展NAND密度，那就没有继续缩小晶体管的压力了，所以三星、Intel和美光可以使用相对更旧的工艺来生产3D NAND闪存，&u&做成3D NAND MLC或者3D NAND TLC。&/u&现在三星已经就这样做了，850 Pro是3D MLC，850 Evo是3D TLC。使用旧工艺的好处就是P/E擦写次数大幅提升，而且电荷干扰的情况也因为使用旧工艺而大幅减少。&/p&&p&&br&&/p&&figure&&img src=&/v2-cd63c4dba4894bda3275ab_b.jpg& data-caption=&& data-rawwidth=&500& data-rawheight=&498& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&500& data-original=&/v2-cd63c4dba4894bda3275ab_r.jpg&&&/figure&&p&将平房增加楼层盖成高楼，单位面积内可容纳的人就会更多，这点是同理的。&/p&&p&　　三星、SK Hynix、东芝/闪迪、Intel/美光这四大NAND豪门都已经涉足3D NAND闪存了。三星最早量产了3D NAND，其他几家公司在3D NAND闪存量产上要落后三星至少2年时间。这四大豪门的3D NAND闪存所用的技术不同，堆栈的层数也不一样，而Intel在常规3D NAND闪存之外还开发了新型的3D XPoint闪存，它跟目前的3D闪存有很大不同，属于杀手锏级产品。&/p&&figure&&img src=&/v2-c9eb06cd865e2d1bb601_b.png& data-caption=&& data-rawwidth=&709& data-rawheight=&372& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&709& data-original=&/v2-c9eb06cd865e2d1bb601_r.png&&&/figure&&p&　　Intel本来就是做存储技术起家的。虽然现在的主业是处理器，但存储技术从来没放松。根据Intel官方说法，3D XPoint闪存各方面都超越了目前的内存及闪存，性能是普通显存的1000倍，可靠性也是普通闪存的1000倍，容量密度是内存的10倍，而且是非易失性的，断电也不会损失数据。由于还没有上市，而且Intel对3D XPoint闪存口风很严。Intel准备在2016年开始推出基于3D XPoint技术的存储产品，内存容量可达6TB，值得关注。&/p&&p&　　传统的平面NAND闪存现在还谈不上末路，主流工艺是15/16nm，&u&但10/9nm节点很可能是平面NAND最后的机会了&/u&，而3D NAND闪存还会继续走下去，目前的堆栈层数不过32-48层，厂商们还在研发64层甚至更高层数的堆栈技术。3D NAND闪存在容量、速度、能效及可靠性上都有优势。&/p&&p&　　2D的TLC闪存由于各种问题是不会成为主流的，基本上只会有低价入门级的SSD会使用，现在的TLC SSD很多都是试验性产品，但是等到3D TLC大批量产后，它将会成为未来的主力。&/p&&p&&b&3、固件算法：&/b&&/p&&p&　　SSD的固件是确保SSD性能的最重要组件，用于驱动控制器。主控将使用SSD中固件算法中的控制程序，去执行自动信号处理，耗损平衡，错误校正码（ECC），坏块管理、垃圾回收算法、与主机设备（如电脑）通信，以及执行数据加密等任务。由于固件冗余存储至NAND闪存中，因此当SSD制造商发布一个更新时，需要手动更新固件来改进和扩大SSD的功能。&/p&&p&　　由于固件研发上的区别，采用相同主控的SSD也可能表现出完全不一样的性能和耐久度。而固件则通常是由厂商自行开发，并且时有更新，可以改善SSD性能并解决一些曾经出现的已知问题。如果用数字来说，&u&一块SSD中颗粒对性能的影响大约占60%，而固件与主控的影响会在20%左右。&/u&&/p&&p&　　开发高品质的固件不仅需要精密的工程技术，而且需要在NAND闪存、控制器和其他SSD组件间实现完美整合。此外，还必须掌握NADN特征、半导体工艺和控制器特征等领域的最先进的技术。固件的品质越好，整个SSD就越精确，越高效。目前具备独立固件研发的SSD厂商并不多，仅有Intel、闪迪、英睿达、浦科特、OCZ、三星等厂商。&/p&&p&------------------------------------------------------------&/p&&p&&b&二、固态硬盘选购&/b& &/p&&p&　　先确定自己电脑需要的SSD容量、接口类型！&/p&&p&　　容量不需要多说。根据自身需求、预算购买。首推256GB。&/p&&p&　　主流硬盘接口都有哪些？现在能见到的至少有SATA、mSATA、M.2、SATA Express、PCI-E及U.2等，其实这些还只是一部分，因为我们没提到的还有很多，比如BGA封装的，针对外置设备的eSATA接口，企业级市场用的SAS 3.0接口，习惯独来独往的苹果甚至还定制了很多自家专属的硬盘接口。考虑到它们跟日常使用的关系不大或者你知道了也没个卵用（因为是专属的）。&/p&&p&　　最常见的有：SATA 6Gbps接口，M.2/NGFF接口，PCI-E接口。&/p&&p&　　其中M.2之间也有不同的规格，主要由、2280三种规格，其实三种规格对应的是三种不同长度的产品，方便厂家扩充存储容量。未来主流应该是2280。&/p&&p&　　2016年随着英特尔Skylake平台CPU主芯片对原生PCIe NVMe通道的支持，高端市场PC将开始向PCIe SSD过渡。目前三星、英特尔、浦科特等一线品牌已经推出PCIe NVMe SSD。如英特尔750，三星951，浦科特M8Pe。&/p&&p&&b&1、看主控&/b&&/p&&p&　　Marvell大法好，不差钱可选浦科特、闪迪等。（不是Marvel，不是漫威漫画。）囊中羞涩则选其他主控产品。&/p&&p&&b&2、看闪存&/b&&/p&&p&　　MLC是中高端产品的主流选择。TLC和MLC的区别，除了低成本， 低寿命外， 就是低写入速度。而TLC的寿命，没有任何厂商公开谈论过TLC闪存的可靠程度，但&u&各种极限测试也都证明：正常家用，TLC 120g 固态的来说用个10年左右也是不成问题，所以不必纠结寿命&/u&。更别提很多寿命更长MLC的SSD。&/p&&p&　　要快和稳定，首选MLC。对于TLC闪存，态度一直是明确的：它确实对厂商降低成本非常有利，但是，除非囊中羞涩或者升级临时用的电脑，否则根本没有选择TLC的必要。&/p&&p&　　首先是那些可以自己生产闪存的厂家：Intel、美光、三星、海力士、东芝、闪迪。&br&　　没有生产闪存能力的但是一直坚持使用原厂闪存的厂家：浦科特、建兴、海盗船等等。&br&　　最后提一下OCZ，当年江湖的白片小王子，长期保持较高的返修率，不但对财政是一个负担，还致使消费者对他的产品失去信心，最终导致破产。现在被东芝收购后从良了，有了稳定的闪存来源，新出的那几款SSD都用的是东芝原厂闪存。&/p&&figure&&img src=&/bc7df82ca6f03efbee88adda_b.png& data-caption=&& data-rawwidth=&756& data-rawheight=&432& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&756& data-original=&/bc7df82ca6f03efbee88adda_r.png&&&/figure&&p&&b&3、看固件&/b&&/p&&p&　　有自主研发实力的厂商会自行优化设计，因此，挑选固态硬盘时，选择知名品牌是很有道理的。固件的品质越好，整个SSD就越精确，越高效。目前具备独立固件研发的SSD厂商并不多，仅有Intel、英睿达、浦科特、OCZ、三星等厂商。&/p&&p&　　现在市面上绝大部分SSD使用时间长了，速度都会变慢，这是SSD的写入方式导致的，如果先写入了一些数据，之后又写入了一些数据，可是后写入的数据是不能直接覆盖之前写入的数据的，而是要等主控将原来的数据擦除掉，才能将后写入的数据放到原来数据的位置。而随着硬盘的使用时间变长，会有很多数据不能在第一时间被放置在该放在的位置，所以在一定程度上影响了固态硬盘的读写速度。&/p&&p&　　可能有人会问为什么都说浦科特没有这种缺陷？这是因为浦科特采用了实时GC功能，它会把乱七八糟的数据都整理好放在一个空白空间。但是可以想象，如果SSD在读写数据的时候还要将其他的这些乱七八糟的数据整理好放在其他地方，必定会大幅降低SSD的寿命，而且要在同一时间进行这两个操作，如果主控不够优秀，肯定无法胜任这个工作。基于此，大多数主控都是闲时GC，并非每时每刻都在进行这个操作，而是达到一定程度后才来执行，然而浦科特却是实时GC，当然采用好主控和好颗粒的浦科特也能经得住这种考验。&/p&&p&　　先说说浦科特的永不掉速TRUE SPEED技术，听上去好像很厉害的样子。其实只是固件层面更激进的GC(垃圾回收Garbage Collection) ，关于GC的作用，可以理解为机械硬盘的碎片整理。 SSD的GC可以分为主动回收和被动回收，浦科特的TURE SPEED是属于激进的主动回收，一旦SSD处于空闲状态就立刻执行GC操作，回收垃圾块，&u&好处就是长时间使用真的不掉速， 缺点就是会降低颗粒的寿命。&/u&&/p&&p&　　至于这样做到底好不好，这里不评论，我想说的是，TRUE SPEED技术，严格上来讲，并不是一项浦科特独有的技术，因为其他厂商也可以，更多的向是一个参数层面的设置，而不是硬件上的创新。而且其他厂商也不是完全不做GC，只是没浦科特这么激进而已。（转某网友）&/p&&p&&b&4、看“缓存”&/b&&/p&&p&　　缓存对固态硬盘的影响没有前三者大，缓存和我们的手机电脑一样，也分DDR2，DDR3。固态硬盘的寻道时间很小，接近于0。因此固态硬盘的缓存并不是必要的，但写入缓存的数据不一定会直接写入到固态硬盘上，只有最终需要保存的数据才会写入到固态硬盘的FLASH芯片上，这个由程序和系统控制。没有缓存的产品也不是说寿命会很不堪，还有还有PO（7%以上）空间来维持。因此，具备较大缓存有助于减少固态硬盘上FLASH芯片的读写次数，延长了芯片的使用时间，一定程度上提高读写能力。&/p&&p&　　TLC SSD为了解决NAND Flash读写较慢的问题，就为产品配备了SLC Cache。在绝大多数没有达到临界值时，SLC Cache就可以全部参与为SSD读写加速。所以目前市面的TCL固态硬盘常规测试速度，均可以媲美SLC固态硬盘。但是缓存，也给TLC跑分注水造假。&/p&&p&　　为了真实的反映TLC SSD的性能，最简单的方法就是将测试数据区块扩大，测试数据大小大于缓存，才能让TLC真实读取性能现出原形。如三星850 EVO当遇到大量写入，持续大数据写入量的话，后劲会明显不足，用完缓存很快溢出，此时三星850 EVO就该露馅了，从400MB/S降到70MB/S甚至更小。&br&　　一般来说，缓存越大越好。&/p&&p&&b&5、看性能&/b&&/p&&p&　　“某固态硬盘读写速度高达500MB/s以上”“550MB/s速度秒杀全场不解释？”。实际软件测试中确是如此，500MB/s真是神速啊！但有些没意义或是作假的数据会让您做出错误的选择，且看奸商宣传无谓数据如何误导消费者。没人用电脑是整天连续的拷贝大文件！再快的持续速度也无用武之地。&/p&&p&　　在实际应用中，更加考究SSD的4K IOPS性能（即每秒输入输出值）。IOPS是指存储每秒可接受多少次主机发出的访问。IOPS越高表示硬盘读（写）数据越快。在日常应用中网页缓存的写入、系统文件更新，包括程序、游戏的加载、响应等等都与随机4K读写性能息息相关。可以说，&u&4K读写的快慢决定了系统的操作体验&/u&。购买SSD时应参考其4K随机读写成绩！&/p&&p&　　太平洋网友用某SSD拷贝通过软件生成的10万个22字节的TXT文件共计（2.46M） 。测试的拷贝速度竟然不到50K/S，而且还有电脑随时死机的风险。&/p&&p&●ATTO测试成绩没有实际参考意义&/p&&p&●CrystalDiskMark测试成绩有时也会骗人&/p&&p&●4K/随机读写能力（单位为IOPS表示）才有价值。系统应用中，多数为小文件读写为主，所以4k 读写指标显得重要多了。对系统盘来说，IOPS可以直观的理解为系统反应速度。&/p&&p&&b&6、可以考虑：有无断电保护&/b&&/p&&p&　　SSD有意外断掉导致不认盘的可能性，可能导致资料无法找回。机械硬盘坏了也有很大几率找回资料。如Intel 730性能表现非常中庸，售价也不低，但是它是一款与企业级产品留着同样血脉的产品，在SSD内置电容中提供应急保护电源设计，确保在突然断电的情况下数据也不会丢失。另外还支持256位AES指令集加密。尤其对于企业用户来说，安全性稳定性是更加重要的。（当然也别被吓到，误认为凡断电必丢盘）&/p&&p&&b&7、可以考虑：功耗&/b&&/p&&p&　　如果你是笔记本用户，考虑的出发点就不再是性能和价格了，而是低功耗。对于比较重视续航能力的笔记本来说，节能是很重要的。可能有人会问三星850 Pro功耗表现也很好为啥不推荐，因为它太贵了，而且&u&笔记本通常都不能发挥SSD最大的实力，所以没必要花这么多钱去购买旗舰级产品&/u&，除非不差钱或者确实需要或者有折扣优惠。&/p&&p&&b&8、可以考虑：售后&/b&&/p&&p&　　如三星、闪迪的支持十年质保，闪迪支持全球联保，可以大胆海淘。浦科特售后顺丰快递寄回去即可。等等。这也是我不推荐买小厂产品的理由之一，万一特么的坏了厂家不一定能有好态度回复你。&/p&&p&　　细心的读者读到这里，对牌子的选择心里大概有底了。三星唯一一家拥有主控、闪存、缓存、PCB板、固件算法一体式开发、制造实力的厂商。三星、闪迪、东芝、美光都拥有其他SSD厂商可望不渴求的上游芯片资源。至于英特尔，暂时无心留恋消费级ssd市场，深耕企业ssd市场。消费级产品较少，性能中庸，但是稳定性奇好。&br&------------------------------------------------------------&/p&&p&&b&三、固态硬盘使用注意事项&/b&&/p&&p&1、系统选择&/p&&p&　　win7系统开始支持SSD固态硬盘优化，支持硬盘分区4K对齐，支持TRIM命令等，能将SSD固态硬盘的性能发挥到极致，因此必须使用Win7以上的系统。&/p&&p&2、多硬盘组合使用时，先单独接SSD安装系统&/p&&p&　　安装系统时尽可能只接SSD，因为Win7以上系统会自动检测磁盘系统是否为SSD而作出优化，希望SSD发挥最大性能，就要单独接SSD来安装系统，否则系统会因为检测到多盘而不进行充分的优化，甚至引起一些古怪的问题。而在安装系统过程中要避免多硬盘而引起的一些不必要的问题，其实很简单，只要把HDD的电源线拔了，装好系统再接上就行。&/p&&p&3、SATA3，开启AHCI模式&/p&&p&　　别接到stat2接口去了。非常重要！略。CrystalDiskInfo软件可检查。&br&4、分区4K对齐&/p&&p&　　如果4K不对齐，不但会极大的降低数据写入和读取速度，还会增加固态硬盘不必要的写入次数，影响寿命。非常重要！略。AS SSD Benchmark、DiskGenius、分区助手可检查或纠正。&/p&&p&&a href=&///?target=http%3A//.cn/diybbs/d231_815414.html& class=& wrap external& target=&_blank& rel=&nofollow noreferrer&&4K对齐选8，扇区数有多大区别？实测告诉你&i class=&icon-external&&&/i&&/a& &/p&&figure&&img src=&/50cefad1627358edea33d1f9ed85e4ab_b.png& data-caption=&& data-rawwidth=&1020& data-rawheight=&300& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&1020& data-original=&/50cefad1627358edea33d1f9ed85e4ab_r.png&&&/figure&&figure&&img src=&/ec33c876a_b.jpg& data-caption=&& data-rawwidth=&730& data-rawheight=&519& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&730& data-original=&/ec33c876a_r.jpg&&&/figure&&p&5、分区方法：小分区、少分区&/p&&p&　　SSD有一种技术叫做“垃圾回收机制”，Trim是系统用来告诉SSD主控哪些数据所占据的地址是“无效”的，而“垃圾回收机制”就是SSD内部对这些“无效”数据进行清理的过程。&/p&&p&　　SSD中的擦除只能是“将无效数据所在的整个区域摧毁”，不能像机械硬盘那样实现“点对点精确定位打击”，因此“垃圾回收机制”过程也显得很繁琐——先把区域内的有效数据集中起来，转移到空闲的位置，然后把“问题区域”整个清除，清除出来的地方可以作为下次垃圾回收时的转移地点。&/p&&p&　　所以“小分区”的概念就出来了。所谓“小分区”就是不要把SSD的容量都分满，保留一部分容量作为“空闲位置”，&b&用于SSD内部的优化操作，如磨损平衡、垃圾回收和坏块映射。&/b&一般}