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金刚石膜上电子束蒸镀Ti／Ni／Au多层膜.pdf 5页 5页
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第 23卷 第 6期
真 空 科 学 与 技 术
2003年 l1、12月
VACUUM SCIENCEANDTECHNOLOGY(CHINA)
金刚石膜上电子束蒸镀 Ti／Ni／Au多层膜
(1．天津工业大学机械电子学院 天津 ．天津大学材料学院 天津 30(~72)
Ti／Ni／AuM ulti-layerGrowth onSurfacesof
ChemicalVaporDepositedDiamondFilms
DuSumei，PanCunhai
(1．CortegeofMechanicalandElectronicEngineering，rio~jinPolytechnicUniversity，Tianjin，300160，China；
2．CollegeofMaterialScienceandEngineering，ri~iinUniversity，rio~n，30(~72，Chn／a)
Abstract Ti／Ni／AuMulti-layersweregrownbyelectronbeam evaporationonthesubstratesofoxygen-enricheddiamondfilmsplq)8]red
bychemicalvapordeposition(CVD)．Themulti- e璐werestudiedwithAugerelectronspectroscopy(AES)anditsphasetransitionmapwasal—
yzed．Theresultsshow thatoxygen-enrichmentofdiamondfilm isresponsibleforthesignificantincreaseofadhesionatthemulti-layer／
diamondinterface．AES$peetla confi~ thatcarbonatomsmaydiffuseintotheTiIayerasfaras150 nm ．Oxygen-enrichmentandcarbondiffu-
sionintohteTi-layerresultsinhteformationofTiO andTiC，whichconsiderablyimpwv~ hteinterfacialadhesion．
Keywords Electronbeam evaporation，Diamondsubstrates，Thermalmanagement，MetaUization
摘要 经过相图分析提出了CVD金刚石膜上蒸镀 Ti／Ni／Au的体系。采用该体系、富氧预处理工艺和电子束真空镀膜方
法 ，金刚石膜和多层金属膜之间获得 了良好结合强度。研究发现：富氧预处理对多金属膜和金刚石膜之间的结合强度影响显
著。进一步利用俄歇电子能谱 (AES)证实 ：c向 ．n中扩散层有 150nln之多，并出现 了厚度约为 90nln稳定含量层 ，说明有确定
化学比的反应产物生成 ；富氧处理在金刚石膜与 Ti金属层之间增加 了氧的含量 ，为形成TiO和 TiC提供 了合适的条件。
关键词 电子束真空镀膜 金刚石膜 热沉 金属化
中图分类号：TN304．18
文献标识码 ：A
文章编号 ：(5．04
随着半导体微 电子技术的发展 ，特别是二维、三
献未提及金属化前预处理工艺。
维多芯片组装 MCM(MuhichipModule)技术的大量应
本文通过相 图分析 ，选择 Ti／Ni／Au体系，通过
用 ，器件的高速度 、大功率 、高密度的发展趋势 ，要求
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题名: 一种用于Ti-Al合金和MCrAlY涂层间的Al/Al2O3扩散阻挡层及制备方法
作者: 孙超,王启民,李伟洲,宫骏,华伟刚,肖金泉,刘山川,姚勇,闻立时
专利国别: 中国
语种: 中文
内容类型: 专利
URI标识: []&&
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孙超,王启民,李伟洲,宫骏,华伟刚,肖金泉,刘山川,姚勇,闻立时,一种用于Ti-Al合金和MCrAlY涂层间的Al/Al2O3扩散阻挡层及制备方法,.X,2010
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用于硅基铁电容器集成的ni-ti、ni-al阻挡层研究.pdf文档全文免费阅读、在线看 53页
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用于硅基铁电容器集成的ni-ti、ni-al阻挡层研究
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采用磁控溅射法(magnetron
铁电测试仪(Precision
unit)研究了薄膜样品的微观结构、表面形貌、不同层间的界
面以及电容器的铁电性能。
研究发现，低功率制备的非晶Ni．n薄膜可以作为导电阻挡层实现硅基铁电电容器
反应或互扩散，Ni．Ti薄膜中的Ni在经历退火后仍然是金属态，具有良好的输运性质，
说明界面之间形成了良好的欧姆接触。铁电电容器具有良好的铁电性能，测量电压为5V
’特性均良好，说明了非晶Ni．面薄膜是一种新型廉价的优良阻挡层材料。
研究了沉积功率对Ni．1fi薄膜的结构和性能的影响，实验发现沉积功率、结晶状态
和抗氧化性存在非常密切的关系。沉积功率的大小尽管并不影响Ni．Ti薄膜的结晶状态
(Ni．n薄膜均为非晶态)，但是沉积功率直接影响Ni．Ti薄膜的抗氧化能力，低功率下
制备的非晶Ni．Ti薄膜表现出了优良的抗氧化性能，而高功率制备的Ni．Ti薄膜起不到
阻挡层的效果。
研究发现沉积功率对阻挡层材料Ni-AI薄膜的结晶状态有很大影响，在高功率下
Ni—Al薄膜为多晶态，在低功率下为非晶态。不同结晶状态的Ni-AI薄膜的抗氧化能力
不同，非晶Ni—Al薄膜表现出了优良的抗氧化性能，可以用作硅基铁电存储器集成的导
电阻挡层。多晶Ni．Al薄膜由于内部存在晶界，其抗氧化性较差，不能用作硅基铁电存
储器集成的导电阻挡层。
关键词Ni．ⅡNi—Al导电阻挡层铁电电容器磁控溅射溶胶．凝胶
暑皇!!皇量IIII
filmasconductivediffusionbarrier and
Ni—Ti，Ni．A1
layer La0．sSro．5C003
electrodefor
Si—baSedferroelectricrandomaccess
layerintegrating
memory(FRAA9
method，and
preparedSi(001)at temperatureby
sputtering
Pb(Zro．4噩o．6)03(PZT)preparedusing sol—gel
La0．5Sro．5C003／Pb(Zr0．4凰．6)03／『LaJ0．5Sro．5C003／Ni—A1／Si
ferroelectricheterostructureshavebeen
fabricated．Various as
successfully
techniques，such
x-raydiffraction(XRD)，x-rayphotoelectronspectroscopypeps)，atomicmicroscopy
ferroelectric
(AFM)，transmissionmicroscope(TE№andtester(Precisionuni0
tocharacterizethe
theferroelectric
ferroelectri
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含Ti–Al 阻挡层的硅基Na05Bi05TiO3 电容器的结构与
- 硅酸盐学报.PDF 5页
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含Ti–Al 阻挡层的硅基Na05Bi05TiO3 电容器的结构与
- 硅酸盐学报
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第 44 卷第 10 期
Vol. 44 ，No. 10
JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
October，2016
DOI ：10.14062/j.issn.16.10.14
含Ti–Al 阻挡层的硅基Na0.5Bi0.5TiO3
电容器的结构与电学性能
宋建民 ，罗来慧 ，宋安英 ，魏丽静 ，代秀红 ，方晓燕 ，李振娜 ，刘保亭
河北省光电信息材料重点实验室，河北大学物理科学与技术学院，河北 保定
071002 ；2.
河北农业大学理学院，河北 保
071001 ；3.
宁波大学理学院，浙江 宁波
华北电力大学科技学院,
摘 要：通过射频磁控溅射法和脉冲激光沉积法，以 Ti–Al
为阻挡层，在(001)Si
衬底上制备了 La
CoO (LSCO)/
TiO (NBT)/LSCO (LSCO/NBT/LSCO)异质结铁电电容器。研究了 Na
铁电薄膜的结构和物理性能。结果表
明：Ti–Al 阻挡层为非晶结构，NBT 薄膜结晶质量良好。在 1 500 kV/cm 驱动电场下，LSCO/NBT/LSCO
电容器呈现饱和的电
滞回线，具有较大的剩余极化强度(47.9
μC/cm )和较小的脉宽依赖性，而且抗疲劳特性和保持特性良好。此外，漏电机制研
究表明：当外加电场小于 400 kV/cm 时，LSCO/NBT/LSCO
电容器满足欧姆导电机制，在电场大于400 kV/cm 时，满足空间
电荷限流传导机制。
关键词：钛酸铋钠薄膜；铁电电容器；剩余极化强度；漏电流
中图分类号：O484
文献标志码：A
文章编号：(77–05
网络出版时间：
网络出版地址：/kcms/detail/11.2310.TQ.2.004.html
Structure and Electrical Properties of Na
Capacitor using Ti–Al as Barrier Layer
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