联咏采用Calibre xACT提取工具实现高准确度的布局后仿真
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联咏采用Calibre xACT提取工具实现高准确度的布局后仿真
　　国际(Mentor Graphics)日前宣布，科技(Novatek Microelectronics)采用(R) xACT(TM) 3D提取工具来精准确认电路之寄生参数，以提升布局后(post-layout)芯片仿真的结果。 xACT 3D产品具备完整的(field-solver)，与传统准确度有限的规则式(rule-based) 提取工具相比，能以相同的速度和性能实现参考级(reference-level)的准确度。藉由采用 xACT 3D产品，科技对其仿真准确预测硅晶的结果深具信心，且减少重新设计次数和加速上市时程。本文引用地址：
　　「寄生参数提取是复杂IC设计中日益严重的问题，我们需要更高的软件性能来处理设计中的巨量逻辑门同时维持一致的高精确度」，科技IP部门主管Allen Lu表示。「在评估时，我们发现Calibre xACT 3D可提供相较于真实硅晶的最高准确度，且无需牺牲提取性能。它的另一个优点是，Calibre xACT3D可利用现有的Calibre xRC和Calibre nmLVS 规则文件(rule deck)，因此能大幅缩短导入时间，并在不同的生产制程间维持设计支持环境的一致性。」
　　Calibre xACT 3D产品拥有以先进方法开发的(field-solver)建模引擎，能准确计算互连电路间的寄生电容。不同于其他采用统计方法的(field-solver)，Calibre xACT 3D引擎采用确定性技术(deterministic techniques)，能取得整体与耦合电容的可靠结果，且性能上同时兼具快速及扩充性。
　　国际晶圆专案协理张淑雯(Shu-Wen Chang)表示：「Calibre xACT 3D可协助使用者克服在执行寄生参数提取作业时，常常无法兼顾准确度与性能的传统难题。Calibre xACT 3D准确且快速的场解算器(field-solver)满足了联咏科技设计周期需求，因此其设计人员现在从晶体管一直到全芯片关键网表，都能享有更准确的电路建模效能。」
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Calibre xRC的使用
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Tools--design synthesis--layout XL；
在layout界面：
Design--generate from source，出现下图，按照下图所示进行选择：
注意，在I/O pins,一列中，修改完后一定要单击Apply；
Pin type一列，一定要单击undate；
pin Label shape一列，单机呢Pin label options,出现右图，layer name改为选择same as pin。然后单击ok,ok。
接下来，自动生成了mos管的版图，我们需要做的是进行连线。
首先按键盘F键，使图居中；然后按shift+ F键，出现详细的mos管内部结构图；之后，在菜单栏单击options—display，出现下图：
X snap spacing和Ysnap spacing调的越小，画线时的精度就越大。 Display levels里的stop，一般写20，表示显示的层数。
开始连线，画版图。。、、、、、///
画完以后，进行DRC检查：
在layout界面：
calibre--run drc，出现下图：
第一次进行drc时，在load runset file对话框里，单击cancel。
单击Rules标签，在DRC rules file里，单击“…”，选择DRC文件，DRC Run directory里选择运行的目录，最好自己新建一个文件夹。
单击input标签，出现下图：选中export from layout viewer，
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