东莞市洪笙活性炭有限公司
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柱状活性炭具有像石墨晶粒却无规则地排列的微晶
柱状柱状活性炭脱硫PH值控制与结垢情况
& PH值控制与结垢 &
& &脱硫终产物亚硫酸盐和硫酸盐厲于微溶于水的物质，在吸收塔环境中，当终产物超过了悬浮液的吸收极限时，就会以品体的形式开始沉积，当相对饱和浓度达到一定值时，晶体将在悬浮液中已有的石膏晶体表面生长，当饱和度达到更高值时，就会形成同时晶体也会在其他各种物体表面上生长，导致吸收塔内壁结垢。
& & 影响溶质溶解度的因素较多，PH是其中之一。如采吸收液的PH似剧烈变化?则低PH值时，烟硫酸盐溶解度急剧上升，亚硫酸盐溶解度略有下降，会有石膏在很短时间内大量产生并析出，产生硬垢，而高PH值，亚琉酸盐溶解度降低，会引起亚硫酸盐析出，产生软垢，在碱性PH运行时会产生碳酸钙硬垢。
柱状活性炭吸附性：
　　吸附性质是柱状活性炭的首要性质。柱状活性炭具有像石墨晶粒却无规则地排列的微晶。在活化过程中微晶间产生了形状不同、大小不一的孔隙，假定柱状活性炭的孔隙是圆筒孔形状，柱状活性炭按一定方法计算孔隙的半径大小可分为二类：
　　(1) 按IUPAC分：
　　微孔 &1.0nm
　　中孔 1-25nm
　　大孔 &25nm。
　　(2) 按习惯分：
　　微孔 &150nm
　　中孔 150-20 000nm
　　大孔 &20 000nm。
　　由于这些孔隙，特别是微孔提供了巨大的表面积。
　　柱状活性炭微孔的孔隙容积一般只有0.25-0.9mL/g，孔隙数量约为1020个/g,全部微孔表面积约为500-1500m2/g，通常以BET法测算，也有称高达 m2/g的。柱状活性炭几乎95%以上的表面积都在微孔中，因此除了有些大分子进不了外，微孔是决定柱状活性炭吸附性能高低的重要因素。中孔的孔隙容积一般约为0.02-1.0mL/g，表面积最高可达几百平方米，一般只有柱状活性炭总蚕种的约5%。其作用能吸附蒸汽，并能为吸附物提供进入微孔的通道，又能直接吸附较大的分子。
　　大孔的孔隙容积一般约为0.2-0.5 mL/g，表面积只约0.5-2 m2/g，其作用一是使吸附质分子快速深入柱状活性炭内部较小的孔隙中去;二是作为催化载体时，催化剂常少量沉淀在微孔内，大都沉淀在大孔和中孔之中。
　　所提的柱状活性炭表面积理应包括内表面积和外表面积，事实上吸附性质主要来自巨大的内表面积，因此不能误认为：把柱状活性炭研碎磨细会明显提高表面积从而提高吸附力。
　　很多吸附是可逆的物理吸附，即被吸附物为流体，在一定温度和压力下被柱状活性炭吸附，在高温低压下被吸附物又解吸出来，柱状活性炭内表面恢复原状。这是广泛应用的物理吸附，学术上又称为范德华吸附
　　柱状活性炭机械性：
　　(1)粒度：采用一套标准筛筛分法，求出留在和通过每只筛子的柱状活性炭重量，表示粒度分布。
　　(2)静观密度或堆密度：饮食孔隙容积和颗粒间空隙容积的单位体积柱状活性炭的重量。
　　(3)体积密度和颗粒密度：饮食孔隙容积而不饮食颗粒间空隙容积的单位体积柱状活性炭的重量。
　　(4)强度：即柱状活性炭的耐破碎性。
　　(5)耐磨性：即耐磨损或抗磨擦的性能。
　　这些机械性质直接影响柱状活性炭应用，例如：密度影响容器大小;粉炭粗细影响过滤;粒炭粒度分布影响流体阻力和压降;破碎性影响柱状活性炭使用寿命和废炭再生。
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中科院金属研究所成功制备单层多晶石墨烯薄膜
来源：中科院&&&&发布于：
　　晶界是化学气相沉积（CVD）方法制备的大面积石墨烯薄膜中普遍存在的缺陷。深入理解晶界对石墨烯的电学和热学性质的影响对发展基于石墨烯的电子、光电和热电器件具有重要意义。
　　尽管目前对于单个晶界对石墨烯性质影响的研究较多，但宏观尺度上晶粒尺寸对石墨烯电学和热学性质的影响尚不清楚。其主要原因是基于传统的析出（镍基体）或表面吸附生长（铜基体）机制的CVD生长方法无法在大范围内调控石墨烯的晶粒尺寸，制备晶粒尺寸小于电子和声子平均自由程（约1微米）的小晶粒石墨烯尤为困难。
　　最近，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室先进炭材料研究部石墨烯研究组采用溶碳量适中的金属铂片作为生长基体，发展出一种基于&析出-表面吸附生长&原理的CVD方法，仅通过改变析出温度便实现了对石墨烯形核密度的控制，制备出晶粒尺寸在~200 纳米到~1 微米范围内均一可调、且晶界完美拼合的高质量单层多晶石墨烯薄膜。在此基础上，获得了晶粒尺寸对多晶石墨烯的电导率和热导率的影响规律及晶界电阻率（~0.3 kW&&m）和晶界热导（~3.8&109 Wm-2K-1），发现减小晶粒尺寸可导致热导率的显着降低但对电导率的影响较小。
　　根据该影响规律推算，当石墨烯的晶粒尺寸从1毫米减小到5纳米时，其热导率的衰减幅度可达300倍，而电导率的衰减仅为10倍左右，并且热导率和电导率随晶粒尺寸变化的变化率高于典型的半导体热电材料。
　　上述结果可为通过晶粒尺寸工程调控石墨烯的电学和热学性质，实现其在电子、光电和热电领域的应用提供有益的指导。该成果得到了科技部重点研发计划、国家自然科学基金委杰出青年基金、重大项目、创新群体以及中科院重点部署项目等的资助，于2月16日在《自然-通讯》上在线发表（Nature Communications, 8:14486, DOI: 10.1038/ncomms1）。
　　金属所沈阳材料科学国家（联合）实验室固体原子像研究部马秀良研究组、中山大学许宁生研究组以及浙江大学金传洪研究组的研究人员也参与了这项研究。您还可以输入字
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&&8:00-11:30,13:00-17:00(工作日)作者：沈春蕾
发布时间：
晶粒尺寸调控石墨烯研究取得新成果
本报讯 日前，中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室先进炭材料研究部石墨烯研究组的最新研究成果问世，相关论文于2月16日在《自然&通讯》在线发表。
晶界是在化学气相沉积（CVD）方法制备的大面积石墨烯薄膜中普遍存在的缺陷。深入理解晶界对石墨烯的电学和热学性质的影响对发展基于石墨烯的电子、光电和热电器件具有重要意义。
&尽管目前对于单个晶界对石墨烯性质影响的研究较多，但宏观尺度上晶粒尺寸对石墨烯电学和热学性质的影响尚不清楚。其主要原因是基于传统的析出（镍基体）或表面吸附生长（铜基体）机制的CVD生长方法无法在大范围内调控石墨烯的晶粒尺寸，制备晶粒尺寸小于电子和声子平均自由程（约1微米）的小晶粒石墨烯尤为困难。&论文第一作者、金属所博士生马腾告诉《中国科学报》记者。
石墨烯研究组采用溶碳量适中的金属铂片作为生长基体，发展出一种基于&析出&表面吸附生长&原理的CVD方法，仅通过改变析出温度便实现了对石墨烯形核密度的控制，制备出晶粒尺寸在~200 纳米到~1 微米范围内均一可调且晶界完美拼合的高质量单层多晶石墨烯薄膜。
在此基础上，研究组还获得了晶粒尺寸对多晶石墨烯的电导率和热导率的影响规律及晶界电阻率（~0.3 kW&&m）和晶界热导（~3.8&109 Wm-2K-1），发现减小晶粒尺寸可导致热导率的显著降低，但对电导率的影响较小。
马腾指出，根据该影响规律研究组推算，当石墨烯的晶粒尺寸从1毫米减小到5纳米时，其热导率的衰减幅度可达300倍，而电导率的衰减仅为10倍左右，并且热导率和电导率随晶粒尺寸变化的变化率高于典型的半导体热电材料。上述结果可为通过晶粒尺寸工程调控石墨烯的电学和热学性质，实现其在电子、光电和热电领域的应用提供有益的指导。（沈春蕾）
《中国科学报》 ( 第5版
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