东芝15nm TLC颗粒 OCZ Trion 150 SSD上市_饥饿鲨trion 150评测,寿命掉速 - TOP数码
东芝15nm TLC颗粒 OCZ Trion 150 SSD上市
来源：TOP数码 作者：小雨责任编辑：王麻子
近日东芝旗下固态硬盘品牌OCZ发布了饥饿鲨OCZ Trion 150固态硬盘，OCZ Trion 150评测体验不错的，相比100系列，主要将颗粒升级为东芝15nm TLC，定位入门，寿命和掉速能满足普通消费者需求。
似乎有一段时间没有OCZ SSD新品的动静了，事实上这家老牌厂商在归入东芝旗下之后，的确老实了很多，产品也越来越厚道。
今天，OCZ拿出了新款SSD Trion 150，但是变化并不大，仅仅是升级了闪存而已。
Trion 150还是传统的2.5寸SATA 6Gbps规格，闪存从Trion 100里的东芝A19nm TLC升级成了东芝A15nm TLC，不过其他规格参数包括可靠性方面都完全没有任何变化。
容量还是120GB、240GB、480GB、960GB，持续读写最高550MB/s、530MB/s，随机读写最高90000 IOPS、64000 IOPS。
终生写入量分别为30TB、60GB、120TB、240TB，也就是平均每天27GB、55GB、110GB、219GB，平均故障间隔时间150万小时&&虽然是TLC，但寿命问题大可放心，东芝的品质还是有保障的。
闪存工艺进步了，不过整体功耗没变，还是DevSlp深度休眠6毫瓦、空闲0.83W、读写4.8W，支持TRIM，三年质保。
价格不详，现在的Trion 100系列最低分别要259、359、759、1454元。
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版权所有 粤ICP备号 申明:转载原创文章需注明出处,禁止镜像,如有侵权请联系我们删除,欢迎投稿[硬件产品讨论] 一些SSD的入门理解，如TLC、制程、掉速等
常来硬件区的朋友大概会发觉，我那个SSD帖子几乎不怎么更新内容了。事实上不光是因为我懒，[del]虽然我确实懒[/del]，而是最近出的SATA新品都达不到可以放心推荐的程度。当年的三个标杆产品：730停产，后继者是PCI-E的750。850Pro退市，后继者是M.2(PCI-E)的950Pro。至尊超极速没什么动静，但是看这折扣速度，也很像是在清货。可以看出高端产品基本转向PCI-E，SATA新品不是台系主控就是TLC。在价格的冲击下，各路TLC产品进入大家视野，各个大大小小的PC论坛或板块，也基本是提到TLC先你来我往喷上最少三页。在尽可能屏蔽专业术语的情况下，我试着讲解一下关于NAND储存的基本概念，让大家喷的有理有据一些。同时也说说保证数据安全方面的注意事项。一点想法，不一定对。===1、到底TLC是什么===NAND本质上是一个电子部件，工作在一定电压范围里。而在物理世界，电压是连续的，我们需要人为将之划分出若干区间以表达不同的信息。[img]/10/107133/month_1601/75dbb39bf4b1eb5080810.jpg[/img]注意真实世界的区间不是等份的，编码和数据分布也没这么萌呆，更接近于矩阵。本帖所有的图都是抽象示意，不再赘述。同样的电压，在SLC里可能表示为1，MLC里表示为10，TLC里就表示为101。很多时候，同样一片nand，你把它定义为MLC它就是MLC，定义成TLC它就是TLC，对他来说你的写入只是个电压而已。比如风口浪尖上的三星40nm V-NAND，用在850Pro上，就是分成4份，用在850EVO上，就是分成8份。Intel 最新的3D NAND也具备此种特性。同理，现在普遍采用的SLC缓存模式也是把NAND当SLC先写上，然后后台再按TLC重写。好处呢，自不待言，用肚脐眼都能看出单位cell内TLC包含了更多的数据。举个例子，NGA的大写N用ascii码表示是0x4E，算成二进制就是：而如何存下这个字母呢？[img]/10/107133/month_b33c615dadc985.jpg[/img]注意TLC其实空了一位，还有零头找。现在我想大家知道为何SLC绝种了。如图所示，虽然单位TLC包含了更多信息，但同样的电压工作范围里，TLC的区间要紧凑的多，那么：写的问题，TLC需要更精密的控制电压，写的次数也更多。虽然我上面的抽象图是条形的，但实际上在操作时更接近矩阵，slc是1x2，mlc是2x2，tlc是3x2。slc写入需要上电1次；mlc可以选择1到2次写完，两种方式各有利弊；tlc鉴于对电压的精确控制要求极高，只能先写两次，然后校验已写入的内容，最后再写一次。当然这三种最后都要再校验一次。显然TLC复杂了很多，最终就体现在TLC产品100M+的写入速度上。读的问题，电子是活跃的，电池放着不用会没电，NAND的电压也会逐渐损失。当电压掉到一定程度，可能就和原来写入时的数据不是一回事了。当然，盘内一定会有错误处理，P2P下载经常会带rr3，也就是3%的回复记录，如果数据损失小于3%，就能通过计算救回来。比如你存入盘中一个1234，他可能不仅存个1234，还会存个四个数加起来是10，这样数据损坏变成12？4，你还知道？是3。当然为了存这个“加起来是10”也需要额外的空间，实际写入和原数据的比值，我们称之为写入放大比。之所以企业级产品用着512g的nand制造出400g可用容量的盘，就是为了数据可靠性。同样是ssd，Intel 730号称盘上坏一片nand都能把数据重建，而200块钱的大号U盘就别指望了。TLC因为自身特性，更容易漏电导致数据损失，如果损失了进行重建，速度就会大受影响，这就是所谓的TLC掉速。[b]注意这个掉速和当年镁光M4、sf2281的掉速不是一回事，M4是trim不积极，导致每次写之前要先等待擦除旧数据，主要表现在写掉速，几乎不影响读。TLC掉速则是旧数据因为漏电掉速，只有在几个月甚至更久后去读最近没用过的数据才会掉速。这个很难察觉，因为跑as ssd是写进去马上读出来，不会受影响。[/b]最糟的结果就是同时损失太多信息，以上文的例子就是1234坏成了1？？4，这下光有个“加起来是10”也无力回天，数据也就GG了。只不过这种情况太难碰到，以至于840EVO热火朝天卖了一年多都到要退市了才曝出问题。解决方法就是隔一段时间重写一次，牺牲一点寿命。这样愈发拉大了和MLC的写寿命差距。因为MLC你不写就没事干，最多后台trim一下也不损失寿命，TLC为了维持数据需要经常覆盖重写。所以那种狂写XXX小时的测试，反而是最有利于TLC的。一来不需要用SLC Cache了，本来写两遍现在写一遍。二来不需要刷新数据了，反正写上去不久就被覆盖掉。===2、制程的力量===上文末尾说到持续写入测试，在同样工艺下，即使是没有多余的写入放大，TLC也是写不过MLC的。为什么测试中三星这么屌？前文提到电子迁移，漏电不仅在cell内漏，也是会漏到隔壁的。[img]/10/107133/month_aec.jpg[/img]所以工艺越精密，储存密度越高，但也越容易漏电。东芝闪迪的15nm做的还可以，但镁光的15nm颗粒已经漏的惨不忍睹了，比三星的TLC只能说强些但有限。但三星说了，我就是这么屌：[img]/10/107133/month_eda881f45db1c7.jpg[/img]老子特么是两层的……这就是所谓3D NAND了，完美解决容量和漏电的冲突。这也是今后的趋势，Intel的3D今年应该就会大量铺货了，其他厂家不想出局也一定会跟进。===3、一些杂谈===数据安全靠冗余，1%损坏率的设备比2%损坏率的肯定贵出很多，但你用两个2%损坏率的互相备份就能做到0.04%损坏率。设备挂了怪厂商，数据丢了怪自己。目前来说SSD的损坏率已经低于温盘了，当然有说温盘能开盘的，但其实ssd重建技术也有了，比温盘开盘贵一些，但是不多。对于持ssd不安全，数据存机械盘的观点。我强烈建议两个地方都存一次。举个我自己的用法：Intel 730 系统，用户目录，生产工具，工作目录。如果挂了，马上格式化ocz(游戏们：大爷的)，将机械盘的备份恢复过来。这玩意挂了有时候意味着赶不上deadline，所以我会买个可靠性高的产品，尽量减少麻烦。OCZ Trion 100，只有游戏，所以买了个正规厂商里最便宜的玩意，如果挂了送修就是了，反正存档都在用户目录呢。东芝 3T，游戏和软件安装包，用Windows自带的备份功能备份用户目录和工作目录。图片视频等。坏了还有NAS顶着NAS 从机械盘同步备份内容。还有旧电影什么的，挂了重新下载就是了。如果你只想备份点家庭照片，这个节点可以替换成移动硬盘。同样是ssd的话，用途不同选择取向也不同。如果盘挂了就是两天不玩游戏，那么买个便宜大碗的无所谓。反正有京东兜着。如果有额外的风险，那么送修也是必须计算的时间成本，可靠性的价值就会体现。写到这里就这样太监了吧，出去吃饭了，大家新年快乐。[s:ac:blink]
你个太监，写下一半就溜，没诚意啊节操呢！
多数看不懂啊。。。
算科普向，写的蛮好，新年快乐
有一种少看了一集的感觉[s:ac:擦汗]
[s:ac:花痴]楼主学会了我的阉割术
Intel现在的科技树是个啥情况，那个吹破天的3D XPoint和3D NAND有啥区别说简单点就是750的后继产品大概多久能出，性能大概会差多少，值不值得等
前排占座…聆听大师讲解[s:ac:goodjob]
刚查了下，英特尔730只有480g的了，240g的已经下架，难道真的要没了？
730今年黑五不降价啊[s:ac:擦汗]750又没有咸鱼接口这两年还是随便找个牌子的旗舰剁了好好用。SATA、AHCI迟早要进历史垃圾桶的。。。
[quote][pid=66953,1]Reply[/pid] [b]Post by [uid=355910]macintosh[/uid] ( 19:31):[/b]Intel现在的科技树是个啥情况，那个吹破天的3D XPoint和3D NAND有啥区别说简单点就是750的后继产品大概多久能出，性能大概会差多少，值不值得等[/quote]3D Xpoint和3D V-nand都是指3D堆叠硅片技术，这个技术是intel首创并应用在CPU上，棒星跟进研究并首先应用于nand上，用在nand上的目的都是为了在不再减小制程的前提下提升存储密度，并依靠较大的制程来抑制电子迁移和电子损耗。用在CPU上就是不提升核心面积的前提下增加核心晶体管密度。至于750后继产品，intel已经向U.2/M.2方向发展，SATA方向730已经到头，总之想买intel的产品，首先充值信仰，然后卖血攒够钱，大声叫嚷着：shut the fuck up，and take my money!
[b]Reply to [pid=66953,1]Reply[/pid] Post by [uid=355910]macintosh[/uid] ( 19:31)[/b]up to 1/2 ddr cost， 256gb = 8000块
说840Evo不掉速的那个帖子感觉萌萌哒BTW，是我把你变羊的[s:ac:闪光]
[quote][tid=8866953]Topic[/tid] [b]Post by [uid=107133]defer[/uid] ( 19:12):[/b]很多时候，同样一片nand，你把它定义为MLC它就是MLC，定义成TLC它就是TLC，对他来说你的写入只是个电压而已。比如风口浪尖上的三星40nm V-NAND，用在850Pro上，就是分成4份，用在850EVO上，就是分成8份。[/quote]我也这么理解的，不过在PCEVA上经常看到有人说850PRO用TLC模拟MLC，我还疑惑了一阵，看来又是花式黑三星。
厉害，留个名
[b]Reply to [pid=66953,1]Reply[/pid] Post by [uid=1904639]&&&&[/uid] ( 20:10)[/b]还是要看怎么实现的了。
[quote][pid=66953,1]Reply[/pid] [b]Post by [uid=]战场公主 希维尔[/uid] ( 20:17):[/b][b]Reply to [pid=66953,1]Reply[/pid] Post by [uid=1904639]????[/uid] ( 20:10)[/b]还是要看怎么实现的了。[/quote]Mark留名，是不是mlc也和slc一样成为历史？
那么，为什么TLC容易漏电，而MLC不容易漏呢？
[quote][pid=66953,1]Reply[/pid] [b]Post by [uid=]Diotb[/uid] ( 20:23):[/b]那么，为什么TLC容易漏电，而MLC不容易漏呢？[/quote]三星的“40nm”TLC没有镁光的“15nm”MLC容易漏电；但是三星的“TLC”漏八分之一的电就会出问题，镁光的“MLC”需要漏四分之一才会出问题。(这里的四分之一八分之一非精确数值仅比较相对多少)然后正文里还有长时间不使用的刷新等问题，这个就属于技术里面比较细节的实现了。目前的事实是十几nm之类的“劣质MLC”和优质TLC互有胜负，没有绝对的一方秒杀另一方。假如三星的850pro卖到四百块钱250G那么其实是很有竞争力的。
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说说你们的使用感受,写入速度那个就不用说了,只要读取能达到500以上就可以了,我想知道的是写入次数或者写入上限是多少TB,这个一般商家是不会主动标在参数上面了,太吓人就没人敢买了,所以只能求助万能的吧友了近几天固态大跳水啊,影驰240GB 399 东芝240GB 399 光威240GB 399 饥饿鲨240GB 379 听说一个月前还499呢
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固态硬盘寿命比机械硬盘要短，可靠性也不如机械硬盘，而且因为各家，甚至同家不同批次的产品算法都会有区别，坏了以后数据没法恢复，机械硬盘还能开壳。所以说重要的东西还是要放机械硬盘，SSD放系统和软件这些格掉都没有实质性损失的东西就行了。
我就用的影驰 gamer 128的那个
固态硬盘随便买，只要是原厂正片颗粒，并且至少有三年质保就好了。
东芝Q300用户路过，240G的tlc闪存，还没炸呢
599买的850evo250G路过不过装点游戏就满了，此番正好再入一块ocz
SLC 10万次， MLC 1万到2万， TLC 1千到3千。
去年买的840evo120g写了10t感觉没什么毛病
威刚SP900好好返修回来，东芝Q300还在返修的路上，金士顿V300刚装好系统就炸了，已退货。现在用的是Intel 535 240G
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三星ssd 840Evo，就是tlc闪存，性能不错，目前没出过问题，什么都没有??
3l真是逗，民用上就算是tlc实际使用寿命也是ssd大于机械。还有说ssd不能恢复数据的，我也真是醉了。ssd要挂也就是主控挂（ssd写了值到上限后会锁住数据禁止写入，只能读），主控挂了还能把存储芯片里的数据拷出来。机械恢复数据就要看脸，主控挂了还能开盘，要是马达或者磁头跪了盘片十有八九会有物理坏道，想读都读不出
最安全还是组raid
这年头，厂商都把TLC改良了吧，寿命没有以前那么渣了，朋友用的东芝Q300还不错
机械短板是读取啊，嫌写入性能差，弄个三星那种的回写式缓存软件开一下挂就好。系统盘不放重要数据就算死机掉电也没事，除非运气差到windows在更新的时候突然掉电估计要重做系统。其他应该没啥。都是正片的话，寿命应该还是看主控。MLC那些看着YY的PE次数根本用不完。我这个5000PE的intel 520，一年多了写入量才4.2TB，虽然说sf2281写入放大比较小，不过一般情况颗粒寿命真不用担心。TLC主要就是掉速问题比较厉害。
看成tcl彩电了
士必得H7路过，200多的价钱，装SATA2接口上速度也比机械硬盘速度快。玩游戏载入速度也很快。反正能用就行了。
刚买了块960g的放电影或者游戏用 2t应该够用 明年估计价格还要降
850PRO也算是TLC吧
垃圾中的战斗机 TLC全部都是垃圾 垃圾算法 垃圾产品 三星全家废物
只有这样的得分
TLC再便宜也不买同价格，也宁可用小容量的MLC
TLC和MLC一样用难道都不掉速反正过个三年都要换
我128固态用了两个月写入才0.4T不到，你可以估算一下寿命
我那个ssd用了5年了还啥事没有
840 120g用了3年连续读取470掉了40，4k 24不掉，游戏起码下过1t，擦写不到12t，理论上都还可以用10年。ssd关键看4k。期间机械台式已经挂了两块，在本子上用了接着上台式。ssd只要不掉盘寿命和稳定性分分钟爆机械，还有性能
买固态还是买镁光吧，好歹有自己的颗粒
固态。。。我还是喜欢英特尔。。。
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掉速是和主控有关还是颗粒有关？收藏
小弟入手了闪迪至尊高速2 是tlc颗粒的发帖被好多人鄙视 说tlc没法用 之前840evo的掉速门同时又用了为人诟病的tlc 那么问题来了 掉速是主控有关还是和tlc颗粒有关？有没有mlc也掉速的？谁帮我科普一下
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楼主又见面了~~
TLC颗粒不是不能用，而是TLC颗粒优势是大容量，TLC颗粒120GB的容量毫无优势可言。由于SSD工作机制原因，所有的SSD在长时间使用后都会缓慢掉速，没有不掉速的SSD。除此之外掉速也和主控工作方式、固件编写策略有关。
一线大牌的固态就算掉速也不了多少，老电脑为什么慢？因为机械硬盘也会掉速
marvell主控加mlc颗粒，几乎可以忽略掉速…
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为兴趣而生，贴吧更懂你。或SSD的闪存颗粒哪种最好？
我想购买一款SSD，想要那种性价比最好的，但是看到了不同的参数，如一些闪存颗粒，到底是哪些好啊？
已有2个回答
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& & &SSD固态硬盘的性能一般主要是由闪存颗粒，主控，缓存，算法四个因素决定的，而其中起决定性作用的当然是闪存颗粒了，颗粒的好坏直接决定着使用寿命和性能，那么哪些颗粒是好的呢？& & &一般闪存颗粒主要有三种——SLC MLC TLC，颗粒不同，价格和性能自然不同，SLC是目前寿命最长，速度最快的闪存颗粒，一般低端的SLC读写速度都会双双破500M/S，而目前的最新的一项测试，三星的一款SLC颗粒的SSD能够持续写入1000TB的数据而没有挂掉。但是其价格也是最贵的，一般SLC颗粒主要用于高端产品。MLC颗粒速度一般寿命一般，价格一般，有着约3000---10000次擦写寿命，很多的中低端产品SSD都是采用的MLC颗粒。TLC是一种最差的颗粒，很多厂家的第一代SSD都采用的是TLC颗粒，速度慢寿命短，擦写次数约500次，不过这种颗粒非常便宜，一般只有小众的厂家使用这种颗粒，不过之前的苹果128GB的IP6经常出现程序崩溃的问题，而原因就是让人吃惊的便宜货——TLC颗粒。& & 总之，如果从性能上排行的话SLC>MLC>TLC，而我们普通用户想入手的话建议选择价格和性能合适的MLC颗粒就可以了。
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分为三种颗粒，MLC,TLC,SLCSLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。我的建议选择MLC
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