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来源：互联网 发表时间： 13:58:23 责任编辑：王亮字体：
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Lee, Y.H., Zhang, X.Q., Zhang, W.J., Chang, M.T., Lin, C.T., Chang, K.D., Yu, Y.C., Wang, J.T.W., Chang, C.S., Li, L.J. and Lin, T.W. (2012) Synthesis of large-area MoS2 atomic layers with chemical vapor deposition. Advanced Materials, 24, .
被以下文章引用:
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期刊名称: ,
近年来，由于二硫化钼(MoS2)纳米片具有优异的半导体性能，有可能成为硅的替代者而引起了纳米电子学领域的广泛关注。本文评述了几种制备MoS2纳米片的方法，介绍了MoS2纳米片的表征方法和光电性质，总结了MoS2纳米片在几种光电子器件上的应用，并对MoS2纳米片的发展趋势作了展望。
In recent years, molybdenum disulfide (MoS2) nanosheets have attracted extensive interest in the field of nanoscale electronics and are likely to be an alternative choice for silicon because of its excellent semiconductor performance. In this paper, we review the several methods for preparing MoS2 nanosheets and discuss its optical and electrical properties and other characteristics of the MoS2 nanosheets. The application of MoS2 nanosheets in various optoelectronic devices is introduced. Finally, we also prospect the future development trend about the investigation of MoS2 nanosheets.
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