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& 高通8系上支持的APT功能问题
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等级：助理工程师帖子：42被删：0经验：216RD币：79.4来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 17:06:221#
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请教各位大侠，关于这个平均功率跟踪（APT）技术, 具体是怎么样一个机制啊？应该根据输出功率会调整PA的供电电压，就像MTK的DC-DC PA 供电一样，那可调整的PA供电电压范围又是多少呢？如果哪位有相关的文档可以提供，不胜感激！[]
海大等级：版主帖子：398被删：-14经验：1674RD币：5837.9来自：北京&朝阳注册：
&|&&|&&|&&|&　发表于 15:08:482#
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一般的调整电压是0.6-Vbat的范围，可以参考RF6650的datasheet，或者是RF7241的datasheet.其实就是一个查表（power VS DAC&Vcc）的过程，没有太特殊的地方。提高效率的机制：比如输出10dBm的功率，根本不需要Vcc=3.4V。所以将电压降低到了比如1.5V。电流不变的情况下面，同样的输出，消耗的功率变小了。具体可以参考高通的文档。
.cn/haidadeblog
等级：助理工程师帖子：42被删：0经验：216RD币：79.4来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 20:34:303#
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多谢版主指点，具体高通的文档是哪一个专门谈到APT呢？
等级：高级工程师帖子：195被删：0经验：878RD币：165来自：注册：
&|&&|&&|&　发表于 11:45:094#
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screen.width-500)this.style.width=screen.width-500;">相关图片[]：
等级：实习生帖子：5被删：0经验：47RD币：58来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 23:07:425#
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我也有个相关问题，麻烦各位帮我看下。高通的8260采用GPIO_82(TX_AGC_ADJ)发出的PWM来控制RF DC-DC的输出。那么控制PWM的输出应该是由MSM8260某个寄存器来控制. 哪位仁兄能告知是哪个寄存器吗？手头上的资料不足，实在查不到啊。
等级：资深技术专家帖子：3965被删：-76经验：13431RD币：1666来自：北京&海淀注册：
&|&&|&&|&&|&　发表于 11:06:356#
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想请教下海大兄，加入APT后，功控就复杂了一些，那ILPC的性能是不是会受到些影响？ 理论上ILPC对功率波动是非常敏感的，因为我做得平台没有这种机制，所以想了解一下它的特性，多谢！
给我一个小小的家 蜗牛的家 挡风遮雨的地方 不必太大
等级：资深工程师帖子：363被删：-1经验：1574RD币：258.4来自：河北&北京注册：
&|&&|&&|&　发表于 23:02:347#
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供电调整的幅度应该没那么大，功率波动会控制在理想范围内吧。这个是锦上添花的优化功能，不会影响本身的ILPC才对。海大、fengmo。这个问题继续啊，讲讲明白，多谢多谢！！！
诚实做人，踏实做事！
等级：助理工程师帖子：24被删：0经验：124RD币：36来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 23:05:208#
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好像8系列+WTR1605L上加入APT后ILPC还好.实在有问题局调下几个PA时序的NV就可以,因为ILPC在功率切换点最容易出问题.&&但是实际上引入APT后输出功率跟没有APT时是一样的, 从校准出来的线性表中看出,假如输出功率一样,没有APT的话,Vbias=780(3.4V),RGI=60,引入APT后,Vbias=600(2.64V),RGI=63,我们发现当PA的VCC2电压降低时,RGI有所增加,不过测出来的电流还是减少了. 做APT特征化曲线时留了7dB的ACLR余量,射频性能不会恶化. PA VCC2的供电电压范围是1V到3.4V, 因为VCC2 在1v以下的话低功率时会出一些问题. 还有好像高通的在APT上的算法还有待优化,没有达到DCDC厂商的预期.
等级：版主帖子：1062被删：-28经验：4542RD币：4203.1来自：火星注册：
&|&&|&&|&&|&　发表于 23:24:509#
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用qspr做出APT表，导入qspr校准，查看手机在各功率级的ACLR, ILPC指标，有问题的话，在修改APT表，重复。必要的话再修改些NV.
年轻就要在阳光下尽情的挥洒汗水!!!
等级：实习生帖子：8被删：0经验：86RD币：86.7来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 16:50:3210#
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以下是引用fengmo44在 11:06:35的发言：想请教下海大兄，加入APT后，功控就复杂了一些，那ILPC的性能是不是会受到些影响？ 理论上ILPC对功率波动是非常敏感的，因为我做得平台没有这种机制，所以想了解一下它的特性，多谢！APT就是为了提升效率，gain不会变化，PA通过APT的调整使得工作在线性区的末端，也就是gain不会压缩，功率不会有变化，线性度稍稍恶化，也就不存在你说的ILPC的问题您所在位置： &
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高介电常数cucpu复合材料的制备与性能研究.pdf 71页
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高介电常数cucpu复合材料的制备与性能研究
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--------------------------Page1--------------------------------------------------------Page2------------------------------A111esisillMaterialsProcessiIlgEn百neerillgbyChenTa0A捌sedbyProfessorAssociateJingwenW|肌ginFulfillmentSubmittedP乏ulialofmeReqUnmentsfortheofDegreeMasterofEn咖eeriIlgMarch，2010--------------------------Page3------------------------------一，_，^I●--------------------------Page4------------------------------(保密的学位论文在解密后适用本承诺书)作者签名：i盔埴日期：2业二2：三兰^●--------------------------Page5--------------------------------------------------------Page6------------------------------南京航空航天火学硕士学位论文摘要电活性高分子是一类能在外加电场下实现电机转换功能的材料，在传感器、执行器及微电机体系具有广泛的应用。然而，其较低的介电常数是限制其应用的关键因素之一。铜酞菁齐聚物(CllPc)具有超高的介电常数，且其弹性模量低于陶瓷材料，与聚合物复合后，复合材料仍具有易于加工和柔韧性好等优点。本文采用湿法合成了CllPc，并为改善其与聚合物的相容性，将其化学接枝到聚对氯甲基苯有所降低。究其原因，主要是改性后的CllPc颗粒在基体中的尺寸大大减小和分散性大大改善显著地增强了复合材料的界面交换耦合效应所致。溶液铸膜法制备的复合薄膜底面存在聚合物沉淀，导致添加物在基体中分散不均匀，一定程度上降低了复合材料的介电性能。采用热压膜法对复合薄膜进行处理后，材料的介电性能得到了相应的提高。为了进一步提升复合材料的介电性能，本文还将CuPc直接接枝到PU分子链上得到薄膜。通过TEM观察发现改性后的CllPc在基体中的分散性大大改善，且其颗粒尺寸在电常数达到了440左右，是相同含量的CuPc伊U的介电常数的8倍多。关键词：电活性高分子，高介电常数，铜酞菁齐聚物，接枝，聚氨酯弹性体，复合材料^●--------------------------Page7------------------------------高介电常数CuPc伊U复合材料的制备与性能研究ABSTRACTElec们ac6vec觚硎妇elec们戏cIla：nicalc删ion吼der锄p01ym粥皿APs)，谢ch∞咴Inlalelectricforaoffield，am撕ctiVebfoad内ngeapplic撕∞ssuch勰senso培，觚tuat0娼锄dmicmelec仃呲ch砒licallowdielectriccor塔tantofamate削is饥他syst锄s．Ho、ⅣeVer’tllep01)，InericfactIDrswllichliIIlit吐lcEAPsaofⅡ他keyapplic撕。眠Copp盯pIlthalocy锄证eoljgo棚er(CllPc)lmllidielectricel觞dcmodulusg!hco璐tant觚dlowercompa∞d、访nlVeD7allPcinlikcw嬲iIlcorporatedpolymerm觚敝，mecompositc’stillta：ke鲥№gese豳yprocessillg觚dgoodne妯ili够_hlWaswimmis缸sis，CuPcsynmesizedby∞l砸∞嫩tllodand趴lccessfhny鳓edp01ypdllor0ImⅡlylst)鹏鹏)口CMS)口CMS-g-CllPc)to舢er觚dmekiIldSp01)rllrcnl锄e(PU)n扭行政．neIl，俩ocast眦tllod，andPCMS-gCuPc／PU)w讹pr印玳dllsillg∞胁0niIltl蚍tl蛇distribu吐0nofPUmatrixw舔tecllnolo夥TEMmoIphologi骼revealPCMS一邸uPcCuPcw饿coatedsizeof20缸圮sca．25nIll’ab叽tiII单Iroved锄dpafticlesbyPCMS砌锄avI啪gcmes删lerm加慨ofCuPcilleIlll锄cedmrf如CuP卯U．B础of舭岫)r0、
正在加载中，请稍后...jmeter提供了很多元件，帮助我们更好的完成各种场景的性能测试，其中，定时器（timer）是很重要的一个元件，最新的3.2版本jemter提供了9种定时器（之前6种），下面一一介绍：
了解了元件有作用域之后，来看看元件的执行顺序，元件执行顺序的规则很简单，在同一作用域名范围内，测试计划中的元件按照如下顺序执行。
（1）配置元件（config&elements&）
（2）前置处理程序（Per-processors）
（3）定时器（timers&）
（4）取样器（Sampler）
（5）后置处理程序（Post-processors）&（除非Sampler&得到的返回结果为空）。
（6）断言（Assertions）（除非Sampler&得到的返回结果为空）。
（7）监听器（Listeners）（除非Sampler&得到的返回结果为空）。
关于执行顺序，有两点需要注意：
*&&前置处理器、后置处理器和断言等元件公能对&取样器作用，因此，如果在它们的作用域内没有任何取样器，则不会被执行。
*&&如果在同一作用域范围内有多个同一类型的元件，则这些元件按照它们在测试计划中的上下顺序一次执行。
一、定时器的作用域
1、定时器是在每个sampler（采样器）之前执行的，而不是之后（无论定时器位置在sampler之前还是下面）；
2、当执行一个sampler之前时，所有当前作用域内的定时器都会被执行；
3、如果希望定时器仅应用于其中一个sampler，则把定时器作为子节点加入；
4、如果希望在sampler执行完之后再等待，则可以使用Test Action；
二、定时器的作用
1、固定定时器（Constant Timer）
如果你需要让每个线程在请求之前按相同的指定时间停顿，那么可以使用这个定时器；需要注意的是，固定定时器的延时不会计入单个sampler的响应时间，但会计入事务控制器的时间。
对于“java请求”这个sampler来说，定时器相当于loadrunner中的pacing（两次迭代之间的间隔时间）；
对于“事务控制器”来说，定时器相当于loadrunner中的think time（思考时间：实际操作中，模拟真实用户在操作过程中的等待时间）。
这里附上一个传送门，对loadrunner中的pacing和think time有比较全面的解释：
我们通常说的响应时间，应该大部分情况下是针对某一个具体的sampler（http请求），而不是针对一组sampler组合的事务 。
2、高斯随机定时器（Gaussian Random Timer）
如需要每个线程在请求前按随机时间停顿，那么使用这个定时器，上图表示暂停时间会分布在100到400之间，计算公式参考：Math.abs((this.random.nextGaussian()&*&300)&+&100)
传送门（什么是高斯随机分布）：
3、均匀随机定时器（Uniform Random Timer）
和高斯随机定时器的作用差异不大，区别在于延时时间在指定范围内且每个时间的取值概率相同，每个时间间隔都有相同的概率发生，总的延迟时间就是随机值和偏移值之和。
下面表示的是随机延迟时间的最大值是100毫秒：
（1）Random&Delay&Maximum(in&milliseconds):随机延迟时间的最大毫秒数
（2）Constant&Delay&Offset(in&milliseconds):暂停的毫秒数减去随机延迟的毫秒数
4、固定吞吐量定时器（Constant Throughput Timer）
可以让JMeter以指定数字的吞吐量（即指定TPS，只是这里要求指定每分钟的执行数，而不是每秒）执行。
吞吐量计算的范围可以为指定为当前线程、当前线程组、所有线程组等范围，并且计算吞吐量的依据可以是最近一次线程的执行时延。这种定时器在特定的场景下，还是很有用的。
5、同步定时器（Synchronizing Timer）
这个定时器和loadrunner当中的集合点（rendezvous point）作用相似，其作用是：阻塞线程，直到指定的线程数量到达后，再一起释放，可以瞬间产生很大的压力（人多力量大- -哈哈！）
（1）Number&of&Simulated&Users&to&Group&by:模拟用户的数量，即指定同时释放的线程数数量
（2）Timeout&in&milliseconds:超时时间，即超时多少毫秒后同时释放指定的线程数
6、BeanShell定时器（BeanShell Timer）
这个定时器，一般情况下用不到，但它可以说是最强大的，因为可以自己变成实现想要做的任何事情，例如：希望在每个线程执行完等待一下，或者希望在某个变量达到指定值的时候等待一下。
这里给大家介绍下BeanShell：
BeanShell是一种松散类型的脚本语言（这点和JS类似），一种完全符合java语法的java脚本语言，并且又拥有自己的一些语法和方法。
传送门（另外一位博客园作者的博客）：
7、泊松随机定时器（Poisson&Random&Timer）
这个定时器在每个线程请求之前按随机的时间停顿，大部分的时间间隔出现在一个特定的值，总的延迟就是泊松分布值和偏移值之和。
上面表示暂停时间会分布在100到400毫秒之间：
（1）Lambda(in&milliseconds):兰布达值
（2）Constant&Delay&Offset(in&milliseconds):暂停的毫秒数减去随机延迟的毫秒数
&传送门（什么是泊松随机数）：
8、JSR223定时器（JSR223 Timer）
在jemter最新的版本中，新增了这个定时器，可以这么理解，这个定时器相当于BeanShell定时器的“父集”，它可以使用java、JavaScript、beanshell等多种语言去实现你希望完成的事情；
我们都知道jemter是一种开源的纯java工具，可以自己构件各个组件，jar包去完成各种事情。
传送门（关于JSR223）：
9、BSF定时器（BSF Timer）
BSF Timer，也是jmeter新的版本中新增的定时器，其使用方法和JSR223 Timer很相似，只需要在jmeter的lib文件夹导入其jar包，就可以支持脚本语言直接访问Java对象和方法的一定时器。
有了它 , 你就能在java application中使用javascript, Python, XSLT, Perl, tcl, ……等一大堆scripting language. 反过来也可以；
就是在这些scripting language中调用任何已经注册过了的JavaBean,java object。它提供了完整的API实现通过Java访问脚本语言的引擎。
由于本人对java了解不深，只能通过查阅相关资料，简单描述下其作用，不足之处，希望指正。
传送门（BSF）：
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表面疲劳裂纹扩的数值模拟.pdf73页
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表面疲劳裂纹扩的数值模拟
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浙江理工大学学位论文 摘要 零件在交变载荷的作用下经常发生低应力脆断现象，究其原因为疲劳失效。
疲劳失效的过程由裂纹萌生、裂纹扩展和失稳断裂组成。其中，裂纹萌生通常产
生于零件表面。表面裂纹在交变载荷的作用下不断扩展，导致了零件的失效，带
来了较大的损失和安全隐患。所以研究表面疲劳裂纹的扩展具有非常重要的意义
及价值。本文以线弹性断裂力学为基础，采用有限元方法，自编软件AxDPFIow
模拟了构件表面疲劳裂纹的扩展，并预测其剩余寿命。主要研究内容如下： 1 阐述了疲劳裂纹扩展数值模拟的理论基础，明确了数值模拟的步骤，探
讨了其中的关键问题，即应力强度因子理论及计算方法。 2 将平板作为研究对象，采用HyperMesh进行前处理，将平板划分为裂纹
块和非裂纹块网格。其中裂纹块的网格通过编写程序建立，并将其映射为
ABAQUS单元库中的标准等参单元：非裂纹块的网格保持不变，在其上施加载
荷及边界条件。裂纹块和非裂纹块之间采用多点约束连接。 3 在AxDPFlow软件平台上建立了疲劳裂纹扩展数值模拟的流程。调用
ABAQUS软件进行有限元分析，采用两种数值方法计算了应力强度因子，并与
Newman和Raju的经验值比较。考查了裂纹前沿的应力强度因子分布，考虑了
多点约束及网格正交性对应力强度因子计算精度的影响。基于Paris公式计算裂
纹前沿各个节点处的扩展增量，产生的新裂纹前沿采用三次样条插值函数描述。 4 模拟了平板和圆柱在远场拉伸、弯曲及拉弯组合载荷下表面疲劳裂纹的
扩展过程。考查了不同初始形状的裂纹在疲劳扩展过程中纵横比与深度比的变化
关系，分析疲劳裂纹扩展的形状变化规律。结果表明载荷形式
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