传台积电传奇人物梁孟松投奔大陆，或带领中芯攻克14nm工艺
传台积电传奇人物梁孟松投奔大陆，或带领中芯攻克14nm工艺
雷锋网4月26日消息，据台媒Digitimes报导，梁孟松或于5月出任中芯国际CTO或COO，主要工作是肩负先进制程技术研发和瓶颈突破。如果消息属实，那么梁孟松将是继蒋尚义之后又一名加入中芯国际的前台积电人。和蒋尚义一样，梁孟松同样来自台积电技术研发高层，曾担任台积电资深研发处长。不过，梁孟松和蒋尚义不同。虽然都是台积电的功臣老将，但是2016年底蒋尚义出任中芯国际独立董事时，台积电方面曾表示，蒋尚义事先已告知张忠谋，其主要职责是公司治理，相信不会做出任何损害台积电利益的事，双方好聚好散。然而梁孟松却曾因为三星与自己的老东家台积电交恶，甚至引发了一场官司。梁孟松从1981年起在台积电任职，曾是台积电先进制程的头号研发战将，几乎参与了台积电每一代制程技术的研发工作。台积电于12年前研发出0.13微米“铜制程”，击败IBM 扬名全球，梁孟松功不可没。据Trendforce报导，2009年，梁孟松因为人事升迁问题离开台积电，隔年即到韩国三星赞助的韩国成均馆大学任教。2011年2月台积电对他的竞业禁止期间届满后，向台积电领取遵守此规定的新台币4600万元股利之后，同年7月就改任三星晶圆代工部门技术长。但台积电怀疑梁孟松泄漏技术等机密给三星，因此于2011诉请禁止他把台积电技术机密、人员资讯泄露给三星，并禁止梁在2015年年底前为三星服务。直到竞业禁止期限去年底结束后，梁孟松才重返三星。虽然业界对梁孟松的技术专业究竟对三星14纳米FinFET制程有多大贡献各执一词，但多数认为梁孟松是协助三星缩短与台积电之间先进制程技术差距的关键人物，具备相当的实力。而且三星在14纳米制程技术大跃进是事实，更因此抢下高通处理器订单。当时台积电的法务长方淑华曾说，“他（梁孟松）去三星，就算不主动泄漏台积电机密，只要三星选择技术方向时，他提醒一下，这个方向你们不用走了，他们就可以少花很多物力、时间。”作为大陆晶圆代工产业的领头羊，中芯的制造工艺与国际上的竞争对手相比，一直处于落后的状态。据雷锋网了解，目前中芯的28nm低阶Polysion才勉强量产，主流28纳米HKMG良率更是不如预期。而且作为中芯目前最先进的工艺制程，2016年底的时候28nm工艺只占中芯总营收的3.5%。雷锋网(公众号：雷锋网)此前曾报导，2015年6月，中芯国际、华为、高通、比利时微电子研究中心(IMEC)宣布共同投资组建中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司，开发下一代CMOS逻辑工艺，打造中国最先进的集成电路研发平台。新公司由中芯国际控股，华为、高通、IMEC各占一定股比，第一阶段以14nm CMOS量产工艺研发为主，未来还将研发中国的FinFET工艺。Digitime表示，“中芯宣称要做14nm、10那么，但恐是个遥不可及的美梦，若梁孟松加入营运团队，中芯美梦是否会成真，半导体业界都相当瞩目。”不过，就算梁孟松真的加盟中芯，但是中芯想要赶上台积电以及三星依然困难重重。首先，如果梁孟松转战中芯，三星是否会以竞业禁止提告，重演台积电告梁孟松的事件，目前还不确定；其次，因为《瓦森纳协定》规定了发达国家对中国的出口限制，中芯很难买到最先进的光科技来生产晶元。根据知乎用户dax eursir的说法：英特尔、三星、台积电2015年就能买到荷兰ASML的10nm光刻机，而大陆的中芯国际2015年只能买到ASML 2010年生产的32nm光刻机，5年时间对半导体来说，已经足够让市场更新换代3次了。虽然中国政府已经制定了鼓励发展半导体产业的远期计划，并投入了大量资金，但是从目前来看，中国的半导体产业依然面临人才缺乏、技术落后、发达国家技术封锁等种种不利因素，道阻且长。*图片来自网络【招聘】雷锋网坚持在人工智能、无人驾驶、VR/AR、Fintech、未来医疗等领域第一时间提供海外科技动态与资讯。我们需要若干关注国际新闻、具有一定的科技新闻选题能力，翻译及写作能力优良的外翻编辑加入。简历投递至 ，工作地 北京。雷锋网原创文章，未经授权禁止转载。详情见转载须知。
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走近大陆晶圆代工龙头 全面解读中芯国际
　　28nm需求强劲，中芯增长的重要动力本文引用地址：　　我们也知道，推动集成电路前进的主要动力之一是光刻工艺尺寸的缩小。目前28nm采用的是193nm的浸液式方法，当尺寸缩小到22/20nm时，传统的光刻技术已无能为力，必须采用辅助的两次图形曝光技术，然而这样会增加掩模工艺次数，从而导致成本增加和工艺循环周期的扩大，这就造成了20/22nm无论从设计还是生产成本上一直无法实现很好的控制，其成本约为28nm工艺成本的1.5-2倍左右。因此，综合技术和成本等各方面因素，28nm将成为未来很长一段时间类的关键工艺节点。　　28nm制程工艺主要分为多晶硅栅+氮氧化硅绝缘层栅极结构工艺(Poly/SiON)和金属栅极+高介电常数绝缘层(High-k)栅结构工艺(HKMG工艺)。Poly/SiON工艺的特点是成本地，工艺简单，适合对性能要求不高的手机和移动设备。HKMG的优点是大幅减小漏电流，降低晶体管的关键尺寸从而提升性能，但是工艺相对复杂，成本与Poly/SiON工艺相比较高。　　截止2016年底，台积电是目前全球28nm市场的最大企业，产能达到155000片/月，占整个28nm代工市场产能的62%;三星，GlobalFoundry，联电的产能分别达到了30000片/月，40000片/月和20000片/月。从供应端来看，全球28nm的产能供给为25万片/月。　　28nm产能占比　　从需求端来看，随着28nm工艺的成熟，市场需求呈现快速增长的态势。从2012年的91.3万片/年到2014年的294.5万片/年，年CAGR达79.6%，并且将延续到2017年。根据赛迪顾问统计，年28nm市场需求如下。　　28nm产能需求(万片/年)　　28nm的市场需求仍然保持强劲，2017年的市场需求为38.6万片/月，而以台积电，联电等为首的供给端为25万片/月，有接近13.6万片/月的供给-需求错配，对于来说，潜在的市场空间很大。　　从应用端来看，28nm工艺目前主要应用领域仍然为手机应用处理器和基带。2017年之后，28nm工艺虽然在手机领域的应用有所下降，但在其他多个领域的应用则迅速增加，目前能看到的应用领域有OTT盒子和智能电视领域。在年，混合信号产品和图像传感器芯片也将规模使用28nm工艺。　　目前28nm应用主要以手机处理器和基带为主　　在28nm上，明年来看，市场需求和供给之间有13.6万片/月左右的错配，因此，这个gap就有可能来填上。主要逻辑是台积电、三星和GF都在比拼先进制程，并没有在28nm上扩产的计划。，市场需求转好的时候，二线代工厂的产能利用率将随着台积电的产能满载而持续走高，因此很多IC设计厂商开始接触寻求调配产能分散风险。在28nm上，中芯国际主要竞争对手为联电。　　一座厂的投资，必须达到4万片的产能，产能利用率75%，才能盈亏平衡。　　中芯国际是中国大陆第一家提供28纳米先进工艺制程的纯代工企业。中芯国际的28纳米技术是业界主流技术，包含传统的多晶硅(PolySiON)和后闸极的高介电常数金属闸极(HKMG)制程。中芯国际28纳米技术于2013年第四季度推出，现已成功进入多项目晶圆(MPW)阶段，可依照客户需求提供28纳米PolySiON和HKMG制程服务。　　来自中芯国际设计服务团队以及多家第三方IP合作伙伴的100多项IP，可为全球集成电路(IC)设计商提供多种项目服务，目前已有多家客户对中芯国际28纳米制程表示兴趣。28纳米工艺制程主要应用于智能手机、平板电脑、电视、机顶盒和互联网等移动计算及消费电子产品领域。中芯国际28纳米技术可为客户提供高性能应用处理器、移动基带及无线互联芯片制造。　　我们在这里要讨论28nm给中芯国际带来的业绩增长弹性。我们认为，28nm在市场需求和供给错配的情况下，将是未来中芯国际业绩增长弹性的主要推手。　　目前中芯国际在28nm上的产能为1.7万片/月，其中北京厂产能为1万片/月，上海厂产能为7000片/月。在工艺技术方面，向客户提供包括28nm多晶硅(PolySiON)和28nm高介电常数金属闸极(HKMG)在内的多项代工服务。主要客户有高通等。　　从营收角度来看，2016年28nm工艺营收占总体营收的比重为1%左右，体量还非常小。　　我们预计未来3年28nm产能的情况将实现快速的增长，从2016年的1.7万片/月，到2018年的6万片/月，CAGR为88%。以2018年的产能来计算，28nm全年营收为10.8亿美元，预计将占到全年营收的30%。　　中芯国际28nm产能(万片/月)　　布局新技术，未来的成长来源　　现在的中芯国际也正在新技术上进行研发。如启动14nm研发，预计2018年投入风险性试产，突破国际技术封锁，自力更生寻出路。　　目前一代的FinFET工艺中，TSMC是16nm节点，三星、Intel各自开发了14nm&FinFET工艺，GlobalFoundries则使用了三星的14nm工艺授权。由于受到出口限制，我们只能选择自己开发，15年中比利时国王访华时，华为、高通、中芯国际及比利时微电子中心宣布合作开发14nm工艺，中芯国际现在建设的12英寸晶圆厂就是为此准备的，预计最早2018年投入风险性试产。　　上海的12英寸晶圆厂不止会上14nm工艺，未来还会升级10nm以及7nm工艺。　　　　台积电、三星和中芯国际制程概况　　2016年四季，公司宣布在上海开工建设新的12英寸晶圆厂，投资超过675亿人民币，明年底正式建成，这座工厂将使用14nm工艺，这是中芯国际最先进、同时也是大陆最先进的制造工艺。新的12吋生产线项目预计总投资超过100亿美元，将通过合资方式建设未来每个月可容纳7万片的产能规模。公司董事表示，在加速研发过程中，力争在2018年底实现突破。　　另外，45/40nm进军PRAM存储，蚕食三星份额。　　中芯国际是中国大陆第一家提供40纳米技术的晶圆厂。40纳米标准逻辑制程提供低漏电(LL)器件平台，核心组件电压1.1V，涵盖三种不同阈值电压，以及输入/输出组件&2.5V电压(超载&3.3V，&低载1.8V)以满足不同的设计要求。40纳米逻辑制程结合了最先进的浸入式光刻技术，应力技术，超浅结技术以及超低介电常数介质。此技术实现了高性能和低功耗的完美融合，适用于所有高性能和低功率的应用，如手机基带及应用处理器，平板电脑多媒体应用处理器，高清晰视频处理器以及其它消费和通信设备芯片。　　40nm工艺组件选择　　携手Crossbar，进入PRAM存储领域。公司与阻变式存储器(RRAM)技术领导者Crossbar，共同宣布双方就非易失性RRAM开发与制造达成战略合作协议。作为双方合作的一部分，中芯国际与Crossbar已签订一份代工协议，基于中芯国际40纳米CMOS制造工艺，提供阻变式存储器组件。这将帮助客户将低延时、高性能和低功耗嵌入式RRAM存储器组件整合入MCU及SoC等器件，以应对物联网、可穿戴设备、平板电脑、消费电子、工业及汽车电子市场需求。　　价格竞争加剧和固定资产加速折旧，2017年营收占比预降1-2%。我们估计在2017/18年，45&/&40nm将占销售额的24%/&24%。由于价格竞争激烈和固定资产的加速折旧，我们预计2017年45&/&40nm工艺将同比下降1-2个百分点。2017/18年&45&/&40nm产能的减少将转化为28nm产能增加。　　重视技术落地，应用领域不断拓宽　　中芯国际精通技术移植的应用、多领域解决方案陆续推出。该公司同行专注于在先进的数字逻辑部分的竞争，而中芯国际的战略是有选择的研发突破并领导相应细分领域技术，同时坚持投资先进的数字逻辑技术。公司将其制程工艺广泛应用于CMOS图像传感器&(CIS)、多元化eNVM技术平台、IoT&Solutions、混合信号/射频工艺技术、面板驱动芯片(DDIC)、CMOS&微电子机械系统以及非易失性存储器等领域。公司通过陆续推出新技术，巩固已有市场份额，同时获得新的市场份额。　　　　技术移植的应用　　陆续推出新的应用产品　　1)CMOS图像传感器&(CIS)　　CMOS图像传感器产业保持高速增长。在移动设备和汽车应用的驱动下，2015年~2021年，CMOS图像传感器(CIS)产业的复合年增长率为10.4%，预计市场规模将从2015年的103亿美元增长到2021年的188亿美元。运动相机似乎已经达到市场上限，但是新的应用，如无人机、机器人、虚拟现实(VR)和增强现实(AR)等，正促使CMOS图像传感器市场焕发新的生机。　　与此同时，汽车摄像头市场已经成为CMOS图像传感器的一个重要增长领域。先进驾驶辅助系统(ADAS)的发展趋势进一步提高对传感器供应商的压力，以提升其传感技术能力。图像分析是新兴需求，并且人工智能的早期应用正吸引众人的目光。预计2015年-2021年，汽车CMOS图像传感器市场的复合年增长率将高达23%。因此，我们认为2021年之前，全球CMOS图像传感器的市场增长不会出现放缓的趋势。公司作为CMOS头像传感器晶圆制造企业，是产业的关键节点，未来将受益于行业增长，分享行业红利。　　　　中芯国际的CMOS图像传感器增长状况　　公司拥有十年以上在CMOS图像传感器(CMOS&Image&Sensor，&CIS)的制造经验。目前，中芯国际为客户提供1.75微米/1.4微米像素尺寸的背面照射和1.75微米像素尺寸的正面照射技术。同时我们也可以为客户提供从晶片、&彩色滤光片、微透镜到封装测试的一站式服务。　　公司已于2016年成功开发0.11微米CMOS&图像传感器(CIS)工艺技术，在此工艺下生产的&CIS&器件，其分辨率、暗光噪声和相对照度都将得到增强。　　公司在国内提供完整的&CIS&代工服务，基于其丰富的领域经验，该0.11微米&CIS&技术能力可以为客户提供除0.15，0.18微米以外领先的解决方案及有竞争力的成本优势。该高度集成、高密度&CIS&解决方案，同时适用于铝和铜后端金属化工艺，可广泛应用于摄像手机、个人电脑、工业和安全市场等领域。公司在该技术领域已经开始进入试生产阶段，未来几个月后也将在其200和300毫米芯片生产线上实现商业化生产。
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5月23日，科技部召开了重大科技专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”成果发布会，并在会上曝出了一个重磅消息：国产芯片14纳米工艺已经攻克难关，很快就可以量产！这意味着我国芯片制造工艺与封装集成正由弱渐强，技术水平飞速跨越，这无疑是…
5月23日，科技部召开了重大科技专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”成果发布会，并在会上曝出了一个重磅消息：国产芯片14纳米工艺已经攻克难关，很快就可以量产！这意味着我国芯片制造工艺与封装集成正由弱渐强，技术水平飞速跨越，这无疑是一个重大利好消息！国产14纳米芯片实现大飞跃一直以来，集成电路被誉为电子信息产业的根基。然而，多年来中国芯片高端装备和材料的产业链严重缺失，进口依赖严重。每年进口额超过2000亿美元，已超过石油成为最大宗进口产品。因此，我国一直斥巨资研发自有芯片。为了解决 “无芯”之痛，甚至不惜采取购买成熟产品授权和直接并购海外芯片公司的“多条腿”走路战略。如今，我国不仅在14纳米集成电路制造先导技术研发方面取得突破，还在14纳米芯片装备、工艺、封装、材料等方面进行了系统部署，预计到2018年就可全面进入产业化。而随着国产芯片制造业创新体系的完善，不仅引领和支撑了中国集成电路产业快速崛起，还将大幅提升我们的国际竞争力。对此，集成电路国家科技重大专项技术总师、中国科学院微电子研究所所长叶甜春表示，集成电路制造技术代表着当今世界微细制造的最高水平，中国目前已经具备了跻身集成电路制造先进国家的能力。14纳米芯片是兵家必争之地所谓14纳米，就意味着晶体管之间的间距，组件间的距离通常用毫微米进行衡量。但到了“十亿分之一米”的概念就相当不好记了，于是就用到了“纳米”这一概念。间距越小，可以排布在芯片上的元器件就更多；数值越小，就代表由这些芯片封装的CPU（中央处理器）的集成度越高，可以实现更多的功能和拥有更高的性能。同时，数值越小越能减少CPU的功耗，减少其发热量，提升性能。因此，芯片制造商们最喜欢用“更小的纳米制程工艺”、“更强大的性能”、以及“更优异的能效表现”等来描述自家的拳头产品。至于重要程度，从去年发生在英特尔和三星之间的芯片大战就可见一斑。当时，人们一度认为三星电子将取代英特尔业内老大的地位，成为全球技术最领先的芯片生产商。直到英特尔公布了自家 14 纳米芯片制造技术，才正式确定了其业内不可动摇的领先地位。或将撬动万亿以上的配套产业发展作为带动能力极强的行业，芯片业的创新和发展，无疑将给整个信息产业带来巨大推动力。以电脑为例，CPU约占到总体价格的10%～15%，但使用的CPU决定了与之配套的主板、操作系统、内存等一系列软硬件设备， 在CPU上每1元的投入意味着5～8元的直接配套产值，随之又会带动数十元的软硬件、物流等相关产业发展。要知道，美国的信息产业起始就是由于微软和英特尔结成的生态同盟(WINTEL)，芯片的发展促进了桌面计算机进入家庭，并为Google、雅虎等互联网公司的成功打下基础。而作为世界上网民规模最大、互联网经济渗透力最强的国家，中国自然也迫切需要自己的世界级芯片厂商。因此，如果能尽快实现国产CPU对进口产品的替代，即使仅仅替代5%，那也意味着一百多亿美元的巨大市场空间，更会撬动万亿以上的相关配套产业发展，带动整个生态系统的升级换代。而只有以芯片为核心，提升操作系统、应用软件、移动互联网等一系列相关产业的发展水平，才有能力获取合理利润。而除了巨大的经济利益之外，高端通用芯片的逐步国产化，还会为国家信息安全夯实坚实的可持续发展基础。– END –微信搜索关注“ 华夏幸福产业园 ” 公众号，获取更多行业前沿信息。中芯国际14nm量产|14nm已OUT? 台积电5nm芯片19年试产
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中芯国际14nm量产|14nm已OUT? 台积电5nm芯片19年试产
NO.1 14nm已OUT? 台积电5nm芯片19年试产
【手机中国 新闻】尽管今年是10nm大战开演的一年，高通骁龙835、联发科Helio X30、三星Exynos 8895和麒麟970都将采用这一先进工艺，不过半导体制造台积电已在筹划更先进的5nm工艺芯片。 据台湾电子时报报道，台积电共同执行长刘德音(Mark Liu)在昨日举行的供应链管理论坛上透露，台积电准备在2019年上半年开始5nm芯片试产。
刘德音表示，台积电7nm工艺准备在2017年一季度开启试产，规模生产预期会在2018年开启。台积电将开始使用极紫外光(EUV)光刻机来提升7纳米工艺技术，之后全力生产5纳米芯片。 由于台积电10纳米工艺主要用于移动设备，因此使用该工艺的芯片商用出货将于一季度后期开始，2017年下半年出货量会迅速提升。 台积电也准备将2017年的研发支出提升到15%，规模将达到100亿美元，相比去年研发费用为95亿美元。 NO.2 中国芯崛起！中芯国际量产28nm：意义非凡中芯国际是中国大陆最强的半导体代工企业，不过它在与台湾半导体代工厂和三星半导体制造厂的竞争中一直都处于不利的地位。2014年在全球前五大半导体代工厂中，中芯国际和GlobalFoundries是两家营收下滑的企业，而台积电、联电和三星的营收都是同比上升的，其中一个原因正是中芯国际的工艺远远落后于另外四家企业。 28nm工艺量产拉近了与全球第二大代工厂联电的差距，对中芯国际无疑是强心剂。
为什么是28nm？ 2013年中芯国际就宣布开发28nm工艺。28nm工艺有两个方向，一个是高介电常数金属闸极（HKMG），一个是低功耗型的传统氮氧化硅（Sion），前一个技术难度要高很多。 HKMG技术是进入到32/28nm才开始引入的，使用这种技术可以能大幅减小栅极的漏电量。由于high-k绝缘层的等效氧化物厚度（EOT:equivalent oxide thickness）较薄，这样晶体管就能得到进一步的缩小，而管子的驱动能力也能得到有效的改善，因此28nm HKMG技术被视为半导体制造工艺的一种革命性进步。实现了HKMG技术，再向20nm、16nm演进就容易了。 编者注：在摩尔定律的指引下，集成电路的线宽不断缩小。按照规律，基本上是按每两年缩小至原尺寸70%的步伐前进。比如2007年达到45nm，2009年达到32nm，2011年达到22nm。而产业界在从45/40nm向下演进时，由于32nm工艺的不成熟，而28nm引入HKMG实现了重要变革，中间跳过32nm，因此28nm这个节点非常特殊。&
中芯国际在28nm工艺制程上的快速进展得到了高通的帮助，去年中国发起了对高通的反垄断调查，为了换取大陆减轻处罚高通当时做出了一系列的让步，其中之一正是与中芯国际合作研发28nm工艺。 目前中芯国际生产骁龙410正是采用28nm HKMG技术，这对中芯国际来说意义重大。 全球前五大半导体代工厂，现在都怎么样了？ 全球前五大半导体代工厂是台积电、联电、三星、GlobalFoundries和中芯国际。 从技术上说台积电和三星无疑是第一集团，今年台积电的16nmFF+工艺量产落后于三星14nmFinFET，这让三星抢尽了风头。由于台积电的16nmFF+量产时间延后，这迫使去年转单台积电的苹果不得不将前期的A9处理器交给三星半导体生产以赶上今年9月份的新款iPhone上市。 凭借自家14nmFinFET工艺的领先优势，三星的Exynos7420处理器成为全球安卓市场最强大的处理器，让采用这款处理器的S6、S6 Edge大受欢迎，扭转了连续数个季度不断下滑的趋势，今年二季度其手机业务部门营业利润为2.76万亿韩元（约合23.69亿美元），是过去个季度最高的。 台积电虽然今年在工艺制程竞赛上落后三星，但是台积电的实力依然很强大。继2014年营收暴增25%之后，今年上半年的营收依然获得了29.1%的同比增长，原因就是三星半导体虽然技术先进，可是三星同时做手机、DRAM、CMOS、手机芯片等产品，这让IC设计企业担忧与它的同业竞争问题，而更愿意将订单交给台积电生产。苹果公司同样如此，在台积电量产16nmFF+后有望获得至少三成的A9处理器订单。 GlobalFoundries连续数年亏损后，曾传出要出售的消息，不过似乎持有GlobalFoundries的阿联酉阿布扎比先进技术投资公司（ATIC）并不甘心，先是向三星购买了14nm工艺技术，研发了22nm FD-SOI技术，今年并购了IBM的微电子业务，似乎打算继续在这个领域深耕。不过考虑到本文主要是谈中芯国际，GlobalFoundries目前与中芯国际直接竞争的关系不大，不在本文深谈。 中芯国际2014年营收19.7亿美元，营收不及位居全球代工厂第二的联电的46.2亿的一半，但是由于联电已经在大陆拥有和舰科技并正在厦门投资建设12英寸半导体工厂，都在争夺大陆的客户，两家的工艺制程差距较小，与台积电和三星的工艺差距太远，故将这两家当做直接的竞争对手来谈。 中芯国际近四年营业收入 中芯量产28nm工艺，为的是与联电竞争？ 联电一直以来都是全球半导体代工厂二哥。虽然2012年GlobalFoundries通过并购等方式在营收上超过了联电，但是去年联电在量产28nm工艺，28nm是前两年台积电的天下。2014年三季度为台积电提供了总营收的34%，联电量产28nm赢得了部分客户推动营收增长10.8%，是前五大代工厂中增长速度仅次于台积电的，并抢回了全球半导体代工厂二哥的位置。 联电早已经看中大陆市场，并在2003年就开始在大陆市场布局。受制于当时台湾当局的管制，联电曲线在苏州投资了和舰科技，目前已经将它收入旗下。不过和舰科技是8英寸半导体工厂，技术不够先进，去年底获得台湾当局批准在厦门建设更先进的12英寸晶圆厂。 大陆目前已经是全球最大的芯片采购市场，2014年大陆的采购的芯片占全球的过半份额，超过了进口石油花费的资金。大陆去年成立200亿美元芯片产业基金推动芯片产业的发展，大陆也在兴起展讯、海思、联芯、瑞芯微等芯片企业，海思的网通处理器目前正在使用台积电的16nm（这个工艺去年量产，与今年即将量产的16nmFF+不同，其应用于手机芯片的时候能效甚至还不如20nm，所以台积电要开发16nmFF+）工艺生产。 联电为了赢得在大陆市场的竞争优势，在自研14nm工艺，同时与高通合作研发18nm工艺。由于台湾当局的管制，联电只能将落后一代的技术引入大陆市场，要在这两种工艺之一在台湾投产，才能将28nm工艺引入大陆厦门工厂，联电希望凭借就近服务和先进工艺的优势争取大陆客户。 中芯国际此时量产28nm工艺无疑其直接竞争对手就是联电，联电去年才量产28nm工艺，双方的技术差距迅速缩小。在40nm工艺上，联电于2009年就开始量产，而中芯国际到2013年才量产40nm，对比之下可见中芯国际技术进步之快速。 中芯国际今年一季度的财报显示，其来自中国大陆市场的营收占比达到47%创下新高，可见大陆市场正成为中芯国际的重要增长点。现在中芯国际的工艺技术赶上联电，无疑可以有效减小联电争取今年底在厦门厂投产28nm工艺带来的威胁，为去年营收负增长的中芯国际打下一剂强心剂。 高通已经答应了将骁龙410放在中芯国际用28nm工艺生产，其是台积电取得苹果的处理器订单之前的大客户，其将部分订单交给中芯国际将推动中芯国际今年获得好业绩。NO.3 国产芯片雄起八核14nm、5G基带曝光 小米有望称霸世界雷军曾表示小米手机的发展已经到了瓶颈期，因此小米要想突破瓶颈期就不能安于现状。众所周知，小米现在的手机配件基本上都是从外面购买进行组装的，与其他国产手机并没有太大的区别。小米要想突破自己，就得有自己的东西。此前有消息传，小米欲与联芯科技成立合资公司占股51%，随后不久小米与联芯科技合作并推出了搭载联芯处理器的手机红米2A。近日，采用联芯科技LC1860处理器的红米2A目前出货量达510万台，可见伴上小米这个营销高手后，联芯一下就有了一块大市场了。就在昨天，大唐电信旗下的联芯科技举办了一场产品沟通会，在会上不仅宣传LC1860成绩，还公布了未来联芯科技芯片的产品线路图。在线路图的右上角给了大家非常大的一个惊喜，八核64位、12nm FF以及5G基带LTE-A等这些参数非常的亮眼。不过大家也不高兴得太早，据ROM之海了解，联芯2015年底2016年初推出的芯片还只是28nm工艺、首次配备四核A53的入门级芯片，继续支持五模。到了2016将会推出高端与主流的芯片，工艺还仍然是28nm，分别是八核、四核64位芯片，内置Mali-T820 GPU，支持LTE Cat.6 300Mbps。而采用三星14nm FinFET高端八核64位产品要到2017年才会推出，好在基带也升级到了5G LTE-A Cat.9/10 450Mbps。对于三星在中国市场的疲软，小米也正在布局国际市场，所以未来小米在全球打败三星还是有可能的，甚至战胜苹果也是有点希望的。
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