Experience61
SexUnknown
Online time10 Hours
MIUI Version4.5.30
RegistrationJan-17-2014
Last visitJun-03-2014
81 forum credits, 119 more needed to upgrade to the next level
81 forum credits, 119 more needed to upgrade to the next level
MIUI Version4.5.30
Online time10 Hours
13:13, Feb-24-2014
Go to reply no.
What is Difference between dual mic noise suppression and single mic noise suppression ? which is better and which scenario do you use them ?
Experience61
SexUnknown
Online time10 Hours
MIUI Version4.5.30
RegistrationJan-17-2014
Last visitJun-03-2014
81 forum credits, 119 more needed to upgrade to the next level
81 forum credits, 119 more needed to upgrade to the next level
MIUI Version4.5.30
Online time10 Hours
12:26, Jun-03-2014
Any advise upZZ?
Experience3011
Prestige20
Online time179 Hours
MIUI Version5.5.5
RegistrationMay-15-2014
Last visitMay-08-2015
DeviceMi Pad
MIUI Version5.5.5
Online time179 Hours
13:08, Jun-03-2014
This post was edited by Nysho at 13:24, Jun-03-2014
Single-microphone noise cancellation: One mic would be used to capture the suppress the stationary noise without lowering the voice quality.
In the single mic, the same mic would be the one that capture the voice and the noise.
Dual-microphone noise cancellation:Dual mic is much better then single mic solution but it might be challenging for any mechanic.
They involve analying the phase and amplitude difference on each mich or another approach is that they separate speech and noise by de-correlating those signals.
Placement of the mic :If your using multi-mics, you need to consider that the mic placement is a critical part of the solution in your system.The reference mic should not be located near the loudspeaker as it would mess with the level of sensitvity of the mic.
Basically Dual would be better as they could separate speech and noise by de-correlating those signals by using 2 mics as you can see on the picture belowblue colour (reference mic) would be the one that capture the outside noise and for the pink colour (primary mic) would be the one that capture the voice.
Inbox Zero
medal_mail_output.gif
MIUI 100 Million Users
MIUI 100 Million Users
Ataturk Mourning
medal_ataturk.gif
Android Elf
Android Elf
Youth Pledge
Youth Pledge
Happy Diwali
Happy Diwali
Alpaca Mi Bunny
Alpaca Mi Bunny
MIUI 4th Anniversary
MIUI 4th Anniversary
Singapore Birthday
Singapore Birthday
Hilal Ramadan
Hilal Ramadan
Mi Power Bank
Mi Power Bank
Mi In-Ear Headphones
Xiaomi iF Earbud1
Redmi Note
Redmi Note
Mi Portable WiFi
Xiaomi Portable WiFi
MIUI 50 Million Users
MIUI 50 Million Users
Android Guru
medal_android_green
MIUI Fan from Singapore
MIUI Fan from Singapore
Most Active MIUIer
Most Active MIUIer
MIUI Medals Collector
MIUI Medals Collector
MIUI V5 Review
MIUI V5 Review
1st anniversary
1st anniversary
I love Mi Bunny
I love Mi Bunny
MIUI Device Team
MIUI Device Team Members
MIUI Device Expert
MIUI Device Expert
OTA Feedback
OTA Feedback
I love MIUI
I love MIUI
MIUI Follower
MIUI Follower
Pioneer of MIUI English Forum
Pioneer of MIUI English Forum
Humor Master
Humor Master
Updates Lover
Updates Lover
300K Forum Members
300K Forum Members
Fantastic!
Fantastic!
MIUI Global Forum 2014
MIUI English Forum 2014
Thanksgiving Day
Thanksgiving Day
MIUI Halloween
MIUI Halloween
Die-hard MIUI Fan
Die-hard MIUI Fan
Copyright (C) 2015 MIUI Beijing ICP No.手机设计杂谈--MIC电路TDD noise问题分析（一） - jssyzjz的专栏 - 52RD博客_
jssyzjz的专栏
手机设计杂谈--MIC电路TDD noise问题分析（一）(&17:13)
标签：MIC参考设计电路改进 TDD 非线性器件 解调 频频搬移
我的文章（点击链接进入）：
评 论10楼&yushou&发表于& 00:57&不错~~~9楼&52RD网友&发表于& 20:07&8楼 gooddoneman说：看了文档后，确实视角很有深度。问题如下：
1.Zs在几十～几百数量级，可以从哪里获得的信息？
2.只是考虑了MIC本身受到的Vm噪声且Zb的改善，是否需要分析一下输入到MiC电路的Vin干扰？楼主没有下文了。。。。
我也好奇，这个分析是否得到了实际测试验证？？8楼&gooddoneman&发表于& 18:41&看了文档后，确实视角很有深度。问题如下：
1.Zs在几十～几百数量级，可以从哪里获得的信息？
2.只是考虑了MIC本身受到的Vm噪声且Zb的改善，是否需要分析一下输入到MiC电路的Vin干扰？7楼&alai318&发表于& 11:07&看到侵鞯TDD文,想到7,8年前解TDD的情r. 侵鞯TDD文有深度,一.
另外,]有什Nrg,你a充一下.
1.TDD本身碓淳褪217Hz的倍l,因在l射(217Hz+射l),控制用217Hz,以及l射r源被抽大流所造成的217HzC波.所以大都只要@几源^,就可以解Q90%以上的}.
2.1 源C波就碜dV/dt=dI*R 或 dV/dt= L dI/dt . 想必要小的dV,一是加大容(位置要考]),二是R或L小,@在layout就可以改及via,斫档.
2.2 控制用217Hz,只要217Hz的方波的C波小一c就好,因橐话闳寺得最清楚的音ls700-2KHz,所以要降低@l率段鹊闹C波,加RC或LC路是一方法.另外,就是不要@C波由地跑到不想要的地方法==>可以挖地,改善noise流回路(如果不是RF高手,建he)
2.3l射所造成的有几地方,耳机及耳机是一很好的天,所以一M硪ヱ(加LC,一右匀サ700-2KHzl段),另外就是地,可以挖地,或者小心因加了容而⒌仉s,所以可以用layout砀.
已7,8年不做手机了,能得也@.o大家⒖.6楼&hemgoalwei&发表于& 15:08&很强大，值得学习！ 谢谢楼主!5楼&shex816&发表于& 18:04&值得试一下4楼&EMC_Tony&发表于& 14:56&有验证 测试过吗3楼&xuji225&发表于& 10:38&兄弟有心了，，，！！！2楼&Gaomilton&发表于& 14:54&蛮有道理啊。1楼&snow-snow&发表于& 20:35&很详细，楼主知识很渊博啊。
博客名称:手机硬件设计交流
日志总数:27
评论数量:115
访问次数:118492
建立时间: 18:51
本人只是手机行业一名研发工程师，希望和大家一起交流技术经验.很多观点可能不对，请指正。
yushou：(6-11)
52RD网友：(9-9)
52RD网友：(5-24)
52RD网友：(3-21)
jssyzjz：(2-28)
jssyzjz：(2-28)
52RD网友：(2-7)
jssyzjz：(1-24)手机通话杂音(TDMA noise)的产生 - Jimmie的专栏 - 52RD博客_
Jimmie的专栏
手机通话杂音(TDMA noise)的产生(&09:39)
标签：手机 TDMA noise
1\该杂音为一般手机最常见之TDD noise (Time Division Distortion), 所造成的原因为手机射频发射模块端的功率放大器(Power Amplify)每1/216.8秒会有一个发射讯号产生, 在该讯号中包含900MHz/1800MHz或是1900MHz的2.0G GSM 讯号以及PA的包络线(envelope),我们所听到的嗡嗡声就是PA在发射时产生的的包络线(envelope)杂音,因为人的耳朵的听觉频率范围为20Hz~20KHz,216.8Hz确实是落在人耳可听到的范围,当耳机线路从audio codec输出到耳机中间的线路因为设计不良而让杂讯有机会窜入的话,便会听到诸如此类的嗡嗡杂音.
一般手机大厂在设计耳机线路的时候,都会很注重TDD noise的问题,也会使用许多可行之保护设计元件获线路来避免此一问题,比如说加上(电磁波)EMI保护元件在适当的线段上,还有使用严密的隔离层(一般会使用Analog Ground)保护此一音频线段不受TDD noise影响,并于量产前反覆使用相关仪器测量该只手机的idle nosie...一般在耳机听筒端的idle noise 不能大于-52dB...不然会听的很明显....至于对方听筒听到的嗡嗡TDD则是我们手机在麦克风处引入的TDD noise或是对方手机设计不良....
TDD NOISE的一些处理方法
（1）好多手机都会产生恼人的TDMA噪声,频率为217Hz.& 其产生的原因如下两种途径:
&&&&&& a,天线辐射出的射频能量干扰&&&&&&&&& 此种干扰可被33PF电容有效滤除, 即在Receiver两端分别对地加电容,两端间再加一电容,共3个电容即可.&&&&&& b, PA突发工作时带动电源产生的干扰&&&&&&&&& 此种干扰无法滤除,因为217Hz的频率实在是太低啦,又恰好与receiver的音频重叠在一起.无法从频率上分开信号与干扰.
（2）串电阻可以减小该TDMA的噪声，同时加大RECEIVER的输出增益，电阻大小可根据调试情况而定（针对PA突发工作时带动电源产生的干扰）
（3） GSM的TDMA每个timeslot（时隙）为577uS，每帧有8个timeslot，即每帧长为577us×8=4.616ms。GSM是收发& 双工的，也就是只要处于通信状态，发射帧是连续发& 送的。PA在每次发射是都会有一个burst大电流的需求,电源电路就会把这个噪声串到整个电路板上。
（4） a，走线要并行走且用的保护&&&&&&&&&& b，走线避免临近大信号区&&&&&&&&&& c，音频电源要干净&&&&&&&&&& d，mic的偏置电源、地要保护好
（5） a， 如果走太L, receiver AMP 必M量靠近CPU端.可以在audio受到干_前先放大音&&&&&&&&&& b， 22pF容比33pF有效..最好是加再receiver啥&&&&&&&&&& c， receiver啥说淖呔M量靠近.上下包GND
（6）& 差分线上的干扰信号可以表示为一个共模干扰部分+差摸干扰部分，差分线之间的电容是为了去差摸干扰，而每根线到地的电容是为了去共模干扰。
（7）& 不同容值，材料的电容，谐振频率不一样，用来滤掉特定频率的干扰，需要选合适谐振频率的电容。所以很多地方滤波都有大大小小不同容值电容并联。
（8）bead滤除高频noise，虽然其本身听不见，但如果这个noise以一定的频率（音频范围）出现（比如GSM中的TDD noise），这样，其就会造成可听见的噪音。还有出于EMI的考虑，通常音频通路比较长，比如喇叭的绕线，耳机线等，会拾取和发射高频noise，所以要添加bead滤掉。
（9）电容的规格书上有曲线图，每个电容对不同的频率都有一个ESR，有一个最小值。电容在低于其谐振频率时候其呈现的是容性，等于谐振频率时表现为电阻性，高于谐振频率时表现为电感性。同样容值不同类型的电容的ESR也会有很大差别，其表现出来的谐振点也会有区别。即使同是陶瓷电容，NPO,Z5U,X7R,Y5V等等之间的频率特性就不一样，再加上走线也会产生寄生电感，所以说一定要针对哪个电容针对哪个频段是很难确定的。
（10）& 音频线上，比如耳机接口上、Mic、Speaker、Receiver线上，串磁珠其实也挺常见的，特别是在耳机线上。当然主要的目的是减少EMI，耳机线很长，相当于天线，串上磁珠可以阻塞高频率的噪声通过耳机线向外辐射。在Mic、Speaker、Receiver上，其实是有一点多此一举，如果连接的Cable很短的话。针对射频对音频的干扰，则一般通过小电容的滤波来解决，而用不着磁珠。其实很多电路，都是那些似懂非懂的人做出来的。还是需要从基本原理去理解各种器件的特性及其在电路中的作用来着手，思考其是否有用，是否必要。
（11）通常耳机电路都是需要隔值钽电容的，大概在百uf级（现在有专用的capless驱动芯片，可以省去电容）。这个TAN电容的ESR相当于增加了耳机的负载，会降低耳机的输出功率。但同样有助于改善低频响应。通常选这标准品TAN电，其ESR大约几个ohm，影响不至于太大。（12）我们的任务主要是滤除GSM的TDD noise。 因为GSM的最大发射功率有33dbm,而DCS的最大发射功率只有30db，功率比GSM大约小一倍，所以干扰一般也比较小。
（13）两种TDD测试方法：
主观测试方法:&&&&&&&&& 用cmu200测量在gsm或dcs制式下大功率的TDD NOISE:手机和CMU200相连，把功率控制等级调整到最大。语音链接 方式设置为loop back，说话并倾听声音质.&&&&&&&&
&&&&&&&& 客观测试方法:&&&& 测量TDD NOISE的频谱&&&&&&&& 手机和CMU相连，FILE菜单设置为磁盘中文件216.sac的设置，选择channel 2,DISPLAY设置为通道X的纵坐标为－20到－120dbc,横坐标设置为200hz到4K或更大，按图形按钮显示扫描图形。就可以看到不断刷新的频谱。在图形中我们能看到发射回路上的217hz noise,及其多次谐波的脉冲。
（14）对音频攻放电源引起的TDD ，一般可加100nF和4.7UF的电容滤除电源上的噪音
（15）针对receiver通路噪音，可加下拉电阻来降低底噪？（不知是否可行）
在PCB layout时，RFPA、PMIC、以及音频的APA几个直接连在电池VBAT上的耗电大户，应该分别直接从电池连接器上引线，而不要从一个干线上引线。
&& 也就是，几个单元之间不要有公共的供电路径，这样，可最小化电源产生的干扰。
请问: MIC SPK REC线上通常串有磁珠或电感，那么这个磁珠或电感在PCB上应该放在什么地方？如果MIC SPK REC离功放很远的话，磁珠应该靠近MIC SPK REC放置还是靠近功放放置。我参考了NOKIA的和sony ericsson的，结果不一样：NOKIA的bead靠近MIC SPK REC放置，而sony ericsson的靠近功放放置，而且sony ericsson的原理图上都要求这么做的。有没有人解释下为什么？ 这两种放置有什么不一样？
还有一条，我们用的是衰减法，噪声的大小是一样的，串联个电阻，然后在软件中增大音量。这是最后的做法，但很有效的。
有些手机的PA用的是D类功放，其开关频率噪声会严重影响射频性能。此时，需将BEAD靠近功放放置。
当然也有手机把Bead靠电声器件放置的，此时的目的却是为了防止射频等杂讯对音频的干扰。
两者的侧重点不一样。
评 论6楼&jingsheng&发表于& 18:01&sfsdfsfsdfsdfsfsfsfsfs5楼&jingsheng&发表于& 18:01&asdasdasfafasfsdf4楼&52RD网友&发表于& 00:07&跟着大家顶3楼&52RD网友&发表于& 15:32&近期看到的最好的技术文章!感谢并敬佩楼主!2楼&52RD网友&发表于& 12:01&顶起！！！1楼&zhangseasmt&发表于& 10:55&那么多人阅读过就没有人顶，太无语了，这个得顶！
博客名称:iU
日志总数:16
评论数量:32
访问次数:24126
建立时间: 19:33
52RD网友：(12-18)
52RD网友：(7-6)
12506：(7-5)
jingsheng：(5-31)
jingsheng：(5-31)
Veis73：(5-26)
52RD网友：(5-21)
r99t：(5-16)}